1.IntroductionFlexiblepressuresensors,capableofbeingembeddedintoclothes[1,2],shoes[3,4]ordirectlywrappedonskinsurfaces[5,6]haveattractedprofoundresear ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-011.IntroductionFlexibleelectronicshaveexperienceddramaticdevelopmentduringthepastdecadeandhaveshownthepromisingapplicationsinhealthmanagementandInterne ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-011.IntroductionAsurfaceelectromyography(sEMG)electrodeisanon-invasivetechniquefordetectingelectricalsignalsgeneratedbythecontractionofskeletalmuscles[1 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-011.IntroductionFlexibleenergyconversionandstoragesystemshavegainedtremendousinterestduringthepastfewyearsduetotherapiddevelopmentofflexibleintelligente ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-011.IntroductionElectricallyconductivecircuitsasthefundamentalcomponentstopowertheelectronicdeviceshavegreatinfluenceonthedeviceperformance.Themostexten ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-011.IntroductionFlexibleandstretchableelectronicsareattractingmuchmoreattentionduetotheirexcellentconformabilitytonon-planarsurfacesandthepotentialappli ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01半导体性碳纳米管具有大长径比、无悬键表面、高载流子迁移率、室温弹道输运等独特结构特征和优异电学性质，因而被认为是十纳米以下高性能、低功耗晶体管沟道材料的有力候选。碳纳米管的导电属性取决于其螺旋（手性）结构，通常制备出的碳纳米管为金属性和半导体性碳纳米管的混合物。虽然近年来碳纳米管的结构控制生长与手性 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01北京大学物理学院、纳光电子前沿科学中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室肖云峰教授和龚旗煌院士领导的课题组与北京师范大学物理学系、应用光学北京市重点实验室陈建军教授合作，首次提出并实验证明了在相空间中的微腔光场操控，为光学混沌动力学的原位研究和新型光子学器件研发提供了全新思路。2021年12月28 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01中国科大物理系何俊峰课题组、乔振华课题组与美国加利福尼亚大学圣芭芭拉分校Stephen D. Wilson课题组合作，在新型笼目晶格材料研究中取得重要进展：利用具有实空间分辨能力的角分辨光电子能谱，首次实现对笼目晶格表面态电子结构的探测；实验排除了材料中其它非笼目晶格原子的影响，进而观测到笼目晶格本 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01近日，上海交通大学赵长颖教授团队在国际物理学期刊Physical Review Letters上发表“Evolution and nonreciprocity of loss-induced topological phase singularity pairs”研究论文，团队在非互易体系下，研究了 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01作为一种磁性拓扑绝缘体，锰铋碲晶体（MnBi2Te4）自被发现以来一直备受关注；其量子化现象一般在实验中通过外磁场辅助来观测。一方面，磁场诱导的交换能隙使得量子反常霍尔相更容易被测度，然而另一方面，强磁场也会诱导量子霍尔效应，因此，对于实验观测到的拓扑相是量子霍尔相、量子反常霍尔相或二者的共存相，尚 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01近日，南京大学物理学院李绍春教授课题组发展了范德华外延技术，首次成功生长出具有不同转角的1T-TiTe2（单层）/1T-TiSe2（双层）范德华异质结构。通过扫描隧道显微镜（STM）研究，他们发现了莫尔增强的电荷密度波态（charge density wave, CDW），为该领域国际创新突破。这项 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01近日，上海科技大学大科学中心/物质学院彭鹏课题组和加拿大渥太华大学Paul Corkum课题组合作，在超快极紫外光场（XUV）量子相干调控领域取得重要进展。