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--> --> -->图 1 (a) 模式阳极结构示意图; (b) 本文计算区域与边界条件
Figure1. (a) Schematic of a patterned anode; (b) computational domain and boundary conditions of the model in the present study.
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2.1.电荷传输模型
载流子O2–与e–分别在离子导体和电子导体内迁移. 在非边界区域, 该过程由以下Laplace方程控制:2
2.2.电化学反应模型
采用Butler-Volmer描述TPB处电流密度与过电势的关系:2
2.3.无量纲分析
本文对控制方程进行无量纲化处理, 并推导出控制电化学反应与电荷传输耦合过程的无量纲参数, 以减少求解变量参数、简化求解过程、更深入了解模式阳极内传输与反应过程的物理本质. 选取离子导体高度Hion、模式阳极电子导体顶部(z = Hion + Hele)与离子导体底部(z = 0)的电势差(?0 - ?ref)、以及i0 = σion?0/H分别为特征长度、特征电势与特征电流密度, 对方程(2)—(4)分别进行无量纲化处理, 得到如下无量纲方程:经分析, 获得本文数值模型的无量纲边界条件(如图1(b)所示), 归纳于表1.
坐标 | 边界条件 |
z* = 0 | ?* = 0 |
z* = 1 + Hele/Hion | ?* = 1 |
x* = 0, Lion/Hion, 电子导体左右边界 | ${ {\partial \phi ^*} / {\partial x^* = 0} }$ |
z* = 1 (非TPBs) | ${ {\partial \phi ^*} / {\partial z^* = 0} }$ |
z* = 1 (TPBs) | ${\left. { {{i} }^*} \right|_{ {\rm{el} } } } = {\left. { - \sigma ^*\nabla \phi ^*} \right|_{ {\rm{el} } } } = {\left. { {{i} }^*} \right|_{ {\rm{ion} } } } = {\left. { - \nabla \phi ^*} \right|_{ {\rm{ion} } } }$ |
表1本文的边界条件
Table1.Boundary conditions of the present study.
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2.4.数值方法
近年来, 格子玻尔兹曼(lattice Boltzmann, LB)方法作为一种介观尺度的数值模拟技术, 因其易于处理复杂边界(如多孔介质等)[22], 被广泛应用于SOFC多孔电极中的反应传输过程模拟. 虽然本文研究的是模式电极, 但作者将在后续工作中将本文发展的数学模型与数值方法应用于真实电极. 因此, 本文采用LB方法求解导体内的电荷传输过程. 下式为求解控制方程(7)所采用的演化方程:-->
3.1.模型验证
实验制备模式阳极并测量其过电势-电流密度曲线对本文模型进行验证. 制备阳极几何结构如图1(a)所示, 具体几何尺寸如下: Hion = 0.6 mm, Lion = 10.4 mm, Hele = 0.08 mm, Lele = 0.16 mm, ΔL = 0.49 mm. 采用特征电势?0与特征电流密度i0 = σion?0/Hion, 分别对实验测量和计算所得的过电势与平均电流密度进行无量纲处理, 以进行数值模型验证. 如图2所示, 计算结果与实验结果符合较好, 证明了本文数学模型和数值方法的可靠性. 需要说明的是, 由于下文研究各几何结构参数影响规律时, 计算所得的iav/i0最大值约为0.8, 因此图2在0 < iav/i0 < 0.8之间进行的数值模型验证工作不仅合理且满足本文研究需求. 另外, 虽然本文的研究对象为长方体状电子导体置于圆柱状离子导体表面的模式阳极(如图1所示), 本文发展的数学模型与数值方法、以及下文的研究思路适用于任意几何结构的模式电极.图 2 本文LB模型验证
Figure2. Model validation of the present LB model.
