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--> --> -->光抽运垂直外腔面发射半导体激光器(optically pumped vertical external cavity surface emitting lasers, OP-VECSELs)结合了固体薄片激光器和半导体激光器的优点, 能同时获得高输出功率和高光束质量[15,16]. 其发光波长可以利用成熟的能带工程根据实际需要进行设计, 覆盖了从可见光到近红外的较宽波段. 另外, VECSELs灵活的外腔结构允许在腔内插入其他光学元件进行非线性频率转换[17-19]、滤波及调谐、锁模等激光器功能扩展[20-24].
相比于从传统的气体激光器或固体激光器中获得双波长输出, 利用VECSEL产生双波长具有其突出的优点: 首先, 在利用双增益片产生双波长的VECSEL中, 不存在振荡模式之间的竞争, 因而可以获得稳定的双波长振荡输出; 其次, 可以利用单片VECSEL波长可设计的特点, 灵活调节输出双波长激光的波长间隔, 为实际差频应用提供更多可能; 最后, 因为VECSEL本身增益带宽大, 可调谐范围宽, 所以其产生的双波长可调谐范围相应较大, 用于差频等非线性频率变换过程中, 能够得到的差频相干辐射, 也可以较大幅度地进行调谐.
利用内部包含了两个不同量子阱发光部分的单一增益芯片, Jasik等[25]2016年报道了双波长连续光VECSEL, 激光波长分别为991 nm和1038 nm; 在增益芯片上增加金刚石散热窗口后, 双波长输出功率为1.79 W. 通过改变增益芯片中半导体微腔的厚度, 对量子阱发光波长进行调整, 该工作还获得了另外两组双波长激光输出, 其波长分别为928 nm/977 nm和958 nm/1011 nm. 2015年, Polanik[26]报道了单一增益芯片的VECSEL输出双波长激光, 双波长输出功率达10 W, 激光波长分别为960.8 nm和997.5 nm, 波长间隔为36.7 nm. 2008年, Leinonen等[27]报道了利用光学通滤波器将单一增益片的有源区域分开, 实现输出双波长连续光的VECSEL, 激光波长分别为966 nm和1047 nm, 最大输出功率为2.13 W.
鉴于单增益芯片能够提供的双波长间隔即每一个波长的调谐范围都比较有限, 因而双增益芯片的双波长VECSEL被更多地使用. 利用两片独立的增益片, Hessenius等[28]2012年报道了波长间隔可调的双波长VECSEL, 波长间隔可调范围为35—52 nm, 输出功率为13 W. 2015年, Lukowski等[29]报道了利用双增益芯片VECSEL连续输出双波长激光, 波长分别为970 nm和1170 nm, 并在腔内进行了差频过程, 实现功率为5 mW、波长为5.4 μm的中红外输出. 2016年, Zhang 等[30]报道了利用双增益芯片VECSEL实现双波长连续光输出, 波长间隔为10 nm, 腔内功率达到600 W, 适合用于腔内差频产生太赫兹波.
本文利用设计波长分别为960 nm和1080 nm的两块增益芯片, 通过一片偏振分束平片进行共线合束, 在Y型谐振腔中实现了不同偏振态的双波长激光输出, 波长间隔为147 nm, 总输出功率为293 mW. 对偏振态的控制有利于非线性频率转换中转换效率的提高, 将这种双波长激光器用于差频过程中, 可获得对应的差频辐射波长为7.1 μm的中红外波段.
图 1 双波长VECSEL实验装置示意图Figure1. Schematic of the experimental setup of dual-wavelength VECSEL.
增益芯片2的后端DBR则由30对光学厚度为1/4波长的Al0.2Ga0.8As/Al0.98Ga0.02As层组成, 此DBR的特点是对808 nm抽运波长透明, 以便可以采用后端抽运的方式. 此增益芯片的有源区包含16个8 nm厚的In0.26Ga0.74As/GaAsP0.02应变量子阱, 设计发光波长为1080 nm. 由于量子阱数目较大, 因而设计中考虑了应变的补偿问题, 用GaAs0.98P0.02层的张应变补偿In0.26Ga0.74As量子阱的压应变, 所以在增益芯片2中, GaAs0.98P0.02既是抽运吸收层, 也起到应变补偿层的作用. 有源区之上的窗口层和最外的保护层与增益芯片1类似.
生长好的外延片被划分成3 mm × 3 mm大小的增益芯片, 再通过毛细键合在7 mm × 7 mm大小的SiC热沉上, 接下来采用化学腐蚀方法去除GaAs基质, 最后整体用高导热硅脂固定在散热铜块上, 铜热沉则与温度可控的半导体制冷器(TEC)相连, TEC由循环水冷机对其制冷.
偏振分光平片的入射角度为55°, 设计波长为962 nm, 两面镀膜均为对s偏振态高反、对p偏振态高透. 耦合输出镜(output coupler, OC)是曲率半径R = 150 mm的宽带反射镜, 其高反射率(> 99.5%)的反射带宽为850—1200 nm. 两块增益芯片均采用前端面侧向抽运方式, 光纤耦合输出的抽运光经过准直聚焦系统, 入射在增益芯片表面, 其中抽运光与芯片法线夹角约30°. 抽运源最大输出功率为30 W, 发射波长为(808 ± 5) nm, 光纤芯径为400 μm. 双增益芯片双波长VECSEL的谐振腔为图1所示的Y型共线结构, 在空间上可分为三个部分: 增益片1所在一臂长约为40 mm, 振荡激光为s偏振模式; 增益芯片2所在一臂长约为38 mm, 振荡激光为p偏振模式; 共线部分谐振腔长约为110 mm.
