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三元Hf-C-N体系的空位有序结构及其力学性质和电子性质的第一性原理研究

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:采用第一性原理方法, 研究了三元Hf-C-N体系的空位有序结构及其力学性质和电子性质. 首先采用第一性原理和进化算法, 预测得到8种可能存在的热力学稳定的Hf-C-N空位有序结构; 这些结构都具有岩盐结构, 与实验发现的无序固溶体的结构类型一致. 本文的预测结果证明了Hf-C-N空位化合物能够以有序结构形式存在, 空位与C, N原子都位于[Hf6]八面体间隙, 这一结构特点与HfCx的相同. 然后采用第一性原理方法, 计算了Hf-C-N空位有序结构的力学性质, 发现除C∶N = 1∶4外, 相同C/N下, 随着空位浓度的增大, Hf-C-N的体模量、剪切模量、弹性模量、Pugh比、维氏硬度等降低; 而Hf6CN4 (空位浓度为1/6)的维氏硬度高于Hf5CN4 (无空位), 表现出空位硬化现象. 最后, 计算了Hf-C-N空位有序结构的态密度和晶体轨道哈密顿分布, 发现其具有强共价性和金属性; 且随着空位浓度增大, 总体键强减弱, 因而模量减小.
关键词: Hf-C-N空位有序结构/
空位/
维氏硬度/
第一性原理方法

