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--> --> -->图 1 Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8)多晶样品在室温下的XRD图谱
Figure1. XRD patterns for Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8) polycrystalline samples measured at room temperature.
x | a = b/? | c/? | c/a | 晶胞体积/?3 |
0 | 5.4881 | 6.9681 | 1.269 | 209.87 |
0.4 | 5.4966 | 6.9601 | 1.266 | 210.30 |
0.6 | 5.5136 | 6.9463 | 1.259 | 210.70 |
0.8 | 5.5221 | 6.9342 | 1.255 | 211.50 |
表1Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8) 多晶样品在室温下的晶格参数、晶轴比c/a与晶胞体积
Table1.Lattice parameters, c/a, and cell volume of Mn50–x CrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8) polycrystalline samples at room temperature.
图2给出了Mn50–xCrxNi42Sn8多晶样品在100 Oe外加磁场作用下的升温M-T曲线. 为了更加清晰地显示出高温区M-T曲线的变化情况, 将355—400 K温度范围内的曲线进行放大, 如图2插图所示. 可以看出, 当x = 0时, 在测试的温度范围内没有发生马氏体相变. 由于室温的XRD结果表明它为四方结构, 这说明该材料的相变温度超过400 K. 降低温度时, 磁化强度突然增加, 说明马氏体的磁性由顺磁性转变为铁磁性, 对应的转变温度为马氏体相的居里温度, 测得其居里温度为
图 2 Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8)多晶样品在100 Oe下的升温热磁曲线, 插图为阴影部分的局部放大图
Figure2. Temperature dependence of magnetization upon field heating procedures in the field of 100 Oe for Mn50–xCrxNi42Sn8(x = 0, 0.4, 0.6, 0.8) polycrystalline samples, and inset shows magnification of the shadow part.
图3(a)给出了Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8)多晶样品的相变温度TM和马氏体居里温度TCM随着Cr含量的变化关系. 可以看出, 随着Cr含量的增加, 马氏体相的居里温度逐渐升高, 这说明Cr掺杂提高了马氏体的铁磁交换作用, 这与Kahn等[22]的研究结果是一致的. 从图3(a)也可看出, 相变温度随着Cr含量的增加而降低. 影响马氏体相变温度的因素主要有电子浓度(e/a)和晶胞体积. 一般来说, 马氏体相变温度通常会随着电子浓度增加而升高; 随着晶胞体积变大, 马氏体相变温度也相应地降低. 由于Cr的价电子数比Mn少, 所以Cr替代部分Mn将导致价电子浓度的降低. 因此样品的e/a值随着Cr含量的增加而减少. 图3(b)给出了电子浓度和相变温度的关系. 当Cr含量从0增加到0.8时, 电子浓度从8.02降低到8.012, 相变温度从406 K降到374 K. 图3(c)是样品的相变温度和晶胞体积的变化关系, 可以清楚地看出TM值随着晶胞体积的增大而降低. 同时, 随着Cr含量的增加, NiMn基Heusler合金中占据A位的Ni原子与占据D位的Mn原子的间距(dNi-Mn)对马氏体逆相变温度有显著的影响. 图3(d)给出了相变温度随dNi-Mn的变化关系. dNi-Mn减小时, Ni-Mn之间d电子的轨道杂化越强, 导致马氏体相变温度升高TM升高[26,27]. 上述讨论说明, 在Mn50–xCrxNi42Sn8合金中, 材料的相变温度遵循传统的物理机制.