该研究利用超快XUV瞬态吸收光谱及无外场分子排列等方法，首次在分子体系中实现了洛伦兹吸收线型和法诺吸收线型的相干控制，并通过提高分子排列度，实现 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01近日，我系/应用表面物理国家重点实验室李世燕教授课题组与上海科技大学、中科院合肥研究院强磁场科学中心等合作，借助电磁输运、ARPES、能带计算对磁性半金属EuAs3进行了系统的研究，发现并证实了EuAs3中存在磁性诱导的拓扑相变。成果以“Magnetism-induced topological t ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01以氮化镓、氮化铝为代表的第三代半导体是国家“十四五”规划和2035远景目标纲要中确定的重点发展方向，是我国实现半导体技术与产业弯道超车的重要机会。Ⅲ族氮化物薄膜一般利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上外延制备。但是，一方面，蓝宝石与氮化物之间存在较大的晶格失配与热失配，外延薄膜质 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01北京大学马仁敏团队在无缺陷的周期性结构中基于模式耦合光场局域化机制实现了半导体魔角激光器。魔角激光器中的光场局域化来源于形成莫尔超晶格的两套光子晶体模式之间的耦合，无需形成光子晶体禁带即可产生亚波长局域的高品质因子纳米光腔。该光场局域机制可应用于纳米激光器、纳米发光二极管、非线性光学和腔量子电动力学 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01二维磁性材料自2017年被发现以来，已成为物理学及相关领域的研究热点之一。单层二维磁性材料因具有原子级厚度，为研究极限厚度下光与物质相互作用和相关磁光电现象提供了平台。此外，二维磁性材料因具有层状结构，可与其他材料形成范德华接触，为构建种类丰富的高性能磁光电器件提供了可能，在下一代信息技术领域具有广 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01可拉伸电子材料和器件在可穿戴电子、软体机器人、生物电子等领域具有广泛的应用。为了提高集成度和实现多功能，近年来研究者对三维叠层结构的可拉伸电子器件开展了广泛研究。然而，已报道的器件主要基于弹性体薄膜构建，缺乏足够的透气/透液性，在长期穿戴的情况下不仅舒适性差，容易引起皮肤炎症，同时也不利于实现功能集 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01由于单光子在光纤传输中的指数级损耗，量子态在光纤中传输的距离被限制在百公里量级。为了建立起全国乃至全球的量子网络，需要采用量子中继方案。其基本思路是把长程纠缠传输的任务分解为多段短距离的基本链路，在基本链路上建立量子存储器之间的可预报纠缠，然后利用纠缠交换技术把量子纠缠扩展至目标距离。国际上已有的量 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01光的偏振态携带着大量无法通过光强、波长、频率和相位来获得的有效信息。利用偏振光敏感光电探测器实现对偏振光的有效检测，可以增强被检测物体的信息，显著提高目标对比度。目前，偏振敏感光电探测器广泛应用于工业、国家安全、生物诊断和天文学等多个领域，具有重要的应用价值和研究意义。然而，传统的偏振光检测系统结构 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01北京大学物理学院量子材料科学中心和电子显微镜实验室高鹏研究组近日发展了可以在纳米尺度上探测界面晶格动力学的谱学方法。这一方法可以直接测量半导体异质结界面的局域声子模式，从而理解界面热导和电子迁移率等物理性质。研究成果以“Measuring phonon dispersion at an interf ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01香港科技大学陈敬教授课题组成功研发了一系列高性能氮化镓（GaN）基互补型逻辑电路，并首次实现了多级逻辑门的单片集成。该工作为方兴未艾的GaN基电子学引入重要的新成员，从而显著拓展了该领域的疆界。该工作于2021年7月以“氮化镓基互补型逻辑集成电路”（Gallium nitride-based com ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01人工智能和可移动终端的迅猛发展，导致对芯片高算力和低能耗的要求越来越高。目前集成电路最先进的晶体管沟道长度和厚度开始逐步接近原子尺度，而传统半导体材料已经接近性能极限。最新的国际器件与系统路线图（IRDS）指出，具有原子厚度的二维半导体在未来大规模集成电路中有巨大的潜力。所以，发展基于二维半导体的新 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01α-FAPbI3钙钛矿由于具有最窄的带隙被认为是提高单节钙钛矿光伏器件近理论极限效率最有希望的材料。然而，α-FAPbI3钙钛矿的相转变难且稳定性差限制其进一步的发展。另外，传统的方法必须在惰性气氛中，并且严格控制温度和相对湿度的条件下制备高质量的α-FAPbI3钙钛矿薄膜，这严重限制了钙钛矿太阳能 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01机器学习是一种依靠数据驱动的技术，该技术的发展允许各领域的研究人员可以尝试更多的架构或想法，从而加速各自领域的发展。在微电子领域，机器学习算法在辅助芯片加工过程中的监控、性能预测等方面具有重要应用价值。然而，由于数据缺失，限制了机器学习在微电子领域的应用。针对于此，清华大学集成电路学院任天令教授团队 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01拓扑绝缘体在最近十多年引起了科学界的极大重视——这类新奇的量子材料是有可能实现无能耗电子器件的新一代材料体系。