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3.2.基准工况
采用实验模式阳极几何结构及运行条件作为基准工况. 同时, 由于离子导体直径对电极性能影响细微, 将实验阳极直径缩短为5.85 mm, 可在保证计算准确性的同时提高计算效率. 据此计算可得到基准工况下的无量纲参数为: σel/σion = 2.09 × 107, F?0/RT = 2.27, iex/i0 = 146.05.图3描述了模式阳极在基准工况下的电化学性能. 由于电子导体材料(例如Ni)电导率通常为离子导体材料(例如YSZ)电导率的百十万倍, 电子导体内电势几乎不变, 离子导体内电势变化显著(如图3(a)所示). 同时关注图3(b)中电子导体和离子导体交界面(z/Hion = 1.0)处?/?0分布, 同样发现电子导体内?/?0维持为1.0, 而离子导体内?/?0呈现周期性下凹变化趋势. 由于氧离子迁移至TPB处与氢气发生电化学反应, 生产电子由TPB处向电子导体内迁移, 离子导体内电势在TPB处具有最大值. 进一步局部放大TPB处的电势分布(如图3(c)所示), 发现电势在TPB处并不连续, 呈现阶跃变化, 而此处的电势差即为局部活性化过电势ηact. 基准工况下, 无量纲活性化过电势约为0.0151.
图 3 模式阳极在基准工况下的性能 (a) 整个阳极电势分布; (b) 电子导体与离子导体交界面(z/Hion = 1.0)电势分布; (c) 电子导体和离子导体分别在TPB处的电势分布; (d) 无量纲电势(F?0/RT)对无量纲平均电流密度(iav/i0)的影响; (e) 无量纲交换电流密度(iex/i0)对iav/i0的影响; (f) iex/i0与F?0/RT对iav/i0的耦合影响; (g) 指导模式阳极设计与运行的无量纲相图
Figure3. Patterned anode performance at standard case: (a) Potential distribution in the entire anode; (b) potential distribution at z/Hion = 1.0; (c) potential distribution at TPBs; (d) effect of dimensionless potential (F?0/RT) on dimensionless average current density (iav/i0); (e) effect of dimensionless exchange current density (iex/i0) on iav/i0; (f) combined effect of iex/i0 and F?0/RT on iav/i0; (e) phase map generated based on panel (f) for rational design and operation of patterned anode.
作者前期研究表明, 在SOFC典型运行区域, 电子导体与离子导体电导率比(σ* = σel/σion)对电极性能的影响可忽略[20], 因此本文只研究无量纲电势(Q* = F?0/RT)与无量纲交换电流密度(iex/i0)的影响规律. 图3(d)描述了F?0/RT对模式阳极性能的影响. 由(9)式可知, TPB处的电流密度iTPB为关于Q*的增函数. 由电荷守恒可知, 流经TPB处的电流强度总和应与流出电极的电流强度相等, 所以整个电极的平均电流密度iav为iTPB的增函数. 因此, iav的数值随着F?0/RT的增大呈现增大的变化趋势(负号表示电流密度方向与z轴正方向相反). 同时可知, 虽然过电势(由?0体现)与热势(由T体现)均为电化学反应驱动力, 但增大二者并不总会提高电极性能. 当10–4 < F?0/RT < 1时, 调整?0与T使得F?0/RT增大可有效提高电极性能; 在此区域之外, 过渡增大?0或者调整T并不会对电极性能产生影响. 但在SOFC典型运行区域(图中蓝色虚线所示), 使得F?0/RT增大的制备工艺和运行条件的调整均能有效提升电极性能. 图3(e)描述了无量纲交换电流密度iex/i0对阳极性能的影响. 当10–2 < iex/i0 < 102时, 电极平均电流密度随着iex/i0的增大而增大; 在此区域之外, 改变iex/i0并不会对电极性能产生影响. 因此, 在典型SOFC运行区域, 需要谨慎改变制备工艺和调节运行条件, 使得iex/i0位于可显著影响电极性能区域.
