删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

平面复合金属微纳结构的圆二色性研究

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:圆二色性效应在圆偏振器、光调制器及光电器件等方面具有广泛的应用. 为提高平面金属微纳结构的圆二色性, 本文设计了由无限长纳米线和G形微纳结构组成的平面复合金属微纳结构, 并应用有限元方法研究了该阵列微纳结构的圆二色性特性. 数值计算结果显示, 在圆偏振光的激发下, G形微纳结构和平面复合金属微纳结构均出现了电偶极子、电四极子和电八极子等共振模式. 当G形微纳结构与无限长纳米线连接时, 各共振波长均发生红移, 并且无限长纳米线增加了不同圆偏振光激发下的局域表面等离激元共振强度, 从而使得平面复合微纳结构的圆二色性信号明显增强. 此外, 还研究了平面复合微纳结构阵列的几何参数对其圆二色性特性的影响. 这些结果为提高平面手性微纳结构的圆二色性信号强度提供一定的指导思路和方法.
关键词: 手性微纳结构/
吸收特性/
圆二色性/
表面等离激元

English Abstract


--> --> -->
手性是指结构不能与其镜像重合的性质. 手性结构与其镜像称为手性对映体. 然而, 天然的手性结构由于光与物质的电磁作用较弱[1,2], 手性效应相对较小, 因此阻碍了其更广泛的应用. 而周期性排列的手性金属微纳结构与光之间存在强烈耦合作用, 这大大提高了光-物质作用的强度[3], 使得手性效应得到增强. 光与手性金属微纳结构的强作用将被增强的电场限制在纳米尺寸范围内, 进而这些微纳结构表现出独特的光学手性, 例如圆二色性(circular dichroism, CD)[4,5]、光学旋光性(optical rotation, OR)[6,7]和负折射率[8,9]. 其中, CD效应是指手性结构对左旋圆偏振(left-hand circular polarization, LCP)光和右旋圆偏振(right-hand circular polarization, RCP)光的吸收差异[5]. 它在分析化学[10,11]、生物监测[12,13]和纳米成像技术[14,15]等领域具有重要的应用.
近年来, 研究者们设计了多种手性金属微纳结构, 并探索了CD效应产生的物理机理. 其中, 三维的手性微纳结构由于多层之间的强烈近场电磁场耦合作用, 可实现比平面人工微纳结构更大的CD效应, 例如三维L形[16]、扭曲[17]、螺旋[18,19]和U形谐振器[20,21]等微纳结构. 相比于三维微纳结构, 平面微纳结构对实际制造工艺的要求较低, 更有利于其广泛应用. 所以, 最近, 平面手性微纳结构引起了研究者的注意. 研究者们设计了各种平面的微纳结构, 并在理论[22,23]和实验[24]上证实了强烈的光-物质电磁作用. 在平面手性人工微纳结构中, 如万字符[25]、七聚体[26]和交叉切口[27]等, CD效应可归因于强烈的局部表面等离激元(local surface plasmon, LSP)或者表面等离极化激元(surface polasmon polariton, SPP)共振模式. 此外, 在平面非手性微纳结构中, CD效应可以通过斜入射来实现[28,29]. 金属微纳结构的共振模式对微纳结构的形状、几何尺寸、材料以及周围环境很敏感, 这为调节平面金属微纳结构的CD特性提供了一个可行的技术途径.
本文设计了平面复合金属微纳结构(planar composite metal nanostructure, PCMN)阵列. PCMN是由无限长纳米线和G形纳米结构组成的. 本研究中, 采用数值计算来研究了PCMN阵列的CD特性. 作为对比, 本文也研究了G形微纳结构(G-shaped nanostructure, GNS)阵列的CD特性. 通过分析共振波长处的表面电荷密度分布, 揭示了CD效应产生的物理机理和CD信号增强的内在原理. 此外, 还研究了PCMN的几何参数对CD特性的影响.
