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--> --> -->物理上, LSPRs是表面等离子极化激元(surface plasmon polaritons, SPPs)的一种非传播、准静态形式. “表面等离子极化激元亚波长光学(surface plasmon polaritons subwavelength optics)”是基于SPPs发展起来的一门新兴学科, 在可见光波段主要是研究纳米尺度的光学现象, 通过SPPs可获得亚波长的光场限域, 具有克服电磁波衍射极限以及对器件小型化与集成化的实现能力. 尽管LSPRs与SPPs性能独特、应用广泛, 但因其谐振特征所带来的损耗始终会伴随产生, 为此光场限域形成的场增强能力与损耗二者成为矛盾统一体. 为提高器件性能, 可引入耦合效应等新颖物理机制, 通过结构优化设计, 构建低损耗模式, 改善场的空间分布, 在减少模式体积的同时, 将场向低损耗材料所处位置转移, 并采取先进的微纳加工与新材料制备工艺, 进一步降低模式传播损耗和材料损耗. 本文拟以简单的金属单界面亚波长结构为研究对象, 避免LSPRs的高损耗特征, 克服SPPs的传播损耗, 吸取超构材料[14]与超构表面[15]领域在亚波长结构设计与器件研制方面的成果与经验, 探索亚波长结构中新颖的物理增强机制, 以研制拉曼散射信号强、可重复性好的固态SERS基板.
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Figure1. (a) The cross-sectional sketch of the one-dimensional gratings; (b) the calculated enhancement factor as a function of the period and duty ratio.
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2.1.SPP带边增强机制
区域1的局部最优结构参数是周期P = 475 nm, 宽度W = 273 nm. SPP带隙大小随深度D和占空比γ改变, 而带隙中心位置由周期P决定. 对γ = W/P = 273 nm/475 nm = 0.575, 通过反射率计算描绘的周期P = 445, 475, 505, 525 nm所对应的SPP能带结构如图2(a)所示. 可以看出, 随着周期变大, SPP带边位置会发生红移, 当周期P = 475 nm时, 上带边位置处在532 nm波长, 当周期P = 505 nm时, 532 nm位置处为带隙位置, 而当周期P = 525 nm时, 下带边位置处在532 nm波长. 在532 nm波长处, 随周期变化的垂直(0°)反射率计算结果如图2(b)所示, 反射率曲线中的两个谷, 分别对应着SPP的上带边和下带边. 反射率越低, 暗示着远场光能量向SPPs近场模式的转化越多, 因此场增强与反射率随周期变化的规律正好相反. 图2(c)是计算的532 nm波长的电场分布图, SPP上带边对应的电场强度最强, SPP带隙位置则最弱, 与SPP带边增强机制一致, 这是因为SPP群速度vg = dω/dk在带边位置最小, 根据电场强度大小反比于群速度大小的原理[17], 获得最大场增强, 而在带隙位置不存在SPP模式. 在SPP上带边位置, SERS增强因子达到峰值, 理论计算值达到6 × 106, 如图2(b)所示.
Figure2. (a) The calculated bandgap structures for various periods but the same depth and duty ratio; (b) the calculated enhancement factor and reflectivity as a function of the period; (c) the calculated electric field distribution of structures with different periods corresponding to the positions A, B, C, and D in (b).
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2.2.GPP增强机制
从图1(b)来看, 区域2所对应的SERS增强因子比区域1的更大. 最优结构参数为周期P = 200 nm, 占空比γ = 0.9, 即槽非常窄, 此时槽宽约为20 nm, 这种情况下结构可以被归类为金属-介质-金属(metal-insulator-metal, MIM)结构[18]. MIM结构支持间隙等离子极化激元(gap plasmon polaritons, GPPs)模式的传播. 图3(a)是计算的这一结构的能带结构图, 为一条水平线, 对应于群速度vg = 0, 亦代表着场增强效应, 且GPP模式随着深度增加发生红移. 取周期P = 200 nm, 改变深度D和槽的宽度Wg = P –W, 可以计算出SERS增强因子随着深度D和槽的宽度Wg的变化关系, 如图3(b)所示. 图3(b)中出现若干个增强区域, 固定宽度为20 nm, 在每个区域内取一增强因子最大时对应的深度, 依次分别为35, 160以及290 nm, 计算的电场分布如图3(c), 可以看到, 这些不同的区域对应着槽中间GPP模式的不同阶次, 其中最低阶模式的场增强最显著. 图3(d)是周期P = 200 nm, 槽的宽度Wg = 20 nm时, 计算的SERS增强因子随着深度D变化的曲线, 最大增强因子达到2 × 107.
Figure3. (a) The calculated bandgap structures for different depths but the same period and width; (b) the calculated enhancement factor as a function of depth and groove width, in which the period is set as 200 nm; (c) the electric field distribution of structures with different depths and widths, corresponding to the positions A, B, and C in (b); (d) the calculated enhancement factor as a function of the depth.