它们的能带结构有特殊的拓扑性质，这样的特殊性质使得其表面存在由时间反演对称性保护的导电电子态（Dirac型表面态），最经典的拓扑绝缘体莫过于A2B3型拓扑绝缘体（其中A为Bi或者Sb，B为T ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01本文采用溶液共沉淀法合成了纯净、掺钴（Co）的ZnS量子点，并通过XRD、SEM、TEM、EDX、FTIR和气敏性能对其进行了表征。XRD分析表明，单相ZnS量子点具有闪锌矿结构。TEM和XRD谱线展宽表明样品中的平均晶粒尺寸在2-5 nm范围内。从SEM显微图中可以观察到球状量子点。FTIR研究表 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01本文采用喷雾热解技术合成了不同体积百分比的铁掺杂TiO2薄膜。并利用X射线衍射（XRD）数据研究了Fe掺杂对晶体尺寸、织构系数、微应变、位错密度等结构性能的影响。XRD数据显示，当Fe的体积百分比提高到2 vol%时，样品显示出多晶锐钛矿型TiO2相，而当样品中Fe的体积百分比达到4 vol%时，则 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-012021年10月，松山湖材料实验室第三代半导体团队和北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心王新强教授团队共同研制出4英寸无开裂高质量氮化铝单晶模板，为降低深紫外发光器件的成本清除了最主要障碍，可推动深紫外发光器件的普及。目前深紫外（DUV）发光器件面临的一个共性问题是缺少具有高深紫外透过率且与高Al组 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01随着激光和纳米光子学的发展，激光器的微型化受到广泛关注，先后发展了Fabry-Perot、垂直腔面发射、纳米线、微盘、圆环等激光器。传统光学腔的激光器均受光学衍射极限的限制，即器件的每个维度尺寸均需大于半波长，难以进一步缩小器件尺寸。为了实现高集成度的片上光互连的应用，对激光器提出更高的要求，比如更 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01X波段微波功率器件在军用和商用相控阵雷达、通信数据链路及人工智能等领域具有重要应用，这些应用要求器件具有高功率增益、高功率效率和合适的功率规格。GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）是实现高增益、高效率和高功率密度的理想选择。虽然GaN HEMT的性能越来越好，但是要制备出工作在X波段的具有高功率增 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01本文报道了以硝酸铈(Ce (NO3)3.6H2O)和氢氧化钠为原料通过水热法合成结晶立方氧化铈纳米颗粒的新工艺。我们研究了三种不同摩尔比的NaOH沉淀剂对其结构、光学和光催化活性的影响；并利用X射线衍射（XRD）、紫外-可见分光光度计、扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱分析（EDAX）、拉曼光谱和 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01如何实现更高的光电转换效率始终是光伏科学研究的焦点之一，是世界各国技术竞争的主阵地。在空间飞行领域，更高光电转换效率的太阳电池器件意味着能够支撑更多的科学载荷工作、更小的飞行器发射重量、更灵活的轨道机动能力等，这无疑将显著地促进空间任务的实施。目前90%以上的空间飞行器都以30%-32%效率的空间三 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-012020年，沈阳材料科学国家研究中心任文才、成会明团队在CVD生长非层状二维氮化钼 (MoN2) 的过程中，引入硅元素可以钝化其表面悬键，从而制备出一种不存在已知母体材料的全新的二维范德华层状材料MoSi2N4，开启了二维MA2Z4家族。紧接着，金属所陈星秋研究组利用插层构筑强键合的方法，针对MA2 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01随着技术的发展，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的尺寸进一步减小，传统的硅基场效应管难以满足性能的发展要求。超薄硅晶体管是其中一个解决方向，但是当硅的厚度减小到一定程度时，会出现非理想的载流子散射问题，因此我们需要寻找可以替代的其他材料。石墨烯的发现打开了二维材料的大门。近年来的研究表明 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01二维磁性材料自2017年被发现以来，已成为物理学及相关领域的研究热点之一。单层二维磁性材料因具有原子级厚度，为研究极限厚度下光与物质相互作用和相关磁光电现象提供了平台；另外，二维磁性材料因具有层状结构，可与其他材料形成范德华接触，为构建种类丰富的高性能磁光电器件提供了可能，在下一代信息技术领域具有广 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01北京大学量子材料科学中心杜瑞瑞教授课题组和冯济教授课题组合作利用低温扫描隧道显微镜及谱学测量方法，在观测TaAs外尔半金属不同晶面构成的台阶边缘时，发现了原子尺度稳定的一维费米弧边界态，以及费米弧在不同晶面上由一维边界态向二维表面态的演变。相关成果发表于《国家科学评论》（National Scien ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01磁性材料是现代信息存储技术的重要基础，现有典型器件中信息的写入/读取是通过对磁性薄膜材料中磁性状态的改变/检测来实现。为满足未来海量数据存储的需求，新型磁性材料及相关物理效应的研究尤为重要。