本文应用三维有限元方法软件(COMSOL Multiphysics)中的射频模块计算微纳结构的光学特性, 分析了PCMN阵列的吸收光谱、CD光谱和其共振波长处的表面电荷密度分布. 图1(a)是所设计的PCMN阵列的结构示意图. 在本研究中, xy方向的周期分别定为Px = Py = 0.26 μm. PCMN阵列的厚度为t. 右旋和左旋圆偏振光分别表示为RCP和LCP. 图1(b)显示在xy平面上的单元结构示意图. 其中, 无限长纳米线和G形纳米结构的宽度分别为w1w2, G形纳米结构沿着x或者y方向的各纳米棒的长度分别为$ l_1, l_2, l_3, l_4 $以及$ l_5 $. 二氧化硅(SiO2)作为基底, 其厚度固定为0.02 μm. 金属的折射率取自于实验结果[30], SiO2的折射率为1.45. 激发源是沿–z方向的RCP和LCP光, 入射光波的电场的大小设定为1 V/m.
图 1 PCMN阵列的结构示意图 (a)三维立体结构示意图; (b)在xy平面的单元结构示意图
Figure1. Schematic of the proposed PCMN arrays: (a) Three dimensional schematic of PCMN; (b) unit schematic of PCMN in xy plane

在计算中, 在微纳结构的上面和下面分别设置光的入射端口和接收端口, RCP光的三个电场分量分别为$ {E}_{x}=1/\sqrt{2} $, $ {E}_{y}= {\rm i}/\sqrt{2} $, $ {E}_{z}=0 $, LCP光的三个电场分量分别为$ {E}_{x}=1/\sqrt{2}{, E}_{y}=-{\rm i}/\sqrt{2} $$ {E}_{z}=0 $. 使用具有沿xy方向的周期性边界条件单元来模拟PCMN阵列的光学特性. 通常, 在手性金属微纳结构与光的相互作用中, CD特性起源于微纳结构中的电偶极矩(P)或者磁偶极矩(M)的共振, 可以表示为[31]
$ {{P}}={{\alpha}}{{E}}-{\rm{i}}{{G}}{{B}}, $
$ {{M}}={{\chi}}{{B}}+{\rm{i}}{{G}}{{E}}, $
其中α是极化率, χ是磁化率, G是混合电磁偶极子极化率, EB分别是光波的电场和磁场强度. 因此, 手性金属微纳结构中发生共振而吸收(A)光的强度表示为[31]
$ A=\frac{\omega }{2}{\rm{I}}{\rm{m}}({{{E}}}^{*}\cdot {{P}}+{{{B}}}^{*}\cdot {{M}}), $
其中ω是入射光的角频率. 在本文中, PCMN阵列的RCP和LCP光的吸收光谱分别表示为$ {A}_{+} $$ {A}_{-} $, 该结构的吸收率是通过在不同偏振光照射下对结构的总功率进行体积分来获得, 则CD被表示为$ {\rm{CD}}={A}_{+}-{A}_{-} $.
图2显示了RCP和LCP光入射情况下, PCMN阵列和GNS阵列的吸收光谱和CD光谱. 其光谱波段范围为从0.30至6 μm. PCMN阵列的几何参数为t = 0.03 μm, w1 = w2 = 0.03 μm, l 1 = 0.15 μm, l2 = 0.16 μm, l 3 = 0.11 μm, l 4 = 0.10 μm以及l 5 = 0.06 μm. 图2(a)所示的是PCMN阵列的A+光谱和A光谱, 本文用模式I, II, III和IV来分别表示各共振模式. A光谱中分别在λI = 3.14 μm, λII = 1.46 μm, λIII = 0.90 μm和λIV = 0.82 μm处出现了四个显著的吸收峰. A+光谱与A光谱类似, A+光谱中分别在λI = 2.3 μm, λII = 1.1 μm, λIII = 0.78 μm以及λIV = 0.7 μm处出现四个吸收峰. 如图2(b)所示, 在共振模式处的吸收差异导致了较强的CD信号. 图2(c)为GNS阵列的吸收光谱, 为了与PCMN阵列的共振模式区分开, GNS阵列的共振模式用1, 2, 3和4来表示. GNS阵列的A光谱中分别在λ1 = 2.30 μm, λ2 = 1.10 μm, λ3 = 0.78 μm和λ4 = 0.70 μm处出现了明显的吸收峰. GNS阵列的A+光谱与A光谱的共振波长几乎相同. 图2(d)为GNS阵列的CD光谱. GNS阵列的圆二色性信号强度明显地小于PCMN阵列的圆二色性信号强度.
