随着技术的发展，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的尺寸进一步减小，传统的硅基场效应管难以满足性能的发展要求。超薄硅晶体管是其中一个解决方向，但是当硅的厚度减小到一定程度时，会出现非理想的载流子散射问题，因此我们需要寻找可以替代的其他材料。
石墨烯的发现打开了二维材料的大门。近年来的研究表明，二维材料的原子大小的厚度能够大大提升门控制能力，并且其表面没有悬挂键，有利于载流子更快地传播，从而在电学、光学上表现出了特殊的性能。因此二维材料被认为是延伸摩尔定律的下一代候选材料。而大部分III-V族半导体有比硅更快的载流子迁移率。其中，研究表明单层的二维GaSb材料比同族的单层GaN，GaP，GaAs的载流子迁移率更高。
北京邮电大学屈贺如歌副教授课题组基于第一性原理，探究了不同层二维GaSb材料、在该材料的两面吸附氢原子后的电学性质，而且模拟计算了以这些材料为沟道材料的10 nm门长MOSFET的开关性能。结果表明，单层二维GaSb材料具有更宽的能带宽度，而且其作为沟道材料的MOSFET性能比双层材料器件的表现更好，不仅具有更高的开电流，还具有更小的亚阈值摆幅、更大的跨导，这些都表明了该器件具有更优秀的开关控制能力。此外，单层GaSb材料MOSFET的延迟时间和能耗也更低，无疑比双层材料晶体管体现出更好的特性。而吸附氢原子对材料和器件的影响则是依情况而定。比如在p型GaSb晶体管中吸附氢能够提升开电流，但是n型GaSb晶体管中结果则相反。而与其他材料如硅材料的晶体管相比，二维GaSb材料MOSFET具有更好的性能。
该研究揭示了III-V族二维材料GaSb的性能，为短沟道器件的材料选择提供了新的参考方向。

图1. 探究的四种二维GaSb材料的结构和能带图。(a) 单层GaSb材料。(b) 吸附氢后的单层GaSb材料。(c) 双层GaSb材料。(d)吸附氢后的双层GaSb材料。

图2. 单层和双层二维GaSb材料的n型和p型晶体管的性能参数，以及与其他已有研究的材料的10 nm晶体管的对比。(a) 开电流Ion—有效质量m*。(b) 亚阈值摆幅SS—跨导gm。(c) 能量耗散PDP—延迟时间τ。
Quantum transport simulation of the two-dimensional GaSb transistors
Panpan Wang, Songxuan Han, Ruge Quhe
J. Semicond. 2021, 42(12): 122001
doi:?10.1088/1674-4926/42/12/122001
Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/42/12/122001?pageType=en
来源：第12期半导体学报中文导读