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2.3.SPP和GPP耦合增强机制
基于上述两种不同模式的SERS增强机制, 与亚波长结构的结构参数紧密相关, 理论上可以通过相应的结构参数来独立调节这两个模式. 可以推知, 当这两种模式靠得很近时, 将会发生模式耦合效应, 一般来讲, 耦合后的模式其场增强效果会更佳.为此, 我们设计加工了图4(a)的双槽结构, 也就是在一个周期内加工两个不同的槽, 其中窄槽提供GPP模式, 周期和占空比调节SPP的带边位置. 令两个槽的深度D一致, 两个槽中间的金属部分宽度和窄槽的宽度一致. 对于周期P、两个槽的宽度分别为W1和W2, 则占空比γ = 1-(W1 + W2)/P. 我们取周期P = 475 nm, W1 = 182 nm, W2 = 20 nm, 占空比γ = 273 nm/475 nm = 0.575. 改变槽的深度D, 则窄槽提供的GPP模式随之移动, 而因周期和占空比不变, SPP带边位置基本不发生移动. 图4(b)是不同深度D对应的能带结构图, 当深度D = 30 nm时, SPP带边和GPP模式在532 nm波长处发生耦合谐振现象. 图4(c)是计算的不同深度的SERS增强因子, 可以看出, 在深度D = 30 nm时, 两个模式发生耦合, SERS增强因子达到峰值. 图4(d)是不同深度下的电场分布图, 分别对应于图4(c)中的A, B和C点位置, 深度分别为10, 30和55 nm. 可以看出在深度为30 nm时, 模式耦合效应令电场显著增强.
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Figure4. (a) The cross-sectional sketch of the structure with double grooves; (b) the calculated bandgap structures for different depths with P = 475 nm, W1 = 182 nm and W2 = 20 nm; (c) the calculated enhancement factor as a function of the depth; (d) the calculated electric field distribution of different depth corresponding to the positions A, B, and C in (c).
下面, 我们以SPP带边增强机制为例, 给出实验验证.
考虑到SPPs是一种传播波模, 会受到镀膜表面金属颗粒的非定向散射, 这一部分散射增大了传播损耗, 最终弱化SERS性能. 为此我们利用撕膜工艺, 降低表面的散射损耗, 实验上对比了直接镀膜及经撕膜工艺后的器件性能差别, 撕膜的工艺流程如图5(a)所示. 首先在Si片上加工出所需结构的反结构, 在其上镀200 nm左右的Ag膜, 再利用电镀的方式, 在Ag膜上面镀约1 mm厚度的Cu箔, 然后将Cu箔从Si片上整体剥离下来, 剥离后的Cu箔承载着Ag膜, 并且带有亚波长结构的Ag表面裸露在外, 供实验测试. 图5(b)和图5(c)分别是在镀膜样品上直接加工以及通过撕膜的方法获得的Ag光栅的扫描电子显微成像(scanning electron microscopy, SEM)图, 可以看出镀膜样品有非常明显的颗粒, 而撕膜的样品表面则要光滑很多. 借助原子力显微成像 (atomic force microscopy, AFM), 对镀膜样品和撕膜样品的表面平整度测试的结果表明, 在2 μm × 2 μm的面积范围内, 镀膜样品粗糙度的均方根是2.72 nm, 而撕膜样品的只有0.980 nm. 图5(d)给出了撕膜样品与镀膜样品的SPP传播情况对比, 在633 nm波长时, 撕膜样品上的SPP传播距离(20 μm)大约是镀膜样品的(10.95 μm)两倍, 这说明经撕膜工艺的Ag表面的SPP传播损耗确实要小, 改进和优化工艺有望提升器件性能.
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Figure5. (a) Schematic diagram of the template stripping process; (b) the SEM images of gratings on coated Ag film; (c) the SEM images of stripped Ag gratings; (d) the propagation measurements of 633 nm laser on conventional Ag film and stripped Ag surface.
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Figure6. Experimental bandgap structures corresponding to those in Fig. 2 (a).
4-ATP分子在Ag基板上的拉曼散射光谱如图7(a)所示, 4-ATP的标准拉曼散射信号的两个主要峰分别位于1092 cm–1和1177 cm–1, 而当4-ATP单分子层吸附到Ag上之后, 这两个峰位会发生位移, 变为1076 cm–1和1145 cm–1. 实验上采用1145 cm–1这个峰位来作为SERS增强因子的定标峰位. 撕膜样品的拉曼散射信号强度要远大于镀膜样品的拉曼散射信号强度, 大约是40倍的关系, 图7(b)是通过撕膜工艺所得样品, 在不同周期结构所测得的SERS增强因子, 在周期为475 nm时, 获得了4 × 105的增强因子. 我们进一步测量不同空间位置的拉曼散射信号, 以检验样品的可重复性, 使用50 × 物镜, 扫描面积15 μm × 15 μm, 225个数据点, 测得拉曼散射信号的相对标准方差(relative standard deviation, RSD)约为10.9%, 如图7(c)所示.
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Figure7. (a) The Raman spectrum of 4-ATP molecules on Ag substrate; (b) the experimental enhancement factor as a function of the period; (c) SERS mapping image at 1145 cm–1