State Key Laboratory of Structural Chemistry, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou 350002, China
Abstract:Metal-organic framework (MOF) is a new kind of inorganic-organic hybrid porous ordered crystal material, which is connected by metal nodes and organic ligands through coordination bond. Because of its large specific surface area, high stability, diverse structure and adjustable function, MOF has received wide attention. The improvements in preparation and functionalization of MOF thin films expand their application fields. In this paper, the method for assembly of surface coordinated metal-organic framework thin films (SURMOF) by liquid phase expitaxial layer-by-layer dipping method is introduced, and the physical properties of some SURMOFs in optics, electricity and other aspects are summarized, and the application prospect of SURMOF is prospected as well. Keywords:metal-organic framework/ thin film/ liquid phase expitaxial layer by layer/ physical properties
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6.1.电学性能
均一致密的SURMOF在电学性能方面具有独特的性质, 负载的客体以及客体与框架之间的相互作用会在很大程度上改变SURMOF的电学性能, 近几年很多研究者对其光电导率[37]、电输运性质[38]和光致发光量子产率[39]等性质进行了深入的研究, 并且取得了丰硕的成果. 比如, 2017年我们课题组报道了利用机械浸泡法层层组装制备了HKUST-1薄膜修饰的SiO2介电层[40], 通过修饰一层PTB7-Th半导体聚合物, 再沉积两个金电极, 成功制备了基于MOF的有机场效应晶体管(OFET), 如图6所示, 通过控制SURMOF (HKUST-1)的机械浸渍循环次数来控制薄膜厚度, 进而调节电荷迁移率、阈值电压和电流开关比等. 这种基于HKUST-1薄膜修饰的OFET表现出很高的电荷迁移率和较低的阈值电压. 图 6 (a)制备的OFET实物图; (b) HKUST-1薄膜修饰SiO2介电层界面的OFET结构示意图; (c)半导体聚合物PTB7-Th的化学结构; (d) SURMOF HKUST-1的制备示意图及HKUST-1结构图; (e) HKUST-1/SiO2/Si结构OFET器件的输出特性; (f) HKUST-1/SiO2/Si结构OFET器件的传输特性[40] Figure6. (a) Sample diagram of field effect transistor (OFET); (b) sketch diagram of HKUST-1 film modified SiO2 dielectric layer in the OFETs; (c) structure of semiconductor polymer PTB7-Th; (d) schematic diagram of liquid phase epitaxy layer by layer preparation of HKUST-1 and the structure; (e) the output characteristics of HKUST-1/SiO2/Si based OFETs; (f) the transmission characteristics of HKUST-1/SiO2/Si based OFETs[40].
高质量的SURMOF具有较小的光散射效应, 在光学器件领域有着广阔的应用前景. 层层组装的生长方式可以使SURMOF表现出与众不同的光学特性, 包括非线性吸收性能[41]和荧光性能[42]等. 2015年Gu等[43]利用液相外延法将发光客体负载在SURMOF中, 通过调节客体浓度和比例得到了优异的白光发射性能. 采用了改进的液相外延法将镧系金属配合物Ln(pdc)3 (Ln = Eu, Tb, Gd)负载到HKUST-1薄膜的孔道中, 形成具有很高的负载率的红绿蓝(RGB)原色薄膜, 所得到的复合膜平整均匀, 通过调节红、蓝、绿三种镧系金属配合物的浓度和比例可以得到优异的白光发射性能(图7)[44]. 这种原位液相外延负载技术为开发高负载率、取向均一、厚度可控的固态高性能白光发射器和传感器复合薄膜开辟了全新的道路, 为光学传感器和发光器件等领域带来了新的发展前景. 图 7 (a)采用液相外延法将Ln(pdc)3逐层负载到SURMOF孔道的示意图; (b) Ln(pdc)3结构示意图; (c)紫外光(365 nm)照射石英玻璃生长的Ln(pdc)3@HKUST-1薄膜和混合型Ln(pdc)3@HKUST-1薄膜的照片; (d) Eu(pdc)3@HKUST-1, Tb(pdc)3@HKUST-1和Gd(pdc)3@HKUST-1薄膜的发射光谱; (e)红色、绿色、蓝色发光的Ln(pdc)3@HKUST-1薄膜以及混合白光发射薄膜的CIE色度坐标图[43] Figure7. (a) Schematic diagram of Ln(pdc)3 encapsulated into SURMOF and grown in situ layer by layer using the liquid phase epitaxy method; (b) schematic diagram of Ln(pdc)3 structure; (c) photographs of Ln(pdc)3@HKUST-1 film on quartz glass under ultraviolet (365 nm) irradiation; (d) solid-phase photoluminescence emission spectra of Eu(pdc)3@HKUST-1, Tb(pdc)3@HKUST-1, Gd(pdc)3@HKUST-1 films; (e) CIE chromaticity coordinate chart of red, green, blue and wite emitting Ln(pdc)3@ HKUST-1 film[43].