图 3 (a) Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0.4, 0.6, 0.8)多晶样品的马氏体逆相变温度TM及马氏体相的居里温度
Figure3. (a) Cr content dependence of Curie temperature of martensite phase
图4给出了Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0.4, 0.6, 0.8)多晶样品在20 kOe外加磁场作用下的M-T升温曲线. 由于低磁场条件下无法观察到母体Mn50Ni42Sn8多晶样品的马氏体逆相变, 因此并未在高磁场下进行测量, 由图4可知, 当x = 0.4时, 奥氏体的磁化强度为6.3 emu/g, 而马氏体其在相变温度附近的磁化强度则为1 emu/g, 两相之差为?M = 5.3 emu/g. 进一步增加Cr含量至x = 0.6, 发现奥氏体的磁化强度最大值为8.7 emu/g, 而马氏体的磁化强度仅有1.09 emu/g. 因此两相的磁性差为?M = 7.61 emu/g. 当Cr含量为x = 0.8时, 奥氏体的磁化强度开始降低, 而马氏体的磁化强度基本上保持不变, 所以两相之间的磁性差?M降至7.4 emu/g.
图 4 Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0.4, 0.6, 0.8)多晶样品在20 kOe下的升温热磁曲线
Figure4. Temperature dependence of magnetization upon heating procedures in field of 20 kOe for Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0.4, 0.6, 0.8).
根据上述结果, 不难看出Mn50Ni42Sn8掺杂Cr系列合金的磁性均比较弱, Cr元素的掺杂对其磁性有着一定的影响, 在掺杂微量Cr的情况下, Cr含量的增加会导致两相之间的磁性差?M少量增大. 对于Mn50Ni42Sn8合金, 由于Ni原子数多于25, 且Ni原子倾向于占据A位和C位, 因此A位为Mn原子与Ni原子, B位为Mn原子, C位为Ni原子, 而D位则为Sn原子与剩下的Mn原子, 示意图如图5所示. 研究表明, 在NiMn基Heusler合金中, 其磁性主要来源于Mn原子, 每个Mn原子的磁矩大约为4μB. 但是, Mn-Mn之间的磁性耦合对它们之间的距离非常敏感. 当它们之间的距离小于2.8 ?时, Mn-Mn之间形成反铁磁耦合, 当它们的距离大于2.8 ?时, 形成铁磁耦合[28]. 表2列出了Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8)多晶样品处于四方马氏体相时Ni(A)-Mn(D), Mn(A)-Mn(B)与Mn(B)-Mn(D)的原子间距. 可以看到, 虽然掺杂Cr增加了Mn-Mn的原子间距, 但所有样品的最近邻Mn(A)-Mn(B)和次近邻Mn(B)-Mn(D)之间的原子间距均小于临界距离2.8 ?, 因此它们之间形成反平行排列, 导致整个体系的磁性非常弱. 样品的自发磁化强度可以通过将高场M-T曲线外推至低温5 K得到. 随着Cr含量的增加, 自发磁化强度稍有增大. 有研究人员运用第一性原理计算和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)方法对Ni-Mn-In Heusler合金进行了系统的研究, 结果表明了Ni(A)-Mn(D)杂化可能会影响合金的磁性, 强烈的杂化会导反铁磁交换作用增强, 合金的磁性削弱[27,29]. 随着Cr含量的增加, MnD-NiA间距增大, 说明它们之间的杂化削弱, 亚铁磁性交换作用增强. 这与NiMnSb合金中掺杂Cr得到的实验结果相吻合[22].
Cr含量x | MnD-NiA/? ($ \sqrt 3 $a/4) | MnB-MnA/? ($ \sqrt 3 $a/4) | MnB-MnD/? (a/2) |
0 | 2.376 | 2.376 | 2.744 |
0.4 | 2.38 | 2.38 | 2.748 |
0.6 | 2.387 | 2.387 | 2.757 |
0.8 | 2.391 | 2.391 | 2.761 |
表2Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8)多晶样品中Mn(D)-Ni(A), Mn(B)-Mn(A)和Mn(B)-Mn(D)的原子间距
Table2.The atomic distance of Mn(D)-Ni(A), Mn(B)-Mn(A), and Mn(B)-Mn(D) in Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.4, 0.6, 0.8) polycrystalline samples.
图 5 Mn50Ni42Sn8奥氏体与马氏体原子的占位示意图
Figure5. The sketched unit cells of the austenite and martensite structures.