图 2 PCMN和GNS阵列的吸收光谱以及CD光谱 (a), (c) PCMN和GNS阵列的A+, A光谱; (b), (d)PCMN阵列和GNS阵列的CD光谱; 其中插图分别表示PCMN和GNS在xy平面的结构示意图
Figure2. Absorption and CD spectra of PCMN and GNS arrays: (a), (c) Simulated A, A+ spectra; (b), (d) CD spectra of PCMN and GNS arrays. The insert figures indicate the structure schematic of PCMN and GNS in x-y plane, respectively.

为了揭示PCMN和GNS阵列CD效应的物理机理, 本文计算了其共振波长处的表面电荷密度分布(如图3所示). 图中, “+”表示正电荷(深红色), “–”表示负电荷(深蓝色). 图3(a)图3(h)分别为PCMN阵列在不同共振波长处的表面电荷密度分布, 图3(i)图3(p)分别为GNS阵列在不同共振波长处的表面电荷密度分布. 对于PCMN阵列, 在LCP光照射下, 在λI = 3.14 μm处, 如图3(a)所示, 正电荷主要分布在G形结构的一端, 负电荷主要分布在无限长纳米线处, 此集聚的表面电荷产生了从G形微纳结构的一端到无限长纳米线的环形电子振荡. 根据电荷分布的特点, 把它可以视为G形微纳结构与无限长纳米线之间的电偶极子共振. 在λII = 1.46 μm处, 如图3(b)所示, 在PCMN结构上形成了扭曲的电四极子共振. 类似地, 在λIII = 0.90 μm和λIV = 0.82 μm处, 如图3(c)图3(d)所示, PCMN单元结构上形成了电八极子共振. 如图3(g)图3(h)所示, G形纳米结构的末端和水平纳米棒的耦合将电八极子模式分裂为两个模式. 对于GNS阵列, 如图3(i)图3(l)所示, λ1 = 2.3 μm和λ2 = 1.10 μm分别为电偶极子共振和电四极子共振模式; λ3 = 0.78 μm和λ4 = 0.70 μm为电八极子共振模式.
图 3 不同偏振的入射光照射在PCMN和GNS时, 在共振波长处的表面电荷密度分布; 图(a), (b), (c), (d), (i), (j), (k)和(l)是为左旋偏振光; 图(e), (f), (g), (h), (m), (n), (o)和(p)是为右旋偏振光
Figure3. Surface charge density distribution of proposed PCMN and GNS at the resonant wavelength with different circularly polarized illuminations: (a), (b), (c), (d), (i), (j), (k) and (l) for LCP light; (e), (f), (g), (h), (m), (n), (o) and (p) for RCP light.

PCMN与GNS相比, 加了无限长纳米线后, 在PCMN中的电子的振荡距离变长, 使得此四个模式的共振都发生红移. 这些等效的电偶极子、电四极子和电八极子的强烈振荡引起了不同共振波长处的吸收峰, 不同圆偏振光激发下共振强度上的差异, 从而产生CD信号.