2016年, W?ll课题组[44]报道了利用SURMOF实现光子上转换效应. 光子上转换是指薄膜吸收波长较长的两个或多个光子, 激发出波长较短光的过程. 他们通过在基底表面构建A-B-A型SURMOF(图8), 转换过程如下: 首先B层吸收两个或多个光子并产生三重激发态分子, 然后A层则在A-B的连接处接受这些三重激发态分子再发射出能量更高的光子, 从而实现光子的上转换效应. 图 8 (a)硅衬底上发射-敏化-发射(A-B-A)异质结构的截面SEM图; (b)不同有机连接体组成的A型、B型SURMOF异质结连接示意图; (c) Zn-ADB (A)和Zn-(Pd-DCP)(B)制备的SURMOF以及由它们构成异质结的XRD衍射图; (d)三重激发态分子传递光子上转换的示意图; (e)发射光谱示意图[44] Figure8. (a) SEM image of emission sensitization emission (A-B-A) heterostructure cross section on silicon substrate; (b) schematic diagram of A and B SURMOF heterojunction connection composed of different organic connectors; (c) the diffraction patterns of SURMOF prepared by Zn-ADB (A) and Zn-(Pd-DCP) (B); (d) the schematic diagram of photon upconversion of triplex excited state molecular transfer; (e) the schematic diagram of emission spectrum[44].
可以通过调节A和B层的厚度来调整性能, 薄的吸光层B和厚的发射层A层可以使光的上转换阈值电流低至1 mW·cm–2. 这种方法克服了粉体团聚引起的单线态发射效率低的问题, 得到了具有优异光子上转换性能的SURMOF异质结薄膜, 从XRD图可以看出A-B-A异质结的衍射图是A和B两个异质结XRD的简单叠加, 表明异质结的晶体结构没有受到SURMOF复合过程的影响, 这为异质结薄膜的制备与设计提供了很好的参考和借鉴, 引起了人们对液相外延法制备SURMOF异质结薄膜的广泛关注. 2017年我们报道了利用液相外延法制备碳纳米点(CDs)负载型MOF薄膜的方法[45]. 首先用机械浸泡法制备高质量的SURMOF, 接着将葡萄糖客体负载到MOF薄膜的孔道里, 然后在较低的200 ℃下热处理, 葡萄糖转化为CDs, 从而可以在不破坏MOF结构的基础上得到均匀分散的CDs (如图9所示). 通过选择不同类型的MOF可以调整CDs的尺寸, 用HKUST-1, ZIF-8, MIL-101得到的CDs尺寸分别约1.5, 2.0, 3.2 nm, 所得CDs的尺寸与MOF的孔径非常接近, 这说明MOF为CDs的可控合成提供了很好的模板作用. 在石英玻璃上用机械层层浸渍法制备了负载葡萄糖的SURMOF, 具有良好的可调谐发光特性, 经过碳化处理后得到的CDs表现出了优异的光致发光性能和三阶非线性光学特性, 在532 nm激发光下表现出良好的光限幅性能. 图 9 (a) MOF模板法制备CDs示意图; (b)石英玻璃、G@HKUST-1-200薄膜以及合成过程中的中间体材料照片; (c) CD@HKUST-1-200薄膜在350 nm激发波长的荧光发射谱图; (d) G@HKUST-1薄膜、CD@HKUST-1-200薄膜和HKUST-1模板制备的CDs水溶液的开孔Z-扫描数据(点)以及532 nm激发波长下的理论拟合数据(实线)[45] Figure9. (a) Schematic diagram of CDs prepared by MOF template