图6(a)给出了Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.6, 0.8)多晶样品在500 Oe的外加磁场中从室温冷却至5 K, 然后在测得的磁滞回线与局部放大图. 由图6(a)可以看出, 所有样品的磁滞回线均沿着负磁场方向发生了偏移, 表明该系列样品在5 K下均具有明显的交换偏置效应. 根据定义, 交换偏置场HEB=│HL + HR│/2, 矫顽力HC=│HL – HR│/2, 其中HL及HR分别为M = 0时磁滞回线与磁场轴左右两边交点的矫顽力. 根据实验得出的HL及HR, 计算得出了不同Cr含量样品的HEB及HC, 如图6(b)所示. 由图6(b)可以看出, 随着Cr含量从0增加到0.8, 交换偏置场从2624 Oe减小到2332 Oe, 矫顽力从645 Oe增大到712 Oe.
图 6 (a) Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.6, 0.8)多晶样品在500 Oe磁场中冷却至5 K下的磁滞回线及局部放大图; (b) HC和HEB与Cr含量的关系
Figure6. (a) Magnetization hysteresis loops for Mn50–xCrxNi42Sn8 (x = 0, 0.6, 0.8) polycrystalline samples measured at 5 K after 500 Oe field cooling, inset shows the magnification of the shadow part; (b) the values of HC and HEB as a function of Cr content.
交换偏置效应通常源自体系中共存的铁磁与反铁磁的相互作用. 铁磁和反铁磁的竞争导致了自旋玻璃转变的存在, 如上所述. 实际上, 在同类材料Mn2Ni1.6Sn0.4, Mn50Ni42Sn8, Mn50Ni40Ga10和Mn50Ni41–xCuxSn9合金中均显出自旋玻璃[30,14,31,27]行为. 对比上述合金, 我们的样品在低温下冻结为超自旋玻璃态(super-spin glass, 简称SSG), 如图2所示. 超自旋玻璃态在磁场诱导下可向着磁畴长大并形成超铁磁态, 从而使铁磁和反铁磁主体的界面上形成比较大的单轴各向异性, 因此产生大的交换偏置效应. 上面分析得出, 随着Cr含量的增加, 马氏体的铁磁交换作用增强, 导致反铁磁主体的钉扎能力削弱, 交换偏置场降低. 这与NiMnSb合金中掺杂Cr元素时交换偏置场的变化相同[22].
图7(a)给出了Mn49.2Cr0.8Ni42Sn8多晶样品在不同的外加磁场下冷却至5 K时测得的磁滞回线与局部放大图, 图7(b)则给出了该样品的HC和HEB与冷却场的关系. 由图7(b)可以看出, 在零场冷却时, HEB = 79 Oe, 在500 Oe的磁场冷却时, 交换偏置场增至最大值2340 Oe, 随着冷却场的进一步增加, 交换偏置场反而减小. 随着冷却场的增加, 自旋玻璃态中的磁矩越来越多地朝着冷却场的方向排列形成铁磁相, 当冷却场增加到一定程度时, 铁磁相之间的Zeeman能会破坏自旋玻璃和反铁磁主体之间的界面交换耦合, 从而导致交换偏置场降低. 在Mn50Ni25+xIn25–x, Mn50Ni41Sn9以及 Mn50Ni42Sn8合金中均观察到类似现象[32,33,14]. 由图7(b)还可以发现, HC先随着磁场冷却增加而减小然后增加.
图 7 (a) Mn49.2Cr0.8Ni42Sn8多晶样品在不同场冷至5 K下的磁滞回线及局部放大图; (b) HC和HEB与不同场冷之间的关系
Figure7. (a) Magnetization hysteresis loops for Mn49.2Cr0.8Ni42Sn8 polycrystalline sample measured at 5 K after different field cooling, inset shows the magnification of the shadow part; (b) the values of HC and HEB under different cooling field.