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--> --> -->为了避免具有毒性的Pb元素, Sn基、Ag基、Sb基、Bi基、Cu基以及Ge基卤化物钙钛矿太阳能电池逐渐被广泛研究[10-12]. 其中, CH3NH3SnI3的光学带隙为1.3 eV, 被认为是取代卤化铅PSCs活性层的较佳材料[13]. 2019年Chen等[14]提出了以Cs2TiBr6为活性层的PSC器件, 并在实验上实现了3.3%的PCE. Chakraborty等[15]于2019年对以Cs2TiX6 (X = Br–, I–, F–, Cl–)为活性层的PSCs进行模拟仿真研究, 进一步通过理论探讨无铅钙钛矿太阳能电池结构的设计. 为了获得较佳的无机电荷传输材料, 具有高迁移率的氧化锌锡(zinc tin oxide, ZTO)薄膜被用作ETL进行器件设计, 并且取得了PCE为24.07%、开路电压Voc为1.13 eV、短路电流密度Jsc为23.18 mA/cm2、填充因子(fill factor, FF)为67.66%的J-V特性[16]. 通过控制添加到含有Cd离子和S离子溶液中的Zn的含量, 使硫化锌镉(cadmium zinc sulfide, Cd1–xZnxS)作为ETL的带隙可调, Cd1–xZnxS的带隙取决于Zn的浓度[13], 可调节的带隙改善了电池的性能. 2019年Lakhdar和Hima[17]对铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide, IGZO)、二氧化锡(stannic oxide, SnO2)、富勒烯([60]fullerene, C60)、TiO2以及氧化锌(zinc oxide, ZnO)作为ETL材料的Ge基钙钛矿太阳能电池进行了探讨, 并表明了C60作为ETL时, 数值模拟研究中可获得13.5%的PCE. 无机P型材料作为HTL不仅可以节省成本, 而且对电池性能的增强有一定的促进作用. 2019年Azri等[18]对氧化镍(nickel(II) oxide, NiO)、硫氰酸亚铜(cuprous thiocyanate, CuSCN)、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)(poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl), P3HT)及碘化亚铜(cuprous iodide, CuI)等无机材料与spiro-OMeTAD进行探讨和研究, 结果表明以CuSCN作为HTL时, 理论上可获得25.02%的PCE. 2018年, Sajid等[19]对以NiO为新型HTL材料的太阳能电池进行数值仿真, 旨在获得高性能的PSCs.
为探讨较为合适的载流子传输层材料以设计高性能的锡基PSCs, 本文以SCAPS-1D太阳能电池数值模拟软件为平台, 探讨结构为Glass/ FTO(SnO2∶F)/ETL/CH3NH3SnI3/HTL/Au的锡基PSCs的关键性能参数. 其中C60、硫化镉(cadmium sulfide, CdS)、Cd0.5Zn0.5S、IGZO、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester, PCBM)及ZnO被用作ETL进行电池结构设计, 并与传统的TiO2进行对比分析, 而氧化亚铜(copper(I) oxide, Cu2O)、CuI、CuSCN、MASnBr3、NiO、聚(3, 4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate), PEDOT:PSS)及spiro-OMeTAD分别作为HTL进行探讨与比较, 为设计出高性能的锡基PSCs电池提供理论指导.
2.1.器件结构及参数
为探讨锡基PSCs器件结构中, 不同材料作为ETL或HTL的性能差异以选取合适的材料作为相应的载流子传输层, 本文首先基于普遍常用的TiO2和spiro-OMeTAD分别作为ETL和HTL进行电池结构设计, 再分别设计不同的材料作为载流子传输层以进行对比分析. 本文设计的初始器件结构见图1, 由图可见, MASnI3作为光吸收层, SnO2:F和Au分别作为透明导电电极和金属背电极. 基本的仿真参数均从已经被报道的实验和理论研究中选取[13,18,20,21], 见表1. 其中, Thickness为厚度, Eg为禁带宽度, χ为电子亲和势, εr是相对介电常数, Nc和Nv分别是导带有效状态密度和价带有效状态密度, μn和μp分别代表电子和空穴迁移率, Nd和Na分别是施主掺杂浓度和受主掺杂浓度, Nt是缺陷浓度.![](https://wulixb.iphy.ac.cn/fileWLXB/journal/article/wlxb/2021/3/PIC/3-20201219-1_mini.jpg)
Figure1. Initial device structure.