二维磁性半导体是同时具有磁性及半导体性质，且只有数原子层厚的新型材料，可对未来高密度信息器件的研发产生重要影响 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-0111月22日，中国科大郭光灿院士团队在高维量子通信研究中取得重要进展，该团队李传锋、柳必恒研究组与电子科技大学王子竹教授、奥地利高小钦博士、Miguel Navascués教授等合作，首次实现了高维量子纠缠态的最优检测。相关成果发表在国际知名期刊《物理评论快报》上。量子纠缠是量子信息过程的核心资源， ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01作为晶格振动的准粒子，声子直接影响凝聚态体系的热导率、电子迁移率等物性，并在传统超导、结构相变、光散射等物理机制中起着重要作用。上世纪50年代，诺贝尔物理学奖获得者麦克斯·玻恩（Max Born）与我国半导体物理奠基人黄昆先生合著的《晶格动力学理论》（Dynamical Theory of Crys ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01清华新闻网11月12日电 在二维材料和拓扑材料等量子材料的研究中，光和物质的相互作用起着重要的作用。它不仅是研究材料处于平衡态时的物理特性的重要探测手段，更为重要的是，脉冲激光激发还可以作为一种物态调控新手段。利用光激发可诱导或“衍生”出平衡态所不具有的新奇物态，进而在超快（皮秒甚至飞秒）时间尺度上 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01随着集成电路器件尺寸的进一步微缩，受限于常温玻尔兹曼限制，器件面临的功耗问题日益严峻。负电容场效应晶体管（NC FET, Negative capacitance field effect transistor）技术利用铁电材料的NC特性可实现沟道表面势的放大，突破玻尔兹曼限制，从而有效降低工作电压 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01第三代半导体碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、临界击穿电场强度高、热导率高、饱和载流子漂移速度大等特点，非常适合用于制造功率半导体器件。近年来随着大直径晶圆与高质量外延技术的成熟，SiC功率半导体器件呈现出快速发展的趋势。4H-SiC肖特基势垒二极管作为最早商用化的SiC功率半导体器件，具有近乎理想的 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01光电化学（PEC）分解水是一种将水在太阳光下转化为氢气和氧气的方法，这种方法在可再生能源领域发挥着重要作用。然而，目前报道的光电极的光电流与实际应用中的需求相距甚远，主要是由电荷复合高、光吸收效率低等原因导致。铁电材料作为一种特殊的半导体，由于材料的自发极化产生的内部电场能促进电子-空穴对的分离，减 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01钙钛矿薄膜中的晶界因阻碍载流子传输而降低光伏电池效率，因此，通过退火方法制备大晶粒、少晶界的高品质薄膜，是实现高效稳定钙钛矿电池的关键之一。然而，因包含有机基团，有机无机杂化钙钛矿高温退火时容易发生表面分解，分解产物阻碍晶界移动、抑制晶粒长大。西安交通大学杨冠军教授课题组报道了一种限域补偿退火工艺， ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01FACs（甲脒铯）基钙钛矿太阳能电池（PSCs）因其优异的热稳定性受到了研究者的广泛关注，被视为未来最有希望实现产业化的钙钛矿材料体系之一。然而，由于钙钛矿多晶薄膜内部以及界面存在缺陷诱导的非辐射复合现象，FACs基钙钛矿器件的效率和稳定性均未达到研究者的预期。近日，北京理工大学陈棋教授课题组基于F ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01随着信息技术进入后摩尔时代，Si基光电集成受到人们的高度关注。以InP、GaAs为代表的III-V族半导体具有优异的光学性能，在发展Si基III-V族激光器上具有一定的优势。目前，Si基III-V族激光器已经实现室温激发，如果异质结中的载流子被更加束缚在III-V族半导体中，则有望提高激光器的发光效 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01CdS作为一种n型直接带隙半导体材料，其禁带宽度为2.43 eV，在可见光范围内具有良好的透射率，适合作为异质结太阳能电池缓冲层，但是镉有毒，于是人们通过掺杂Ga、Cu、Zn等元素来减少或替代缓冲层中的Cd，同时调节缓冲层的带隙提高薄膜性能。对于锌掺杂的缓冲层Cd1-xZnxS薄膜，其制备方法有：喷 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01单壁碳纳米管（SWCNTs）具有较强的C-C键、纳米尺度的截面和较低的原子序数，是一种潜在的应用于外层空间集成电路（IC）的候选材料。然而，将模拟计算与单壁碳纳米管场效应晶体管（FET）的电学测量相结合的工作很少，同时，缺乏对低能质子辐射效应相关的研究，这限制了人们对SWCNT FET辐射效应机理的 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01氮化硅（Si3N4）作为当下最具潜力的硅基材料之一，其丰富的光学特性，尤其是超低光损耗和超宽光谱透明区间使其在薄膜光学、微纳平面光学、非线性集成光学等诸多领域具有应用场景。近期，实验研究首次实现了在氮化硅上制作光隔离器。利用氮化硅的低波导损耗性质，研究团队实现了光隔离器信号耗损的大幅度降低——以 0 ...
中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01
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