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--> --> --> -->2.1.几何建模
针对引力波探测中测试质量的充电机制与规律进行仿真模拟, 对LISA的复杂航天器结构模型进行简化[15]. LISA航天器整体模型和惯性传感器模型如图1所示.图 1 LISA航天器模型 (a)整体模型; (b)惯性传感器模型
Figure1. LISA spacecraft model: (a) Overall model; (b) inertial sensor model.
本文简化的等效航天器模型如图2所示, 模型包括: 测试质量(test mass, TM), 为边长46 mm的立方体; 钼电极(Mo), 为内边长74 mm、外边长为86 mm的立方体壳层; 钛室(Ti), 为内半径长75 mm、外半径长80 mm的球壳层; 碳外壳(C)(航天器其它结构如电池、望远镜筒和支架等), 为内半径长80 mm、外半径长100 mm的球壳层; 测试质量(TM)与钼电极(Mo)之间和钼电极(Mo)与钛室(Ti)之间的区域均为真空, 具体航天器几何尺寸和材料如表1所列. 在本文的模拟中, 真空的密度为1.0 × 10–25 g/cm3, 设置宇宙线粒子是从一个半径为120 mm的球面上各项同性均匀地入射到整个航天器模型.
图 2 本文航天器模型图 (a) geant4模型图; (b)模型平面示意图
Figure2. The spacecraft model diagram in this paper: (a) Geant4 model diagram; (b) schematic diagram of the model plane.
名称 | 组成成分 | 密度/(g·cm–3) | 尺寸 | 厚度/mm |
测试质量 | Au(70%); Pt(30%) | 19.837 | 46 mm立方体 | — |
钼电极 | Mo | 10.28 | 74—86 mm立方体壳层 | 6 |
钛室 | Ti | 4.54 | 75—80 mm球壳层 | 5 |
碳外壳 | C | 2.10 | 80—100 mm球壳层 | 20 |
表1航天器几何尺寸和材料构成
Table1.Spacecraft geometric dimensions and material composition.
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2.2.辐射环境
引力波探测航天器在类地球轨道绕太阳飞行[16], 将受到GCR和SEP的轰击, 导致测试质量带电. GCR能谱随太阳周期的变化强度会有所不同, 在太阳极小年GCR的通量最高. 在太阳极小年, GCR能谱组成为: 大约90%的质子、8%的氦核(3He和4He), 1%的重核和1%的电子. 本文主要考虑太阳极小年通量相对较大的质子、氦核(3He和4He)和C, N, O等粒子和太阳极大年质子、氦核(3He和4He)以及对于典型的1989年SEP峰值能谱进行充电机制仿真分析.利用CREME96模型计算得到太阳活动极大、太阳活动极小年距太阳1AU处各粒子的能谱如图3所示, 1989年9月29日的SEP峰值能谱通量如图4所示. 由于只有大于100 MeV/n的粒子才能穿透航天器测试质量外围的屏蔽, 故只考虑能量大于100 MeV/n的粒子. CREME96模型计算得到的宇宙线能谱数据没有区分3He和4He, 需要对宇宙线He能谱进行参数化. 针对3He/4He比例C的测量试验已经获得比较准确细致的结果[17-20], 表2和表3中展示了太阳活动极大年参数C(M)、太阳活动极小年参数C(m)的值[21], 根据公式由3+4He的通量可以分别得到3He和4He的通量[22,23]:
图 3 1 AU处GCR各粒子微分能谱
Figure3. Differential energy spectra of each element of GCR at 1 AU.
图 4 1AU处1989年SEP微分能谱
Figure4. 1989 SEP differential energy spectra at 1AU.
E/(GeV·n–1) | 0.10 ≤ E ≤ 0.36 | 0.36 ≤ E ≤ 1.00 | 1.00 ≤ E ≤ 1.40 | E > 1.40 |
C(m) | 0.335 × E0.569 | 0.187 | 0.187 × E0.491 | 0.22 |
表2太阳极小年3He/4He的参数化比例C(m)
Table2.The parameterized ratio C(m) of 3He/4He in solar minimum.
E/(GeV·n–1) | 0.10 ≤ E ≤ 0.30 | 0.30 ≤ E ≤ 0.80 | 0.80 ≤ E ≤ 2.50 | E > 2.50 |
C(M) | 0.239 × E0.538 | 0.125 | 0.140 × E0.496 | 0.22 |
表3太阳极大年3He/4He的参数化比例C(M)
Table3.The parameterized ratio C(M) of 3He/4He during solar maximum.
根据表2和表3太阳活动极大、极小年的参数化3He/4He比例C, 代入3He和4He的通量计算公式(1a)式和(1b)式中, 结合由CREME96模型计算得到的3+4He的通量, 计算得到太阳活动极大、太阳活动极小年3He和4He的通量, 如图5所示.
图 5 宇宙线Proton和He(3He和4He)微分能谱
Figure5. Differential energy spectra of cosmic rays Proton and He (3He and 4He).