Parameter | SnO2:F | TiO2 | MASnI3 | spiro-OMeTAD |
Thickness/nm | 500 [13] | 100 [21] | 500 [13] | 200 [18] |
Eg/eV | 3.5 [13] | 3.2 [18] | 1.3 [13] | 3.0 [20] |
χ/eV | 4.0 [13] | 3.9 [18] | 4.17 [13] | 2.45 [20] |
εr | 9.0 [13] | 9.0 [18] | 8.2 [13] | 3.0 [20] |
Nc/cm–3 | 1 × 1019 [13] | 1 × 1021 [18] | 1 × 1018 [13] | 1 × 1019 [21] |
Nv/cm–3 | 1 × 1019 [13] | 2 × 1020 [18] | 1 × 1018 [13] | 1 × 1019 [21] |
μn/(cm2·V·s–1) | 100 [13] | 20 [18] | 1.6 [13] | 0.0002 [20] |
μp/(cm2·V·s–1) | 25 [13] | 10 [18] | 1.6 [13] | 0.0002 [20] |
Nd/cm–3 | 2 × 1019 [13] | 1 × 1017 [18] | 0 [13] | 0 [20] |
Na/cm–3 | 0 [13] | 0 [18] | 1 × 1016 [13] | 2 × 1018 [20] |
Nt/cm–3 | 1 × 1015 [18] | 1 × 1015 [18] | 1 × 1015 [13] | 1 × 1015 [20] |
表1基本仿真参数
Table1.Basic simulation parameters.
另外, 将钙钛矿吸收层的缺陷类型设置为高斯、中性, 特征能为0.1 eV, 能级位于价带之上0.6 eV. 为使仿真结果更贴合实际[13,22-24], 在ETL和钙钛矿层以及钙钛矿层和HTL之间分别插入两层界面层, 两层界面层的缺陷类型均设置为单一、中性, 能级位于价带之上0.6 eV. 仿真过程是在AM1.5G的太阳能照明、100 mW/cm2的入射功率密度下进行.
为了与以TiO2和spiro-OMeTAD作为载流子传输层的PSCs进行性能比较, 本文分析了不同的材料作为ETL和HTL的电池结构的输出特性. 其中, 作为ETL用于分析研究的材料包括C60, CdS, Cd0.5Zn0.5S, IGZO, PCBM及ZnO, 而Cu2O, CuI, CuSCN, MASnBr3, NiO和PEDOT:PSS作为HTL材料与spiro-OMeTAD进行比较. 这些材料的仿真参数均根据已经被报道的实验和理论研究进行选取[13,17,18,20,25,26], 分别见表2和表3.