为了研究PCMN阵列的几何参数对共振模式的影响, 如图4所示, 在各参数w1 = 0.03 μm, l 1 = 0.15 μm, l 2 = 0.16 μm, l 3 = 0.11 μm, l 4 = 0.10 μm以及l 5 = 0.06 μm的基础上, 本文分别改变了竖直和横向纳米棒的长度l 1, l 2, l 3, l 4, l 5和无限米线和长度为l 4的纳米棒之间的库仑力的相互吸引作用逐渐减弱, 这将导致电偶极子共振距离减少, 进而使模式I的共振波长微小地蓝移. 对模式II而言, 无限长纳米线和长度为l 4的横着的纳米棒之间的相互排斥的库仑力作用逐渐减弱, 这将导致电偶极子共振距离增大, 从而使模式II的共振波长发生红移. 如图4(b)所示, 当长度为l 2的横着的纳米棒逐渐从110 nm增大到150 nm时候, 长度为l 2的纳米棒上电荷振荡距离微小增大(如图3(a)所示), 进而使模式I的共振波长发生很小的红移. 对于模式II而言, 整个长度为l 2的纳米棒上电荷符号相同, 因此, 当长度为l 2的纳米棒增大时, 模式II的共振波长没有发生移动. 如图4(c)所示, 随着长度为l 3的纳米棒逐渐从98 nm增加到120 nm, 无限长纳米线和长度为l 4纳米棒之间的相互吸引的库仑力作用增强, 使得电偶极子共振距离增加, 进而使模式I的共振波长发生明显地红移. 与此相反, 在模式II处, 无限长纳米线和长度为l 4的纳米棒之间的相互排斥的库仑力作用增加, 使得PCMN中的电荷振荡距离减少, 并进而使模式II的共振波长发生蓝移. 如图4(d)所示, 当长度为l 4的纳米棒从50 nm逐渐增大到90 nm时, 长度为l 1的纳米棒和长度为l 5的纳米棒之间的相互吸引的库仑力增大, 使得PCMN中的电荷振荡距离增加, 进而使模式I和II的共振波长都发生显著的红移. 当长度为l 5的纳米棒从18 nm逐渐增到42 nm时, 如图4(e)所示, 长度为l 2的纳米棒和长度为l 5的纳米棒的末端处的相互吸引的库仑力作用增加(如图3(a)图3(b)所示), 使得PCMN中的电荷振荡距离增加. 显然, 模式I与II相比, 在模式II中的相互吸引的库仑力作用比模式I强, 因此, 模式II的共振波长与模式I的共振波长相比发生显著的红移. 如图4(f)所示, 随着宽度为w1的无限长纳米线从10 nm增加到50 nm时, 对模式I而言, 在无限长纳米线横截面上的集聚电荷增多, 使无限长纳米线和长度为l 4的纳米棒之间的相互吸引的库仑力作用增强, 进而导致模式I的共振波长稍微红移. 对模式II而言, 当宽度为w1的纳米棒增大时, 在无限纳米线上增多的振荡电荷, 使无限长纳米线和长度为l 4的纳米棒之间的相互排斥的库仑力作用增大, 这将导致模式II的共振波长发生蓝移.
图 4 PCMN阵列不同参数的CD光谱. 不同长度的(a) l1, (b) l2, (c) l3, (d) l4, (e) l5纳米棒和(f)不同无限长纳米线宽度w1的PCMN阵列的CD光谱
Figure4. CD spectra of PCMN arrays with different parameter; CD spectraof PCMN arrays with (a) different l1 (b) different l2, (c) different l3, (d) different l4, (e) different l5 nanorod and (f) different w1 of the infinite long nanowire.