English Abstract


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碳化铪和氮化铪作为典型的超高温陶瓷材料, 具有非常优良的综合性能, 如非常高的熔点、高强度、高硬度、良好的导电导热性和化学稳定性等, 因而可用于飞行器鼻锥、机翼前缘、热结构防护、发动机热端和推进系统等的关键部位或部件[1-4]. 另外, 由于优异的抗腐蚀性、黏附性和高硬度等, 氮化铪可用作刀具防护的耐磨涂层[5]. 为了提高过渡金属碳、氮化合物的性质, 以满足对材料性能越来越高的要求, 研究者们常制备碳/氮化合物的超晶格结构[6,7]和纳米尺度复合材料[8,9]等, 以及采用空位强化[10-13]和合金化[14-19]等方法.
常温常压下, HfC和HfN均为B1型岩盐结构, 铪原子形成面心立方结构, 碳、氮原子处于[Hf6]八面体间隙. HfC和HfN可形成三元无限固溶体, 且实验和理论上发现三元Hf-C-N体系具有更好的力学性质[14-19]. 例如, Holleck[14]研究了HfC1–xNx的微观硬度与组分之间的关系, 发现HfN的含量x = N/(C + N) = 0.4时, 微观硬度最大. Yang等[15]研究得到x = 0.2—0.6时, HfC1–xNx的剪切模量、弹性模量、体模量最大, 而纳米硬度和显微硬度随着HfN含量的增大而减小. 理论上, Jhi等[16]采用第一性原理方法, 研究得到x = 0.4时, HfC1–xNx的剪切模量最大. Feng等[17]和Balasubramanian等[18]采用第一性原理方法, 计算了HfC1–xNx的力学性能和电子性质随组分变化的关系, 发现x = 0.25时, HfCxN1–x的弹性模量和硬度最大. Peng和Tikhonov[19]采用第一性原理和进化算法, 研究了HfC1–xNx的结构、力学性质等随组分的变化, 发现x = 0.25—0.3时, HfC1–xNx的剪切模量、弹性模量、维氏硬度等最大, 断裂韧性也得到了改善. 因此, 相比于二元化合物, 三元Hf-C-N体系的模量、硬度和韧性等都提高了; 合金化是改善力学性能的一种有效方法.
实际上, 二元及以上过渡金属碳/氮和碳氮化合物都存在一定浓度的空位, 被称为强非化学计量比化合物. Gusev等[20]发现在一定条件下, 空位会重新分布, 晶体结构发生改变, 即形成了空位有序结构. 强非化学计量比化合物的性质将受到空位浓度及其分布(有序无序性)等影响[11,14,20-23]. Rudy[22]研究发现Hf-C体系中, HfC0.94的熔点最高. Holleck[14]研究发现随着空位浓度的减小, TaNx, TaCx, NbNx和NbCx的微观硬度先增加后减小; 而TiCx, ZrCx, HfCx, TiNx和ZrNx的微观硬度随着空位浓度的减小而增大. Jhi等[11]采用第一性原理方法, 分别研究了Ti-N和Nb-C体系的剪切性质和电子性质, 发现空位对Ti-N和Nb-C体系的力学性质产生了完全不同的影响, 即空位硬化和软化, 且与Holleck[14]的实验结果一致. Gusev等[20]在著作中总结了二元强非化学计量比化合物的有序结构, 并分析了空位有序性对性质的影响.
近年来研究人员采用第一性原理结合晶体结构预测等方法, 对二元过渡金属碳/氮化合物的有序结构进行了大量研究[24-38]. 基于第一性原理和进化算法, Yu等[24-26]和Xie等[27,28]分别采用晶体结构预测软件USPEX[39-41], 对过渡金属碳化物(TM = Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta等)的结构进行了预测, 发现了一系列含阴离子空位的结构, 包括TM2C, TM3C2, TM4C3, TM5C4, TM6C5, TM7C6和TM8C7等, 并研究了空位对结构和力学性质的影响. Zhang等[29]和Gunda等[30]分别采用CE方法[31]预测了ZrCx和TiCx的结构, Weinberger和Thompson[32]基于有序参数函数方法[33]预测了第IVB, VB族过渡金属碳化物的稳定结构. 基于第一性原理和进化算法, Yu等[34,35]和Fan等[36]分别预测了TiNx, ZrNx和HfNx的结构, 除了含阴离子空位的化合物外, 还发现含过渡金属空位的结构如Zr15N16, Zr7N8, Zr4N5, Hf4N5和Hf5N6等, 并研究空位对力学性质等的影响. 采用USPEX[39-41], Zhao等[37]和Li等[38]分别预测了Nb-N和Ta-N体系的稳定结构.
然而, 目前关于三元过渡金属碳/氮化合物空位有序结构及性质的报道还很少. Rudy[42]采用X射线粉末图谱法研究了Ta2VC2的结构, 空间群为$ R \overline {3} m$, 然而XRD无法判断碳原子和碳原子空位的具体分布情况. Erniraliev等[43]在TixV1–xC0.5 (0.2 < x < 0.3)固溶体中, 发现了一种anti-CaCl2型的有序结构. Karimov等[44]和Em等[45]采用中子衍射方法研究了MCxNy (M = Ti, Zr)体系, 发现空位浓度较小时, 不存在有序结构; x + y < 0.74时, 发现有序结构$Fd \overline {3} m$. Em和Tashmetov[46]采用中子衍射方法, 发现TiCxNy (x + y ≈ 0.63)中存在两种有序结构-立方晶系(空间群为$Fd \overline {3} m$)和三方晶系(空间群为$ R \overline {3} m$P3121). Rudy[22]研究了高温下Hf-Ta-C体系的结构和性质, 发现许多含空位的三元化合物, 均为具有岩盐结构或Ta2C型的无序固溶体, 但没有发现有序结构. Binder等[47]研究了1423 K时, Ti-C-N, Zr-C-N和Hf-C-N体系的相平衡区间, Ti(CxN1–x)1–y, Zr(CxN1–x)1–y, Hf(CxN1–x)1–y均是B1型无序结构. Yang等[15]研究了Ti(CxN1–x)0.81的微观硬度、纳米硬度、体模量、剪切模量、弹性模量等, 但没有给出Ti(CxN1–x)0.81的结构类型. Hong和van de Walle等[48]采用从头算分子动力学方法, 模拟了含阴离子空位的Hf-C-N和Hf-Ta-C体系的熔点, 使用的均是B1型超胞结构. Buinevich等[49]合成了非化学计量比化合物HfC0.5N0.35, 为B1型无序结构, 并测得其熔点大于HfC0.98的, 维氏硬度为21.3 GPa, 断裂韧性为4.7 MPa·m1/2. 因而, 实验上要研究三元过渡金属碳/氮化合物的有序结构非常困难, 第一性原理结合晶体结构预测是一种有效方法.
综上所述, 三元过渡金属碳氮化合物的性质除了受到化学组成的影响外, 还将受到空位的浓度及其分布等的影响. 为了研究三元Hf-C-N体系, 建立组分-结构-性质的关系, 必须考虑空位对结构及性质的影响. 然而, 目前实验和理论上, 很少关于三元Hf-C-N空位有序结构、力学性质及其关系的研究报道. 本文基于第一性原理和进化算法, 采用晶体结构预测软件USPEX[39-41]—已成功应用于二元过渡金属碳/氮化合物及许多新结构的预测[24-28,34-41], 搜索了三元Hf-C-N的空位有序结构, 研究了空位、化学组成等对力学性质的影响. 为该材料的实验合成、制备和应用等提供了理论指导和依据, 也为其他三元过渡金属碳氮化合物的研究提供了借鉴.
晶体结构预测软件USPEX[39-41]预测材料结构时, 模仿生物进化机制, 基于进化算法, 采用随机生成、遗传、变异等操作产生结构; 然后, 基于能量、硬度或体积等, 搜索得到满足目标函数(如能量最低)的晶体结构. USPEX[39-41]可以直接从材料的化学元素组成出发, 无需其他实验数据, 即可预测得到其结构. 根据无偏差测试[50], USPEX[39-41]在计算效率和可靠性上都优于其他晶体结构预测方法.
采用USPEX[39-41]分别搜索了Hf6C4N, Hf6C3N, Hf6C3N2, Hf4C2N, Hf3CN, Hf5C2N2, Hf4CN2, Hf6C2N3, HfCN3和Hf6CN4等组分的结构, 单胞中原子数分别为22, 20, 22, 14, 10/20, 22, 14, 22, 20和22. 初始结构(共60个)由USPEX[39-41]随机产生, 从第2代开始, 每代结构(共50个)分别由遗传(40%)、软模变异(20%)、晶格变异(10%)、原子位置交换(10%)、随机(20%)等进化操作产生. 对USPEX[39-41]产生的每个结构, 采用VASP软件[51]计算其能量, 筛选出能量最低的结构. 当连续20代能量最低的结构相同, 或搜索了30代结构时, 计算停止.
然后, 采用VASP软件[51]对Hf-C-N各组分能量最低结构进一步进行结构优化和性质计算. 结构优化时, 离子实与价电子之间的相互作用, 采用投影缀加波方法[52]进行描述, 截断能为600 eV, 电子与电子间交换关联能采用GGA-PBE[53]方法进行处理. 布里渊区高对称点间距为2π × 0.018 ?–1. 能量收敛判据为: 能量差为10–8 eV/atom, 压力差为10–3 eV/?. 基于“凸包结构”判断得到热力学稳定结构, 即某一结构分解为任意其他结构时, 分解能为正, 则该结构为热力学稳定结构. 然后, 采用VASP软件[51]计算弹性常数, 根据经验公式[54-58]计算得到体模量、剪切模量、弹性模量、泊松比、维氏硬度、Pugh比等. 最后, 基于密度泛函微扰理论, 采用Phonopy软件[59]计算Hf-C-N空位有序结构的声子谱曲线, 判断晶格动力学稳定性. 采用VESTA软件[60]画出其晶体结构和模拟X射线衍射图谱. 采用LOBSTER软件[61]计算Hf-C-N空位有序结构的晶体轨道哈密顿分布(–COHP).
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3.1.晶体结构预测及Hf-C-N空位有序结构
-->由于Hf-C-N体系的性质受到空位浓度的影响, 首先采用空位调控的方法, 对三元Hf-C-N体系的组分进行设计, 采用晶体结构预测软件USPEX[39-41]结合VASP[51], 搜索了三元空位有序结构. 图1(a)为三元Hf-HfC-HfN体系的能量凸包图, 反应焓ΔH (eV/atom)的计算公式如下:
图 1 (a) 常压下, 三元Hf-HfC-HfN体系的能量凸包图, 黑色球表示热力学稳定结构, 其他为亚稳结构; (b) Hf-C-N空位有序结构的X射线衍射模拟图谱, 衍射源为Cu Kα射线
Figure1. (a) Enthalpy convex-hull of ternary Hf-HfC-HfN system at ambient pressure. The black sphere indicates stable structure, and others are metastable structure. (b) The simulated X-ray diffractions of Hf-C-N vacancy ordered structures with a copper Kα X-ray source.