Parameter | C60 | CdS | Cd0.5Zn0.5S | IGZO | PCBM | ZnO |
Eg/eV | 1.7 [17] | 2.4 [25] | 2.8 [13] | 3.05 [18] | 2 [18] | 3.3 [17] |
χ/eV | 3.9 [17] | 4.2 [25] | 3.8 [13] | 4.16 [18] | 3.9 [18] | 4.1 [17] |
εr | 4.2 [17] | 10 [25] | 10 [13] | 10 [18] | 3.9 [18] | 9 [17] |
Nc/cm–3 | 8 × 1019 [17] | 2.2 × 1018 [25] | 1 × 1018 [13] | 5 × 1018 [18] | 2.5 × 1021 [18] | 4 × 1018 [17] |
Nv/cm–3 | 8 × 1019 [17] | 1.8 × 1019 [25] | 1 × 1018 [13] | 5 × 1018 [18] | 2.5 × 1021 [18] | 1 × 1019 [17] |
μn/(cm2·V·s–1) | 0.08 [17] | 100 [25] | 100 [13] | 15 [18] | 0.2 [18] | 100 [17] |
μp/(cm2·V·s–1) | 0.0035 [17] | 25 [25] | 25 [13] | 0.1 [18] | 0.2 [18] | 25 [17] |
Nd/cm–3 | 2.6 × 1018 [17] | 1 × 1017 [25] | 1 × 1017 [13] | 1 × 1018 [18] | 2.93 × 1017 [18] | 1 × 1018 [26] |
Na/cm–3 | 0 [17] | 0 [25] | 0 [13] | 0 [18] | 0 [18] | 0 [26] |
Nt/cm–3 | 1 × 1014 [17] | 1 × 1017 [25] | 1 × 1015 [13] | 1 × 1015 [18] | 1 × 1015 [18] | 1 × 1015 [26] |
表2不同ETL材料的参数
Table2.Input parameters of the proposed ETL materials.
Parameter | Cu2O | CuI | CuSCN | MASnBr3 | NiO | PEDOT:PSS |
Eg/eV | 2.17 [26] | 2.98 [18] | 3.4 [18] | 2.15 [13] | 3.8 [18] | 2.2 [18] |
χ/eV | 3.2 [26] | 2.1 [18] | 1.9 [18] | 3.39 [13] | 1.46 [18] | 2.9 [18] |
εr | 6.6 [20] | 6.5 [18] | 10 [18] | 8.2 [13] | 11.7 [20] | 3 [18] |
Nc/cm–3 | 2.5 × 1020 [20] | 2.8 × 1019 [18] | 1.7 × 1019 [18] | 1 × 1018 [13] | 2.5 × 1020 [20] | 2.2 × 1015 [18] |
Nv/cm–3 | 2.5 × 1020 [20] | 1 × 1019 [18] | 2.5 × 1021 [18] | 1 × 1018 [13] | 2.5 × 1020 [20] | 1.8 × 1018 [18] |
μn/(cm2·V·s–1) | 80 [20] | 0.00017 [18] | 0.0001 [18] | 1.6 [13] | 2.8 [20] | 0.02 [18] |
μp/(cm2·V·s–1) | 80 [20] | 0.0002 [18] | 0.1 [18] | 1.6 [13] | 2.8 [20] | 0.0002 [18] |
Nd/cm–3 | 0 [20] | 0 [18] | 0 [18] | 0 [13] | 0 [18] | 0 [18] |
Na/cm–3 | 1 × 1018 [26] | 1 × 1018 [18] | 1 × 1018 [18] | 1 × 1018 [13] | 1 × 1018 [18] | 3.17 × 1014 [18] |
Nt/cm–3 | 1 × 1015 [26] | 1 × 1015 [18] | 1 × 1014 [18] | 1 × 1015 [13] | 1 × 1014 [18] | 1 × 1015 [18] |
表3不同HTL材料的参数
Table3.Input parameters of the proposed HTL materials.
2
2.2.数值仿真
本文采用一维太阳能电池仿真软件SCAPS-1D进行数值研究[25], SCAPS-1D基于半导体器件边界条件、泊松方程、电子及空穴连续性方程, 求解电子和空穴的准费米能级、器件特定位置的静电势等, 进一步可以对电池器件进行电容-频率、电容-电压、光谱响应以及电流-电压特性的模拟计算. 其中, 泊松方程、电子及空穴连续性方程分别如(1)—(3)式所示:![](https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/3-20201219_Z-20210125014424-1.png)
![](https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/3-20201219_Z-20210125014501-1.png)
一般情况下, (1)—(3)式构成的非线性微分方程组难以求解, 但若空穴和电子流密度及器件两端电势这些边界条件确定, 可以求解出电子和空穴的浓度以及电场等, 进一步可得到电池器件的其他相关工作参数. 将背接触处的电势设为0, 则背接触处的边界条件为
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![](https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/3-20201219_M5.png)
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结合边界条件, 通过对上述泊松方程以及电子和空穴连续性方程这几个基本半导体器件微分方程组求解, 就可以对太阳能电池器件的电容-频率、电容-电压、光谱响应以及电流-电压特性进行模拟计算, 进而探讨电池器件的相关性能.