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2.3.物理模型
GCR和SEP的高能性和强子性意味着入射到航天器中会与航天器材料发生复杂的物理过程, 并产生大量次级带电粒子. 将这些次级带电粒子追踪到尽可能低的能量, 就能更加准确的模拟测试质量的充电过程. 本文利用GEANT4模拟包含从数百eV到TeV能量范围的物理模型, 并且对每个粒子和它产生的所有次级粒子进行全程跟踪. 不同种类和能量的粒子与相应物理过程紧密联系, 考虑的物理过程为: 低能电磁过程、强子过程、衰变过程和光核过程, 随着粒子能量的增高与其对应的物理过程也不断变化. 对于低能电磁过程, GEANT4默认电磁过程次级粒子(e–, e+, γ)产生最低阈值为250 eV(对应的截断长度约为50 nm), 低于这个能量的粒子将不再进行跟踪.-->
3.1.GEANT4不同截断长度的充电模拟
在GEANT4中, 电磁过程产生次级粒子的最低阈值为250 eV. 本文利用太阳活动极小年质子能谱对不同截断长度下的测试质量充电率进行模拟计算, 当50万质子入射航天器模型, 分别得到截断长度为1 mm, 100 μm, 10 μm, 1 μm, 100 nm和50 nm时的充电速率, 如图6所示.图 6 不同截断长度的充电速率
Figure6. Charging rate with different cut-off lengths.
如图6所示, 不同截断长度对太阳活动极小年质子的充电速率会产生影响, 总体来说, 截断长度越低(次级粒子产生的能量阈值越低)模拟得到的充电速率会越高. 在截断长度为50 nm时充电速率最大, 为32.821 +e/s. 随着截断长度的减小, 截断长度从1 mm减小到50 nm充电率增长了8.74%. 表明截断长度的变化不会显著的影响测试质量的充电速率.
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3.2.太阳活动极大、极小年GCR和SEP的充电模拟
在太阳活动极小年下, 仿真模拟的宇宙线Proton, 3He, 4He, C, N, O, Ne, Mg, Si和Fe粒子的参数如表4所列, 获得这些粒子入射到航天器后造成测试质量的充电速率如图7所示. 因为C, N和O等重离子在银河宇宙线总的通量占比仅为1%, 与Proton, 3He和4He相比可以忽略, 导致各重离子入射航天器得到测试充电率非常小, 所以在太阳极大年将不考虑重离子的贡献, 仅考虑Proton, 3He和4He对充电率的贡献. 在太阳活动极大年下, 仿真模拟的宇宙线Proton, 3He和4He粒子的参数如表5所列, 获得这些粒子入射到航天器后造成测试质量的充电率分布如图7所示.粒子种类 | 粒子数目/个 | 暴露时间/s | 积分通量/(cm–2·s–1) |
Proton | 700000 | 353.65 | 4.375 |
3He | 100000 | 3563.35 | 0.062 |
4He | 120000 | 806.26 | 0.329 |
C | 100000 | 21052.63 | 0.0105 |
N | 100000 | 77561.47 | 0.00285 |
O | 100000 | 22128.79 | 0.00999 |
Ne | 10000 | 13644.98 | 0.00162 |
Mg | 10000 | 10476.25 | 0.00211 |
Si | 10000 | 14542.70 | 0.00152 |
Fe | 10000 | 19562.20 | 0.00113 |
表4太阳极小年宇宙线主要粒子仿真参数
Table4.The main particle simulation parameters of cosmic rays during solar minimum.
图 7 宇宙线各粒子的充电率 (a) 太阳活动极小年; (b) 太阳活动极大年
Figure7. The charging rate of each particle of cosmic rays: (a) Solar minimum year; (b) solar maximum year.
粒子种类 | 粒子数目/个 | 暴露时间/s | 积分通量/(cm–2·s–1) |
Proton | 700000 | 353.65 | 4.375 |
3He | 100000 | 3563.35 | 0.062 |
4He | 120000 | 806.26 | 0.329 |
表5太阳极大年宇宙线主要粒子仿真参数
Table5.The main particle simulation parameters of cosmic rays during solar maximum.
如图7所示, 在太阳活动极小年银河宇宙线各粒子入射的总充电速率为39.469 +e/s: 入射Proton的充电速率为32.821 +e/s; 入射3He的充电速率为1.166 +e/s; 入射4He的充电速率为5.024 +e/s; 入射其它重离子的充电速率为0.458 +e/s. 其中质子充电率占比83.16%; 3He的充电率占比为2.95%; 4He的充电率占比为12.73%; 其它重离子的充电率占比为1.16%. 在太阳活动极小年, Proton的充电速率贡献占主导地位, 质子和4He的充电速率贡献占总充电速率的95.89%, 其他重离子的贡献仅占充电率的1.16%, 可以忽略.