为了研究PCMN的形状变化对其共振波长的影响, 计算了断开的PCMN阵列的吸收和CD光谱, 如图5所示. 在断开的PCMN阵列中, 无限长纳米线和G形纳米结构之间的间距由s表示, 其长度为20 nm, 如图5(a)中右下角的插图所示. 其他结构参数分别为w1 = 0.03 μm, l 1 = 0.13 μm, l 2 = 0.16 μm, l 3 = 0.11 μm, l 4 = 0.10 μm以及l 5 = 0.06 μm. 如图5(a)所示, 在圆偏振光的激发下, 在吸收光谱中分别观察到了三个明显的吸收峰, 插入的彩色图表示结构图(黄色)和LCP或RCP光激发下在断开的PCMN中吸收峰处的电荷分布(红蓝), 三个不同的符号分别表示各吸收峰处的波长. 在$ \lambda_{\rm I'} = 2.30 $ μm处, 主要的正负电荷分别聚集在G形纳米结构的两端, 产生强烈的环形电偶极子共振, 而在无限长纳米线中左右的电子振荡产生电偶极子共振. 进而在整体上G形纳米结构和无限长纳米线之间的相互吸引的库仑作用力耦合形成绑定(bonding)模式. 在共振波长$ \lambda_{\rm II'}= $ 1.10 μm处, 在无限长纳米线中产生强烈的电子振荡, 并形成电偶极子共振, 而在G形纳米结构上的电子振荡形成电八极子共振. 进而在整体上G形纳米结构和无限长纳米线之间的相互排斥的库仑作用力耦合形成反绑定(anti-bonding)模式. 在$ \lambda_{\rm III'}= $ = 0.70 μm处, 分布在无限纳米线两侧的正负电荷, 形成上下振动的电偶极子共振而在G形纳米结构中的电子振荡产生电四极子共振. 进而在整体上G形纳米结构和无限长纳米线之间的相互吸引的库仑作用力耦合形成bonding模式. 在不同圆偏振光激发下吸收强度上的差异, 进而导致CD效应, 如图5(b)所示. 这表明通过改变结构参数和形状, 可调节电子的振荡路径和耦合方式, 进而有效地调节CD信号的位置和强度.
图 5 断开的PCMN阵列的吸收光谱和CD光谱 (a)吸收光谱; (b) CD光谱. 插图表示分别在共振波长处的电荷分布(深红-蓝色)和断开的PCMN在xy平面上的结构示意图(黄色)
Figure5. Absorption and CD spectra of the separated PCMN arrays: (a) Absorption spectrum; (b) CD spectrum; The insert figures indicate the charge distribution at resonance wavelength (crimson and blue), and structure schematic (yellow) of separated PCMN in xy plane.

本文提出了由无限长纳米线和G形微纳结构组成的平面复合金属微纳结构, 并应用有限元方法研究了平面复合金属微纳结构阵列的圆二色性特性. 通过分析平面复合金属微纳结构的共振波长处的电荷共振特征, 揭示了CD特性产生的物理机理和CD信号增强的内在原理. 数值计算结果表明, 在圆偏振光的激发下, G形微纳结构和平面复合金属微纳结构阵列均出现了电偶极子、电四极子和电八极子等共振模式. 当G形微纳结构阵列与无限长纳米线互相连接时, 各共振波长均发生了红移, 并且无限长纳米线增加了不同圆偏振光激发下的局域表面等离激元共振强度, 从而使得平面复合微纳结构的圆二色性信号明显增强. 此外, 研究了平面复合金属微纳结构阵列的几何参数对CD的模式的影响. 此研究结果为提高平面手性微纳结构的圆二色性信号强度提供了一定的理论依据.
相关话题/结构 纳米 微纳 光谱 金属

  • 领限时大额优惠券,享本站正版考研考试资料!
    大额优惠券
    优惠券领取后72小时内有效,10万种最新考研考试考证类电子打印资料任你选。涵盖全国500余所院校考研专业课、200多种职业资格考试、1100多种经典教材,产品类型包含电子书、题库、全套资料以及视频,无论您是考研复习、考证刷题,还是考前冲刺等,不同类型的产品可满足您学习上的不同需求。 ...