$ \begin{split}&\Delta H\left( {{\rm{Hf}}{{\rm{C}}_x}{{\rm{N}}_y}} \right) = H\left( {{\rm{Hf}}{{\rm{C}}_x}{{\rm{N}}_y}} \right) -[ xH\left( {{\rm{HfC}}} \right) \\&\quad+ yH\left( {{\rm{HfN}}} \right) + \left( {1- x- y} \right)H\left( {{\rm{Hf}}} \right)].\end{split}$
根据“凸包结构”判据, 如图1(a)所示, 除文献[19]中报道的不含空位的HfC1–xNx外, 本文还预测得到了8种可能存在的热力学稳定的空位有序结构, 其化学式、反应焓ΔH (eV/atom)和空位浓度等, 如表1所列. 就我们所知, 目前还没有关于三元Hf-C-N空位有序结构的报道, 本文预测得到的这些稳定结构都是第一次被发现的. 且本文预测得到了Hf-C-N空位有序结构的晶体学数据, 如空间群、晶格常数等, 如表1所列.
CompoundSpace groupLattice constants/?ΔH/(eV·atom–1)CNCV
Hf6C4N$C2 $/ma = 5.679, b = 9.799, c = 5.671, β = 70.6o–0.089951/6
Hf6C3N$C2 $a = 5.658, b = 9.763, c = 9.262, β = 144.8o–0.098041/3
Hf6C3N2$C2 $ma = 5.660, b = 9.783, c = 5.619, β = 109.6o–0.103851/6
Hf3CN$C2 $a = 5.632, b = 9.705, c = 5.625, β = 109.8o–0.110741/3
Hf6C2N3$C2 $a = 5.624, b = 9.725, c = 5.602, β = 109.6o–0.104751/6
Hf4CN2Cmmma = 6.427, b = 9.147, c = 3.235–0.10824/51/4
Hf6CN3$C2 $/ma = 5.592, b = 9.658, c = 6.455, β = 125.3o–0.089441/3
Hf6CN4$C2 $/ma = 5.580, b = 9.681, c = 5.587, β = 70.3o–0.081551/6