method; (b) photos of the sample in the synthesis process; (c) photoluminescence of CD@HKUST-1-200 film; (d) open hole Z-scan data of CD@HKUST-1-200 film and HKUST-1 grown on quartz glass (point) and CDs aqueous solution made from G@HKUST-1 film with theoretical fitting data at 532 nm excitation wavelength[45]
SURMOF具有巨大的比表面积以及与衬底紧密连接的特性, 因而具有丰富的催化活性位点和高效的电荷传输速率, 在催化领域有着广阔的应用前景, 近几年SURMOF电催化还原二氧化碳、产氢、产氧等已成为研究的热点. 2019年, Fischer课题组[47]报道了由直接在电极基底上逐层生长SURMOF制备镍钴氢氧化物混合电催化剂, 在碱性条件下表现出很高电催化产氧(OER)活性和优异的循环稳定性. 2019年, 我们课题组报道了利用机械层层浸渍法制备取向普鲁士蓝类似物(PBA)薄膜, 然后高温煅烧制备高度取向的CoFe2O4薄膜, 表现出了优异的OER性能[48]. 该工作不需要任何支撑剂和表面活性剂, 采用液相外延法在Si基底和泡沫镍表面逐层生长, 得到了[100]取向的CoFe-PBA薄膜, 高温煅烧CoFe-PBA薄膜得到形貌平整均匀的介孔CoFe2O4薄膜(图10). 这种CoFe2O4薄膜表现出稳定、高效的电催化OER性能. 自支撑CoFe2O4薄膜电极的负载量仅为1.6 mg·cm–2, 电流密度为10 mA·cm–2时过电位仅为266 mV, 且在1 mol/L KOH溶液中也表现出优异的稳定性. 图 10 (a)采用液相外延层层组装法在硅基底上逐层生长取向CoFe-PBA薄膜的示意图; (b)薄膜XRD对比和(c) [100]取向CoFe-PBA薄膜的SEM图(插图是CoFe-PBA薄膜在Si衬底上的模型图); (d)扫描速率为2 mV/s的线性扫描伏安曲线(已经过内阻校正); ① CoFe2O4薄膜、② RuO2、③ CoFe2O4粉末、④ Fe-PBA薄膜、⑤ 泡沫镍-350; (e)为不同的电催化剂电流密度达到10 mA/cm2所需的过电位对比图; (f)塔费尔斜率对比图; (g)在1.5 V下的CoFe2O4薄膜和CoFe2O4粉末的电化学阻抗谱对比[48] Figure10. (a) Schematic diagram of layer by layer growth of oriented CoFe-PBA thin film on silicon substrate by LPE LBL method; (b) XRD comparison and (c) SEM image of oriented CoFe-PBA thin film in [100] plane (illustration shows the microstructure of CoFe PBA film on Si substrate); (d) linear sweep voltammetry curve with 2 mV/s scanning rate (IR corrected) of the sample; (e) the over potential required of different electrocatalyst to reach 10 mA/cm2; (f) the comparison of Tafel slope; (g) the comparison of electrochemical impedance spectra of CoFe2O4 film and CoFe2O4 powder at 1.5 V[48]