为了更好地设计和运行SOFC, 进一步研究了在SOFC典型运行工况下, F?0/RT与iex/i0对阳极性能的耦合影响规律. 图3(f)为F?0/RT分别为0.001, 0.01, 0.1, 1与2.27时, iex/i0对iav/i0的影响规律. 按照iav/i0的变化趋势, 将图3(f)划分为3个区域: 上部区域iav/i0的变化小于5%, 为电极性能最劣区域(最小值区域); 中部区域iav/i0的变化明显, 为电极性能显著变化区域(过渡区域); 下部区域iav/i0的变化仍然小于5%, 为电极性能最优区域(最大值区域). 据此图绘制了如图3(g)所示的相图, 以描述F?0/RT与iex/i0对电极性能最优、最劣以及显著变化区域影响规律. 该图可直接用于指导SOFC电极的设计和运行: 根据电极的材料物性参数、几何结构以及运行条件, 分别计算出F?0/RT与iex/i0, 并据此在相图中定位. 若定位点位于最大值区域或最小值区域, 任何调节制备工艺和运行条件以改变F?0/RT与iex/i0的优化措施均无法显著改变阳极性能. 此时, 可通过改变电压、运行温度、反应物浓度、阳极厚度或电极材料(不同催化活性和电导率)等制备工艺和运行条件, 以改变?0, T, iex, H, σion的数值, 从而调节F?0/RT与iex/i0 (i0 = σion?0/H), 使得新的定位点位于相图过渡区; 若初始定位点原本就位于过渡区, 任何用以改变F?0/RT与iex/i0的制备工艺和运行条件的优化措施均可有效调节电极性能. 需注意的是, 在相图绘制过程中, F?0/RT与iex/i0的取值范围覆盖了SOFC的典型制备工艺和运行条件, 因此以上调节F?0/RT与iex/i0的过程并不会引起相图的变化.
众所周知, 模式电极广泛应用于电极材料表界面化学/电化学反应机理研究. 为了更有效地揭示反应机理, 需要所研究的操作参数对电极性能具有显著影响(我们称之为有效操作参数取值范围), 即所涉及的无量纲参数最好位于相图过渡区. 因此, 模式电极的理性设计是高效地研究相关反应机理的前提. 下文将基于图1(a)中的模式电极结构, 研究其关键几何结构参数(电子导体高宽比、电子导体宽度与间距比以及离子导体高宽比)对其内部传输与反应耦合过程、以及新型电极材料反应机理研究有效性的影响规律. 研究过程中, 将按照模式阳极制备经验, 在基准结构的基础上将几何结构参数增大或减小相应倍数.
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3.3.电子导体高宽比(Hele/Lele)的影响
图4描述了模式电极电子导体高宽比(Hele/Lele)对电极性能的影响规律. 从图4(a)可以看出, 随着电子导体高宽比的增大, 电极平均电流密度呈现增大的变化趋势, 但增大速度逐渐减缓. 电子导体高宽比的增大导致离子导体上的欧姆过电势减小, TPB处活性化过电势增加, 因此TPB处的反应电流密度增大, 根据电荷守恒定律, 整个电极的平均电流密度也会增大. 图4(b)描述了高宽比对指导模式阳极设计与运行的无量纲相图的影响, 可以看出在Hele/Lele = 1/4时, 过渡区所涉及的F?0/RT与iex/i0的变化范围最宽广: 即在电子导体高宽比较小时, 能对模式阳极性能产生显著影响的F?0/RT与iex/i0的数值变化区间更大, 意味着所涉及的制备工艺及运行参数的调节范围更广. 而随着高宽比的进一步增大, 该调节范围逐渐减小至最终维持不变. 因此, 虽然电子在金属(电子)导体内迁移极快, 该过程并不是限制阳极性能的关键步骤, 但是采用模式阳极研究化学/电化学反应机理时, 电子导体高宽比会显著影响所涉及的制备工艺和运行工况的有效参数范围. 适当减小电子导体高宽比, 更有利新材料反应机理的研究.图 4 电子导体高宽比(Hele/Lele)对模式阳极性能的影响 (a) 不同电子导体高宽比下无量纲交换电流密度(iex/i0)与无量纲电势(F?0/RT)对无量纲平均电流密度(iav/i0)的耦合影响; (b) 不同电子导体高宽比下指导模式阳极设计与运行的无量纲相图
Figure4. Effect of height-to-width ratio of electronic conductor (Hele/Lele) on patterned anode performance: (a) Combined effect of dimensionless exchange current density (iex/i0) and dimensionless potential (F?0/RT) on dimensionless average current density (iav/i0); (b) phase maps under different Hele/Lele generated based on panel (a) for rational design and operation of patterned anode.