表1Hf-C-N空位有序结构的空间群、晶格常数、反应焓ΔH (eV/atom)、Hf原子的配位数(CN) 和空位浓度(CV)
Table1.Space group, lattice constants, the enthalpy of reaction ΔH (eV/atom), coordination number (CN) of Hf and the concentration of vacancy (CV) of Hf-C-N vacancy ordered structures.

图1(b)为Hf-C-N空位有序结构的X射线衍射模拟图谱, 三元化合物的衍射峰形状与HfC, HfN的相同, 且衍射角位于HfC, HfN的衍射角之间; 即结构与HfC和HfN的结构相同, 都具有岩盐结构. 此结果与Binder等[47]和Buinevich等[49]发现的Hf-C-N无序固溶体的结构类型一致. 本文的理论预测结果证明了Hf-C-N空位化合物能够以有序结构的形式存在.
图2为Hf-C-N空位有序结构某一晶面上的空位分布, 黑色方框表示空位, 取代的是部分C和N原子的位置; 即对于Hf-C-N化合物, 原子数比Hf/(C + N)小于化学计量比1∶1时, 空位占据剩余C和N原子的晶格位置. 则C和N原子的配位数均为6, 而Hf的配位数小于6, Hf原子的配位数如表1所列. 与二元HfCx[24-28]的结构相似, 过渡金属原子形成[Hf6]八面体, 八面体共棱连接, C, N原子和空位都处于八面体间隙位置. 图3为Hf-C-N空位有序结构的声子谱曲线, 在布里渊区(高对称点路径采用SeeK-path软件[62]得到), 都不存在虚频, 证明这些结构都是晶格动力学稳定的.
图 2 Hf-C-N空位有序结构在某一晶面上的空位分布 (a) Hf6C4N-$C2 $/m (0 0 1); (b) Hf6C3N-$C2 $ (1 0 0); (c) Hf6C3N2-$C2 $/m (1 0 0); (d) Hf3CN-$C2 $ (1 0 0); (e) Hf6C2N3-$C2 $ (1 0 0); (f) Hf4CN2-Cmmm (0 0 1); (g) Hf6CN3-$C2 $/m (1 0 0); (h) Hf6CN4-$C2 $/m (0 0 1)
Figure2. Vacancies on the crystallographic plane: (a) Hf6C4N-$C2 $/m (0 0 1); (b) Hf6C3N-$C2 $ (1 0 0); (c) Hf6C3N2-$C2 $/m (1 0 0); (d) Hf3CN-$C2 $ (1 0 0); (e) Hf6C2N3-$C2 $ (1 0 0); (f) Hf4CN2-Cmmm (0 0 1); (g) Hf6CN3-$C2 $/m (1 0 0); (h) Hf6CN4-$C2 $/m (0 0 1).