3.1.不同ETL材料对电池性能的影响
为了与以TiO2作为ETL的电池器件进行性能比较, 厚度为100 nm的C60, CdS, Cd0.5Zn0.5S, IGZO, PCBM和ZnO分别作为ETL进行电池结构设计. 不同材料作为ETL的PSCs的输出参数如表4所列. 由表4可见, 以Cd0.5Zn0.5S为ETL的电池器件获得了最大的Voc, 而以CdS为ETL的电池器件获得了最小的Voc. 输出Voc从高到低的排序依次为: Cd0.5Zn0.5S > C60(TiO2) > ZnO(PCBM) > IGZO > CdS, 除Cd0.5Zn0.5S外, 其他材料构建的电池结构输出Voc差异较小.Parameter | C60 | CdS | Cd0.5Zn0.5S | IGZO | PCBM | TiO2 | ZnO |
Voc/V | 0.84 | 0.81 | 0.93 | 0.82 | 0.83 | 0.84 | 0.83 |
Jsc/(mA·cm–2) | 21.73 | 27.50 | 29.39 | 29.27 | 24.86 | 29.64 | 29.58 |
FF/% | 69.47 | 62.62 | 64.73 | 63.95 | 67.53 | 69.27 | 67.72 |
PCE/% | 12.66 | 14.01 | 17.70 | 15.32 | 13.92 | 17.24 | 16.64 |
表4不同ETL材料的PSC输出参数
Table4.Effects of ETLs on output parameters of the PSCs.
当ETL有更高的导带或更高的电子准费米能级时[27], 可对电子的注入和运输有促进作用, 进而有效地增大Voc. 由图2不同ETL材料的能带图可见, 不同材料的导带值由高到低排序为: Cd0.5Zn0.5S > C60(TiO2, PCBM) > ZnO > IGZO > CdS. Cd0.5Zn0.5S导带最高, 而CdS导带最低, 因此分别输出了最大和最小的Voc. 由图3器件的电子准费米能级可见, 除了Cd0.5Zn0.5S所构建电池的ETL的电子准费米能级较高, 其他材料作为ETL处的电子准费米能级基本重合, 这就解释了除Cd0.5Zn0.5S作为ETL可输出较高Voc外, 其他材料构建的电池结构输出Voc差异很小.
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Figure2. Bands alignment between different ETL materials and perovskite.
![](https://wulixb.iphy.ac.cn/fileWLXB/journal/article/wlxb/2021/3/PIC/3-20201219-3_mini.jpg)
Figure3. Schematic diagram of electronic quasi-Fermi level.
由表4比较不同材料作为ETL时器件获得的PCE可知, 相比较而言, C60作为ETL时, 电池结构获得了最低的PCE, 而Cd0.5Zn0.5S作为ETL时的电池结构获得了最高的PCE, 同样的性能比较结果也可以由图4(a)的J-V特性分析出来. 由图4(b)不同材料作为ETL时器件的量子效率(quantum efficiency, QE)图可见, 当入射光波长大于750 nm时, 不同ETL材料构建的电池结构获得的QE曲线基本重合. 而当入射光波长低于750 nm时, 相比其他材料而言, 由C60作为ETL构建的电池结构获得的QE曲线最低, 说明了该电池器件对入射光子吸收并不够充分, 影响PCE的输出. 另外, 由表2可知, C60与其他材料比较, 具有最低的电子迁移率, 限制了电荷的收集, 故Jsc较小. 因此, C60作为ETL构建的电池器件获得了最低的Jsc和PCE, 电池性能较差.