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3.4.电子导体宽度与间距比(Lele/ΔL)的影响
图5描述了电子导体宽度与导体间间距的比值(Lele/ΔL)对电极性能的影响. 由前文可知, 氧离子经由离子导体迁移至TPB处, 与氢气发生电化学反应, 生成的电子经由电子导体迁移至电流收集器. 当相邻TPB过于接近时, 各TPB处局部离子迁移过程会彼此相互干涉, 增大离子迁移阻力. 当Lele/ΔL = 1/3时, 电子导体间距(导体间相邻TPB间距)较远, 但电子导体内部相邻TPB间距较近; 当Lele/ΔL = 3时, 电子导体内部相邻TPB间距较远, 但电子导体间距(导体间相邻TPB间距)较近. 以上两种情况下, 相邻TPB处局部离子迁移过程相互干涉, 导致平均电流密度较小. 当Lele/ΔL = 1时, 电子导体间距与电子导体内部相邻TPB间距都较远, TPB处氧离子迁移阻力较小, 因而电流密度较大. 值得注意的是, Lele/ΔL对无量纲相图内最小值区域、过渡区域与最大值区域所涉及的F?0/RT与iex/i0的数值范围没有影响(如图5(b)所示), 意味着Lele/ΔL虽然会影响电极性能, 但进行反应机理研究时, 并不影响所涉及的制备工艺和运行工况的有效参数取值范围.图 5 电子导体宽度与间距比(Lele/ΔL)对模式阳极性能的影响 (a) 不同电子导体宽度与间距比下无量纲交换电流密度(iex/i0)与无量纲电势(F?0/RT)对无量纲平均电流密度(iav/i0)的耦合影响; (b) 不同电子导体宽度与间距比下指导模式阳极设计与运行的无量纲相图
Figure5. Effect of width-to-spacing ratio of electronic conductor (Lele/ΔL) on patterned anode performance: (a) Combined effect of dimensionless exchange current density (iex/i0) and dimensionless potential (F?0/RT) on dimensionless average current density (iav/i0); (b) phase maps under different Lele/ΔL generated based on panel (a) for rational design and operation of patterned anode.
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3.5.离子导体高宽比(Hion/Lion)的影响
图6描述了离子导体高宽比(Hion/Lion)对电极性能的影响. 随着Hion/Lion增大, 氧离子迁移路径增长, 欧姆过电势增大, 导致TPB处活性化过电势图 6 离子导体高宽比(Hion/Lion)对模式阳极性能的影响 (a) 不同离子导体高宽比下无量纲交换电流密度(iex/i0)与无量纲电势(F?0/RT)对无量纲平均电流密度(iav/i0)的耦合影响; (b) 不同离子导体高宽比下指导模式阳极设计与运行的无量纲相图
Figure6. Effect of height-to-width ratio of ionic conductor (Hion/Lion) on patterned anode performance: (a) Combined effect of dimensionless exchange current density (iex/i0) and dimensionless potential (F?0/RT) on dimensionless average current density (iav/i0); (b) phase maps under different Hion/Lion generated based on panel (a) for rational design and operation of patterned anode.