图 3 Hf-C-N空位有序结构的声子谱曲线 (a) Hf6C4N-$C2 $/m; (b) Hf6C3N-$C2 $; (c) Hf6C3N2-$C2 $/m; (d) Hf3CN-$C2 $; (e) Hf6C2N3-$C2 $; (f) Hf4CN2-Cmmm; (g) Hf6CN3-$C2 $/m; (h) Hf6CN4-$C2 $/m
Figure3. Phonon dispersion curves of (a) Hf6C4N-$C2 $/m, (b) Hf6C3N-$C2 $, (c) Hf6C3N2-$C2 $/m, (d) Hf3CN-$C2 $, (e) Hf6C2N3-$C2 $, (f) Hf4CN2-Cmmm, (g) Hf6CN3-$C2 $/m, (h) Hf6CN4-$C2 $/m. They are all dynamical stable because no imaginary frequencies were found in Brillouin zone.

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3.2.Hf-C-N空位有序结构的力学性质
-->首先采用VASP软件[51]计算了Hf-C-N空位有序结构的弹性常数, 如表2所列, 这些结构的弹性常数都满足Born判据[63], 即都是力学稳定的. 再根据计算的弹性常数, 基于Voigt-Reuss-Hill近似[54-56], 得到体模量B、剪切模量G、弹性模量E、泊松比等. 采用Chen-Niu模型[57], 计算Hf-C-N空位有序结构的维氏硬度HV, 计算公式如下:
CompoundsC11C22C33C44C55C66C12C13C23
Hf6C4N-$C2 $/m414.3406.6415.6158.0170.6148.794.1116.1104.5
Hf6C3N-$C2 $358.5362.8352.2100.0114.3132.387.598.391.6
Hf6C3N2-$C2 $/m414.6417.4407.6152.2157.6147.8111.9115.0116.3
Hf3CN-$C2 $354.5363.5348.790.6103.6128.7102.1109.5101.3
Hf6C2N3-$C2 $409.7418.7418.1149.6160.2148.9123.4122.9126.5
Hf4CN2-Cmmm373.4368.8406.8142.2133.1135.8146.4112.0124.4
Hf6CN3-$C2 $/m361.1358.4351.784.999.8124.9108.1121.7114.2
Hf6CN4-$C2 $/m401.2414.1403.5146.5157.2139.8134.0139.9147.8


表2Hf-C-N空位有序结构的弹性常数Cij (单位: GPa)
Table2.Calculated elastic constants Cij (in GPa) of Hf-C-N vacancy ordered structures.

${H_{\rm{V}}} = 2{\left( {{k^2}G} \right)^{0.585}} - 3, $
其中Pugh比[58]k = G/B.
Hf-C-N空位有序结构的力学性质如表3所列, 可以看到这些结构都具有非常高的体模量、剪切模量、弹性模量和维氏硬度等. 为了对比, HfC1–xNx的力学性质也在表3中列出, 尽管这些结构的力学性质已经在文献[19]中被报道了.
CompoundB /GPaG /GPaE /GPaμG/BHV /GPa
Hf6C4N229.0140.8350.60.24490.614817.5
Hf5C4N[19]260.6201.3480.30.19280.772729.9
Hf6C3N180.9121.5297.90.22560.671717.8
Hf4C3N[19]262.2202.1482.40.19340.770729.9
Hf6C3N2214.0151.1366.90.21430.705922.1
Hf3CN188.0113.4283.30.24890.603114.6
Hf2CN[19]268.1198.5477.60.20310.740328.1
Hf6C2N3221.3149.7366.60.22390.676620.7
Hf4CN2212.7132.8329.70.24170.624217.1
Hf3CN2[19]272.8185.1452.80.22330.678623.9
Hf6CN3195.4108.9275.60.26500.557412.7
Hf4CN3[19]276.2179.6442.80.23280.650422.2
Hf6CN4207.2156.1374.40.19890.753524.6
Hf5CN4[19]279.0171.5427.00.24490.614720.0