在太阳活动极大年银河宇宙线各主要贡献粒子入射的总充电速率为12.531 +e/s: 入射Proton的充电速率为9.143 +e/s; 入射3He的充电速率为0.435 +e/s; 入射4He的充电速率为2.953 +e/s. 太阳活动极大年的总充电率为太阳极小年(GCR最恶劣情况)的三分之一. 其中质子充电率占比72.96%; 3He的充电率占比为3.47%; 4He的充电率占比为23.57%. 可以看到, 太阳活动极大年质子的充电率贡献占比最大, 质子和4He的充电速率贡献占总充电速率的96.53%.
1989年9月29日SEP峰值能谱模拟仿真参数如表6所列, 模拟了能量范围为0.1—30 GeV的太阳质子. 仿真得到在1989年9月29日的太阳爆发极端环境下的充电速率为120700 +e/s, 是太阳活动极小年时充电率的3000多倍. 对于零星发生的SEP事件, 对航天器造成极大的充电风险, 极短的时间内就会达到引力波探测能忍受的最大加速度噪声.
粒子种类 | 粒子数目/个 | 暴露时间/s | 积分通量/(cm–2·s–1) |
Proton | 500000 | 0.150 | 7385.53 |
表61989年9月29日太阳高能粒子事件仿真参数
Table6.Simulation parameters of the SEP event on September 29, 1989.
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3.3.太阳活动极小年GCR初、次级粒子贡献和充电能力模拟
在太阳活动极小年, 计算了银河宇宙线各粒子入射航天器产生的初、次级粒子造成的测试质量充电速率, 如表7所列. 宇宙线各粒子的初级粒子充电速率比例都占总充电率的60%以上(除通量过小的Fe). 对于充电率贡献最大的质子和4He, 初级粒子充电率占比分别为67.07%和100%. 所有宇宙线的初级粒子充电率占比为72.86%, 表明测试质量充电速率的主要贡献来源于初级粒子直接沉积在测试质量中.粒子 种类 | 初级粒子充电 率/(+e·s–1) | 次级粒子充电 率/(+e·s–1) | 初级粒子 充电率占比 |
Proton | 22.016 | 10.805 | 67.07% |
3He | 1.196 | –0.029 | 100% |
4He | 5.125 | –0.100 | 100% |
C | 0.182 | 0.023 | 88.78% |
N | 0.042 | 0.009 | 82.35% |
O | 0.123 | 0.020 | 86.01% |
Ne | 0.0132 | 0.0026 | 83.54% |
Mg | 0.0137 | 0.0064 | 68.16% |
Si | 0.0087 | 0.0058 | 60% |
Fe | 0 | 0.0084 | 0% |
表7宇宙线初、次级粒子造成的充电率
Table7.Charge rate caused by primary and secondary particles of cosmic rays.
如图8所示, 在太阳活动极小年, 模拟计算得到宇宙线各粒子的充电能力. 值得注意的是, 在初级宇宙线中占比为8%的He(3He和4He), 贡献了总充电率为15.68%; 在初级宇宙线中占比为1%的重粒子, 贡献了总充电率的1.16%. 针对ASTROD I也有类似的结果[11]. 这是由于银河宇宙线入射航天器测试质量的充电能力不同(各粒子的电离能力和射程的不同), 4He充电能力约为质子的2倍, 重粒子的充电能力基本都大于质子的充电能力.
图 8 宇宙线各粒子的充电能力
Figure8. The charging ability of each particle of the cosmic ray
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3.4.太阳活动极小年GCR质子不同能量段的充电模拟
在太阳活动极小年, 仿真模拟从0.1—100 GeV范围内不同能量的银河宇宙线质子各向同性入射到航天器模型, 对于每个单能点仿真模拟10000个事例(其它条件与能谱仿真时保持相同), 得到了不同能量质子的充电能力(单个粒子入射造成的测试质量净充电个数). 如图9所示, 能量为200 MeV时充电能力有峰值0.0498 +e/primary, 在高能部分(大于10 GeV)充电能力迅速增大为另一个峰值0.2077 +e/primary.图 9 太阳活动极小充电能力 (a) 不同能量充电能力和质子通量; (b) 充电能力和结合质子通量的总充电比例
Figure9. Solar minimum charging capacity: (a) Different energy charging capacity and proton flux; (b) charging capacity and total charge ratio of combined proton flux.
结合太阳活动极小年时入射的质子能谱, 可以得到对于太阳极小年不同能量的初级宇宙线质子对测试质量充电的贡献. 设仿真模拟的粒子数为N0, 测试质量的净充电个数为N, 充电能力为CA, 充电率为CR, 各能量点质子的微分通量为F, 各向同性粒子出射的半径为R.
由(2a)式和(2b)式得到(3)式, 可以反应不同能量下的充电率贡献. 结合质子能谱的初级宇宙线质子对测试质量充电的贡献如图9所示, 充电能力峰值的高能部分由于能谱通量远低于低能部分, 导致最终的充电率贡献很低. 计算可以得到, 在能量区间0.1—10 GeV内, 对测试质量充电的占比约为94%. 在能量区间0.1—1 GeV, 对测试质量充电的占比约为65%. 仿真结果可为在轨粒子探测器的设计提供依据.