图 2 只抽运增益芯片1时所得荧光和激光光谱Figure2. Photoluminescence and laser spectra when gain chip 1 is pumped only.
热沉温度为室温, 只抽运增益芯片2时, 低抽运下测得的荧光光谱和形成激光振荡后测得的激光光谱如图3所示. 与增益芯片1不同, 增益芯片2有两个荧光峰值, 波长分别是1048 nm和1094 nm, 而增益芯片2量子阱的设计发射波长为1080 nm, 介于两个实际的荧光波长峰值之间. 出现这种现象的原因是增益芯片2的半导体谐振微腔是反谐振结构, 此反谐振结构对荧光光谱的调制作用使芯片的荧光光谱出现了两个峰值. 抽运功率大于激光器阈值功率后, 测得的激光波长位于1100 nm. 激光没有出现在较小的荧光峰值1048 nm处, 而是出现在较大荧光峰值1094 nm附近, 则是由于芯片底部DBR的反射率在1094 nm处明显高于其在1048 nm处的数值, 模式竞争的结果导致激光振荡位于1094 nm附近. 实际激光波长1100 nm比荧光峰值1094 nm稍大, 其原因与增益芯片1中的情形类似.
图 3 只抽运增益芯片2所得荧光和激光光谱Figure3. Photoluminescence and laser spectra when gain chip 2 is pumped only.
室温下, 同时抽运两片增益芯片, 即可获得双波长激光输出. 图4为双波长激光输出的激光光谱, 吸收抽运功率为5.8 W. 较短激光波长为953 nm, 较长激光波长为1100 nm, 且两个波长的强度相差不大. 长波长1100 nm的光谱半高全宽度为2.7 nm, 短波长953 nm的光谱半高全宽度为1.1 nm. 很明显, 增益芯片2中半导体微腔的反谐振结构在牺牲了芯片增益大小的同时, 展宽了增益谱的谱宽, 从而也一定程度地增加了振荡激光的光谱线宽, 所以长波长1100 nm激光的线宽要比短波长953 nm激光的线宽大. 双波长振荡激光的波长间隔为147 nm, 用于差频过程中对应的辐射位于7.1 μm, 处于中红外波段.
图 4 双波长VECSEL输出的激光光谱图Figure4. Laser spectra of the dual-wavelength VECSEL.
953 nm和1100 nm单独振荡以及双波长工作时VECSEL的输出功率如图5所示. 增益芯片1单独工作时, 当吸收的抽运功率大于4.5 W后, 有源区内的热效应导致激光输出功率开始下降. 单独工作的增益芯片1最大输出功率约为97.2 mW. 增益片2单独工作时, 在吸收的抽运功率大于5.8 W后, 激光输出功率才出现下降. 单独工作的增益芯片2最大输出功率为186.6 mW.
图 5 953 nm和1100 nm单独振荡以及双波长工作时VECSEL的输出功率Figure5. Output powers of the VECSEL when only 953 nm or 1100 nm mode oscillating, and dual-wavelength operating.
由图5可以看出, 抽运功率较低时, 增益芯片1的输出功率大于增益芯片2的输出功率. 但是当吸收抽运功率超过4.5 W后, 增益芯片2的输出功率开始超越增益芯片1. 这种情况出现的原因是由于增益芯片1的DBR的每层厚度本身比增益芯片2的小, 况且增益芯片1中DBR总层数也小于增益芯片2中DBR的总层数, 即增益芯片1中DBR的厚度明显小于增益芯片2中DBR厚度, 其热阻也就更小, 相应的热效应更低, 激光器在相同抽运下的输出功率更大. 当吸收抽运功率增加到超过4.5 W后, 芯片1中积累的热效应使激光器净增益下降, 输出功率也随之下降, 但芯片2中具有更多数目的量子阱, 仍能维持足够的净增益, 支持输出功率的继续增长. 直至芯片吸收的抽运功率超过5.8 W之后, 有源区的热效应致使增益芯片2的净增益也开始下跌, 使双波长总的输出功率出现下降. 双波长VECSEL在增益芯片1和2的吸收抽运功率为5.8 W时, 输出功率达到最大值293 mW.
由图5可知, 双波长振荡时VECSEL的总输出功率要略高于每块芯片单独工作时的功率之和. 我们认为其可能的原因是: 当增益芯片1单独工作时, 激光振荡的p分量完全透出谐振腔之外, 成为损耗; 同理, 当增益芯片2单独工作时, 其s分量完全反射出谐振腔. 但当两块芯片被同时抽运, 激光器工作在双波长状态下的时候, 芯片1的p分量透射到达芯片2, 会被芯片2部分吸收, 相当于在芯片2上增加了部分抽运能量, 一定程度地增大了芯片2的输出, 从而使双波长振荡的总输出功率略高于每块芯片单独工作时的功率之和.