表3Hf-C-N空位有序结构和HfC1–xNx[19]的力学性质—体模量(B)、剪切模量(G )、弹性模量(E )、泊松比(μ)、Pugh比(G/B)、维氏硬度(HV)等
Table3.Mechanical properties—bulk modulus (B), shear modulus (G ), elastic modulus (E ), Poisson’s ratio (μ), Pugh’s ratio (G/B), Vickers hardness (HV) of Hf-C-N vacancy ordered structures and HfC1–xNx[19].

图4为三元Hf-HfC-HfN体系的力学性质-组分相图, 其中包括三元空位有序结构, Hf-C, Hf-N体系和HfC1–xNx等的性质[19,25,36]. 从图4可以看到: 相同C/N比下, 随着空位浓度的增大, 体模量、剪切模量、弹性模量等减小; 如图5图6所示, 空位浓度增大, Hf-C-N化合物的有效价电子浓度及总体键强减弱, 材料抵抗外力的能力减小, 则Hf-C-N化合物的模量减小. 然而, Hf6CN4 (空位浓度为1/6)的维氏硬度和Pugh比大于Hf5CN4(无空位)的维氏硬度和Pugh比, 表现出空位硬化现象; 而其他组分下, C/N比相同时, 维氏硬度和Pugh比等随空位浓度的增大而减小. 如图4(f)所示, 泊松比的变化规律与Pugh比的正好相反.
图 4 三元Hf-HfC-HfN体系的力学性质-组分相图 (a) 体模量(B); (b) 剪切模量(G ); (c) 弹性模量(E ); (d) 维氏硬度(HV); (e) Pugh比(G/B); (f) 泊松比(μ)
Figure4. Mechanical properties-composition diagrams of ternary Hf-HfC-HfN system: (a) Bulk modulus (B); (b) shear modulus (G ); (c) elastic modulus (E ); (d) Vickers hardness (HV); (e) Pugh’s ratio (G/B); (f) Poisson’s ratio (μ).

图 5 (a) Hf6C4N-$C2 $/m, (b) Hf6C3N-$C2 $, (c) Hf6C3N2-$C2 $/m, (d) Hf3CN-$C2 $, (e) Hf6C2N3-$C2 $, (f) Hf4CN2-Cmmm, (g) Hf6CN3-$C2 $/m和(h) Hf6CN4-$C2 $/m的态密度和分态密度; (i) Hf3CN和Hf2CN的总态密度对比; 其中Fermi能级位于0 eV
Figure5. Density of state (DOS) and partial density of state (PDOS) normalized by per HfCxNy of (a) Hf6C4N-$C2 $/m, (b) Hf6C3N-$C2 $, (c) Hf6C3N2-$C2 $/m, (d) Hf3CN-$C2 $, (e) Hf6C2N3-$C2 $, (f) Hf4CN2-Cmmm, (g) Hf6CN3-$C2 $/m and (h) Hf6CN4-$C2 $/m; (i) the total DOS of Hf3CN and Hf2CN normalized by per HfCxNy. The Fermi level is at 0 eV.

图 6 Hf-C-N化合物的晶体轨道哈密顿分布(–COHP), Fermi能级位于0 eV
Figure6. Crystal orbital Hamilton populations (–COHP) of Hf-C-N compounds. The Fermi level is at 0 eV.