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Figure4. Effects of different ETL materials on J-V characteristics and QE: (a) Effects of different ETL materials on J-V characteristics; (b) effects of different ETL materials on QE
ETL和钙钛矿层的导带间的偏移量(conduction bandoffset, CBO)影响载流子在界面的复合机制. CBO的值等于ETL导带
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Figure5. Diagram of CBO: (a) Band structure of negative CBO; (b) band structure of positive CBO.
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Figure6. Schematic diagram of cliff and spike: (a) Cliff structure; (b) spike structure.
因
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有研究结果[28]显示, 一定范围内的CBO所形成的spike势垒高度对Jsc的影响很微弱, Jsc基本不变, 但对Voc的影响较为突出. 而spike势垒对载流子传输的阻碍主要影响光生电流的大小, 光生电流的值等于Jsc, 因此从基本不变的Jsc来看, 一定高度范围内spike势垒对载流子传输的阻碍并非影响电池输出的主要因素, 形成spike势垒时较低的载流子复合能主要对输出较大的Voc有贡献. 但是, 进一步提高CBO的值, 可能会由于双二极管效应导致电池性能恶化. 与上述研究结果类似, 本文所讨论的材料计算得到的CBO均在较小的范围内, 认为spike主要影响载流子在界面的复合而对Voc造成影响. 光生电子产生于钙钛矿层, 并从钙钛矿层向ETL运动. 若界面形成cliff结构势垒, 因
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由图2不同ETL材料与钙钛矿层的能级图, 可得到表5不同ETL材料与钙钛矿层之间CBO、界面势垒结构以及
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Parameter | C60 | CdS | Cd0.5Zn0.5S | IGZO | PCBM | TiO2 | ZnO |
CBO/eV | 0.27 | –0.03 | 0.37 | 0.01 | 0.27 | 0.27 | 0.07 |
Barrier shape | spike | cliff | spike | spike | spike | spike | spike |
$E_{\rm{a}}^{{\rm{ETL}}}$/eV | 1.3 | 1.27 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 |
表5CBO、界面势垒结构及
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Table5.Relationship between CBO, barrier shape and
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Figure7. Band diagram: (a) Overall band diagram; (b) partial diagram of interface barrier structure.
当CBO值为正时, 随着CBO值逐渐增大, 电池性能有逐渐增强的趋势[28]. 相比其他材料, Cd0.5Zn0.5S与钙钛矿层之间CBO较大(0.37 eV), 并且其具有更高的载流子迁移率, 因此以Cd0.5Zn0.5S为ETL的电池结构获得了最高的PCE.
2
3.2.不同HTL材料对电池性能的影响
讨论了不同材料作为ETL的电池性能的差异, 认为Cd0.5Zn0.5S作为ETL进行钙钛矿太阳能电池结构设计具有较佳特性, 故本文基于Cd0.5Zn0.5S作为ETL, 进行不同材料作为HTL的电池性能的讨论. 厚度为200 nm的Cu2O, CuI, CuSCN, MASnBr3, NiO以及PEDOT:PSS作为备选HTL与spiro-OMeTAD进行比较分析, 输出参数见表6.Parameter | Cu2O | CuI | CuSCN | MASnBr3 | NiO | PEDOT:PSS | spiro-OMeTAD |
Voc/V | 0.92 | 0.85 | 0.91 | 0.94 | 0.90 | 0.88 | 0.93 |
Jsc/(mA·cm–2) | 28.71 | 28.18 | 28.45 | 30.35 | 28.32 | 28.21 | 29.39 |
FF/% | 76.49 | 74.32 | 75.74 | 76.65 | 75.04 | 73.30 | 64.73 |
PCE/% | 20.28 | 17.79 | 19.71 | 21.55 | 19.04 | 18.15 | 17.70 |
表6不同HTL材料的PSC输出参数
Table6.Effect of HTL on output parameters of the PSCs.