    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19
  • β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米材料的尺寸调控与光致发光特性
    摘要:氧化镓(Ga2O3)纳米材料在紫外透明电极、高温气体传感器、日盲紫外探测器和功率器件等领域具有巨大的应用潜力,而实现高结晶质量和尺寸形貌可控的Ga2O3纳米材料是关键.本文通过水热法制备了不同尺寸的羟基氧化镓(GaOOH)纳米棒、纳米棒束和纺锤体,经后期高温煅烧均成功转变为高质量单晶β-Ga2 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 真空沟道结构GaAs光电阴极电子发射特性
    摘要:光电阴极的发射电流密度和寿命限制了其在功率器件和大科学装置中的应用.本文结合光电阴极和场发射阴极电子发射理论,设计了大电流密度的真空沟道结构光电阴极组件,并使用覆膜和刻蚀技术制备了以GaAs衬底为阴极材料的光电阴极组件.光电阴极组件电子发射特性测试结果显示,常温状态下随入射光功率增加,阴极发射 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 一种基于电光调制光频梳光谱干涉的绝对测距方法
    摘要:提出了一种基于电光调制光学频率梳的光谱干涉测距方法.理论分析了电光调制光学频率梳的数学模型和光谱扩展原理,并分析得出了光谱干涉测距方法的非模糊范围和分辨力的影响因素.在实验中,使用三只级联的电光相位调制器调制单频连续波激光生成了40多阶高功率梳齿状边带,并通过单模光纤和高非线性光纤对电光调制器 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 气体团簇离子束装置的设计及其在表面平坦化、自组装纳米结构中的应用
    摘要:根据超声膨胀原理,n(10—104)个气体原子可以绝热冷却后凝聚在一起形成团簇,经过离化后,形成带一个电荷量的团簇离子,比如${m{Ar}}_n^+$.当团簇离子与固体材料相互作用时,由于平均每个原子携带的能量(~eV)较低,仅作用于材料浅表面区域,因此,气体团簇离子束是材料表面改性的优良 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 真空磁场热处理温度对不同厚度的Ni<sub>88</sub>Cu<sub>12</sub>薄膜畴结构及磁性的影响
    摘要:利用射频磁控共溅射方法,在Si衬底上制备了Ni88Cu12薄膜,并且研究了膜厚以及真空磁场热处理温度对畴结构和磁性的影响.X射线衍射结果表明热处理后的薄膜晶粒长大,扫描电子显微镜结果发现不同热处理温度下薄膜表现出不同的形貌特征.热处理前后的薄膜面内归一化磁滞回线结果显示,经过热处理的Ni88C ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响
    摘要:U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaNMOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频功率和刻蚀掩模,研究了GaN垂直沟槽型MOSFET电学 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 磁流变液构成的类梯度结构振动传递特性
    摘要:提出了一种磁流变液构成的类梯度结构,并通过理论建模、数值计算和实验研究了该结构的振动传递特性.磁流变液在磁场作用下具有液固转换的特殊理化性质,而液固转换过程就是磁流变液的振动传递阻抗变化过程.因此,基于磁流变液的这一特性,通过控制磁场,构建了类梯度结构.基于弹性波传递的一维波动方程,建立了垂直 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 基于香蕉形液晶分子自组装的纳米螺旋丝有机凝胶及其流变特性
    摘要:在香蕉形液晶分子B4相态中,非手性香蕉形液晶分子自组装形成层状结构,分子在层内倾斜,形成层手性和自发极化,并且造成层内不匹配,最终形成纳米螺旋丝.本文设计了NOBOW/十六烷混合体系,在高温时,香蕉形液晶分子溶解于十六烷,在低温时,香蕉形液晶分子自组装形成纳米螺旋丝,并最终形成三维网络,变成有 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 激光等离子体去除微纳颗粒的热力学研究
    摘要:微杂质污染一直是影响精密器件制造质量和使用寿命的关键因素之一.对于微纳米杂质颗粒用传统的清洗方式(超声清洗等)难以去除,而激光等离子体冲击波具有高压特性,可以实现纳米量级杂质颗粒的去除,具有很大的应用潜力.本文主要研究了激光等离子体去除微纳米颗粒过程中的热力学效应:实验研究了激光等离子体在不同 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象
    摘要:体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)是晶体管尺寸缩小到30nm以下应用最多的结构,其单粒子瞬态产生机理值得关注.利用脉冲激光单粒子效应模拟平台开展了栅长为30,40,60,100nmFinFET器件的单粒子瞬态实验,研究FinFET器件单粒子瞬态电流脉冲波形随栅长变化情况;利用计算机辅助设计( ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29