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3.3.Hf-C-N空位有序结构的电子性质
-->为了分析Hf-C-N空位有序结构的成键特性和空位对电子性质的影响, 对其态密度、分态密度和晶体轨道哈密顿分布进行了计算. 图5(a)(h)为Hf-C-N空位有序结构的态密度和分态密度图, 在能级为–8至–2 eV, Hf-d轨道与C-p和N-p轨道之间存在大量重叠, 即存在强的杂化作用, 则Hf—C和Hf—N键存在强的共价性. 这是Hf-C-N空位有序结构具有非常高的模量和硬度的原因. 同时, 在Fermi面上存在自由电子, 证明其具有金属性. 这些成键特点和二元过渡金属碳、氮化合物[24-28]及HfC1–xNx[19]的相同. 对比Hf2CN (不含空位, 该结构及其电子性质已在文献[19]中报道)和Hf3CN (空位浓度为1/3)的总态密度, 分析空位对态密度的影响, 如图5(i)所示: 可以看到两者价电子的能级排布基本不变, 然而Hf3CN各能级处对应的价电子状态数小于Hf2CN的; 这是由于空位存在, Hf3CN的有效价电子浓度(VEC为7)小于Hf2CN的(VEC为8.5). 而空位对其他Hf-C-N空位有序结构的态密度也存在相似的影响.
图6为Hf-C-N空位有序结构的晶体轨道哈密顿分布(–COHP), 同时对比了HfC1–xNx的–COHP. 图6中, 正值表示成键态, 负值表示反键态. 从图6可以看到, Hf-C-N空位有序结构与HfC1–xNx的–COHP相似, 杂化能级(–8 — –2 eV)范围内, 存在宽的成键区域, 即具有强的共价性, 与态密度的计算结果一致. –COHP的积分用ICOHP表示, ICOHP反映了化学键的强弱. 表4为Hf-C-N化合物的Hf—C, Hf—N和Hf—Hf键的–ICOHP的大小, 可以看到: 相同C/N比下, 含空位化合物(如Hf3CN)的Hf—C键和Hf—N键的键强要比不含空位的(如Hf2CN)更强, 且Hf—Hf金属键也更强. 然而, 随着空位浓度增大, Hf—C键和Hf—N键的总键数目减小(如表1所列Hf的配位数小于6), 则总体键强减弱, 因此抵抗外力的能力减弱, Hf-C-N化合物的体模量、剪切模量和弹性模量随之减小.
Compound–ICOHPCompound–ICOHP
Hf—CHf—NHf—HfHf—CHf—NHf—Hf
Hf6C4N3.3733.5670.529Hf6C3N23.1812.9900.571
Hf5C4N3.3733.0330.459Hf4CN23.4743.1110.650
Hf6C3N3.3503.0670.718Hf3CN23.5513.0910.541
Hf4C3N3.3193.0290.454Hf6CN33.4083.2110.570
Hf6C3N23.6073.1030.530Hf4CN33.3213.1590.520
Hf3CN3.2773.2110.737Hf6CN43.6753.1790.591
Hf2CN3.4832.8020.490Hf5CN43.3193.0170.500


表4Hf-C-N化合物的晶体轨道哈密顿分布的积分值(–ICOHP)
Table4.Integrated crystal orbital Hamilton populations (–ICOHP) of Hf-C-N compounds.

本文采用空位调控方法, 对三元Hf-C-N体系的组分进行了设计; 采用第一性原理方法, 研究了Hf-C-N的空位有序结构及其力学性质和电子性质:
1) 搜索发现了8种新的Hf-C-N空位有序结构, 且都具有岩盐结构; 空位有序地分布在[Hf6]八面体间隙, 证明了Hf-C-N空位化合物可以以有序结构的形式稳定存在;
2) Hf-C-N空位有序结构具有非常高的模量和硬度; 相同C/N比时, 随着空位浓度的增大, 体模量、剪切模量、弹性模量减小;
3) 发现了一个空位硬化现象, Hf6CN4 (空位浓度为1/6)的硬度大于Hf5CN4(无空位)的硬度;
4) Hf-C-N空位有序结构的化学键具有强共价性和金属性. 随着空位浓度的增加, Hf—C和Hf—N共价键键强增大, 金属性增强, 但总体键强减弱, 使其模量减小.
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