钙钛矿材料具有双极型运输的特性, 其激子束缚能较低, 不同深度的价带位置会影响空穴的运输及载流子复合率, 从而影响Voc的输出, 较佳的能带对齐可使得电池有最大的能量输出. 电池输出Voc的大小会受到HTL价带位置的影响, HTL价带更低或空穴准费米能级越低, 因空穴的运输得到促进, 可使电池结构获得更高的Voc[36]. 由图8可见, 不同HTL材料的价带由低到高排序为: MASnBr3 < spiro-OMeTAD < Cu2O < CuSCN < NiO < CuI, 而从表5分析知, 不同HTL材料的电池器件获得的Voc由高到低排序为: MASnBr3 > spiro-OMeTAD > Cu2O > CuSCN > NiO > CuI, 两者排序相同, 说明较低的HTL价带对输出更大的Voc有一定的促进作用. 由图9器件空穴的准费米能级可见, PEDOT:PSS的空穴准费米能级比CuI更低, 因此对于CuI和PEDOT:PSS而言, 两者价带位置虽然一致, 但是由于后者的空穴准费米能级更低, 故后者输出Voc更大.
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Figure8. Bands alignment between different HTL materials and perovskite.
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Figure9. Schematic diagram of hole quasi-Fermi level: (a) Diagram hole quasi-Fermi energy; (b) partial diagram of HTL hole quasi-Fermi level.
较图4(b)不同材料作为ETL的电池结构获得的QE图, 以不同材料作为HTL的电池结构获得的QE曲线之间差异更小, 如图10(a)所示. 造成这一现象的原因是由于HTL位置于电池结构的背面, 其光学吸收可以忽略. 这也是导致以不同材料为HTL的电池器件J-V特性中Jsc没有显著差异的原因之一, 如图10(b)所示.
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Figure10. Effects of different HTL materials on QE and J-V characteristics: (a) Effects of different HTL materials on QE; (b) effects of different HTL materials on J-V characteristics.
由表5知, 当MASnBr3作为HTL时, 电池器件获得了最高的PCE. 而以spiro-OMeTAD作为HTL时, 电池器件获得了最低的PCE. 不同材料作为HTL时电池性能差异与钙钛矿层价带
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Figure11. Diagram of VBO: (a) Band structure of negative VBO; (b) band structure of positive VBO.
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Figure12. Schematic diagram of cliff and spike: (a) Cliff structure; (b) spike structure.
与因CBO形成的cliff或spike类似, cliff结构不会抑制光生空穴的运输, 但形成cliff结构时,
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不同材料作为HTL的PSCs仿真得到的界面势垒结构如图13所示, 各种HTL与钙钛矿层界面形成的势垒结构与表7计算得到的结果一致.
Parameter | Cu2O | CuI | CuSCN | MASnBr3 | NiO | PEDOT:PSS | spiro-OMeTAD |
VBO/eV | –0.1 | –0.27 | –0.17 | 0.07 | –0.21 | –0.27 | –0.02 |
Barrier shape | cliff | cliff | cliff | spike | cliff | cliff | cliff |
$E_{\rm{a}}^{{\rm{HTL}}}$/eV | 1.2 | 1.03 | 1.13 | 1.3 | 1.09 | 1.03 | 1.28 |
表7VBO、界面势垒结构及
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Table7.Relationship between VBO, barrier shapeand
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Figure13. Band diagram: (a) Overall band diagram; (b) partial diagram of interface barrier structure.
由图11及表7可见, MASnBr3与MASnI3钙钛矿吸收层之间的VBO为正, 而其他HTL材料与钙钛矿吸收层之间的VBO为负, 故在MASnBr3与MASnI3界面形成了spike结构, 其他HTL材料与钙钛矿吸收层界面形成了cliff结构. 相比其他材料而言, MASnBr3与MASnI3提供了最优的能带对齐, 故获得更佳的性能, PCE最高.
由表7知, 不同材料作为HTL构建PSCs的
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当VBO为负时, 随着
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本文设计的器件结构获得了21.55% (表6)的PCE, 高于目前实验上锡基PSCs所获得的PCE, 除了仿真过程理想化了部分条件外, 钙钛矿层缺陷浓度的设置也是其中原因之一. 将钙钛矿层的缺陷浓度设置在1012—1020 cm–3 [37]内变化, 器件的PCE变化趋势如图14所示, 可见, 吸收层缺陷浓度对电池性能有至关重要的作用. 随着缺陷浓度的提高, 吸收层内复合中心变多, 影响了载流子寿命, 加剧电荷复合, 故PCE减小. 当缺陷浓度大于1015 cm–3时, 器件PCE迅速下降. 当缺陷浓度大于1019 cm–3时, 输出PCE极其微弱. 因此在实验制备过程中, 应尽可能对钙钛矿成膜质量进行控制, 降低缺陷浓度, 减少复合中心, 避免电池性能不佳.
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Figure14. Influence of defect density of perovskite layer on PCE.
将本文设计结构为Cd0.5Zn0.5S/MASnI3/MASnBr3的锡基PSC与目前已有的研究[20,26,37-47]进行对比, 详见表8. 可见, 因仿真理论研究在较为理想的环境下进行, 故仿真研究获得的PCE略高于实验研究. 对于当前主流的Pb基PSCs而言, 实验上可获得较高的PCE, 但Pb元素的毒性带来较大的污染, Sn的性质与Pb较为接近, 是替代Pb的较佳元素. 但是因Sn2+在空气中易于氧化, 对电池性能带来不利影响, 故目前实验上制备锡基PSCs普遍得到的PCE低于10%, 本文在较为理想的仿真环境下对锡基PSCs进行不同载流子传输层的探讨, 获得了最高为21.55%的PCE, 高于目前实验上获得的PCE, 本文旨在为选取合适的载流子传输层材料提供一定的思路, 对于材料的缺陷类型、掺杂浓度设置以及稳定性问题等其他与电池性能实际相关的因素, 将是本文后续需要开展的研究工作, 本文的研究结果对高性能的锡基PSCs的设计亦有指导意义.
Device structure | Category | PCE/% | Device structure | Category | PCE/% | |
SnO2/MAPbI3/spiro[38] | experiment | 14.19 | TiO2/MAPbI3/CuSCN[47] | simulation | 20 | |
TiO2/MAPbI3/spiro[43] | experiment | 15.9 | Cu2O/MAPbI3/TiO2[20] | simulation | 28 | |
TiO2/MAPbI3/spiro[44] | experiment | 17.36 | ZnO/MAPbI3/Cu2O[26] | simulation | 20 | |
ZnO/MAPbI3/spiro[40] | simulation | 22.49 | TiO2/MAPbI3/CuI[47] | simulation | 17.54 | |
ZnO/MAPbI3/P3HT[37] | simulation | 18.76 | CdS/MAPbI3/spiro[42] | simulation | 23.83 | |
TiO2/MAPbI3/CuGaO2[41] | simulation | 23.42 | TiO2/MAPbI3/spiro[47] | simulation | 22.35 | |
TiO2/MASnI3/spiro[46] | experiment | 6.4 | PEDOT:PASS/MASnI3/PCBM[39] | experiment | 6.03 | |
TiO2/MASnI3/spiro[45] | experiment | 5.73 | Structure of this article | simulation | 21.55 |
表8不同结构的电池研究结果对比
Table8.Comparison of research results of cells with different structures.
综上, 选用Cd0.5Zn0.5S和MASnBr3分别作为ETL和HTL构建锡基PSC时, 较其他材料而言获得了更优的电池输出特性: Voc = 0.94 V, Jsc = 30.35 mA/cm2, FF = 76.65%, PCE = 21.55%, 可认为Cd0.5Zn0.5S和MASnBr3是设计锡基PSCs结构合适的ETL和HTL材料.