近日，印度德里大学物理与天文系薄膜实验室的Parvendra Kumar和Agnikumar G. Vedeshwar用严格的理论框架，论证了由连续波激光驱动的单量子点系统（single quantum dot system）能够产生频率可调的压缩单光子（frequency tunable sque ...

最新发现与创新据美国《物理评论快报》网站近日报道，上海交通大学金贤敏团队研制出了全球首个轨道角动量（OAM）波导光子芯片。这是首次在光芯片内制备出可携带光子OAM自由度的光波导，并实现光子OAM在波导内高效和高保真地传输。最新研究作为亮点文章在网站首页被重点推荐，有望在光通信和量子计算等领域“大显身 ...

记者从中国信息通信科技集团获悉：日前，我国自主研发的首款商用“100G硅光收发芯片”正式投产使用。该系列产品支持100—200Gb/s高速光信号传输，具备超小型、高性能、低成本、通用化等优点，可广泛应用于传输网和数据中心光传输设备。据介绍，该款商用化硅光芯片由国家信息光电子创新中心、光迅科技公司等单 ...

导读： 据麦姆斯咨询报道，香港中文大学和华威大学（The University of Warwick）的一个研究小组最近发表研究成果，表明实现太赫兹光束的宽带宽、大幅度且快速的调制是可能的，甚至只需非常简单的器件就能实现。 与太赫兹电磁频谱的其它频段相比，位于红外和微波之间的频段似乎被忽略了。据麦姆 ...

中国科学技术大学1月27日消息，该校俞书宏教授研究团队采用一种新型生物合成法，首次制备出系列宏观尺度功能纳米复合材料。近日，《国家科学评论》在线发表了中国科大俞书宏教授研究团队这一最新研究成果。纳米材料具有许多优异的性能，将纳米材料组装成宏观尺度体材料可实现微观性能向宏观的“集成”，并实现许多新的且 ...

中国科学技术大学教授潘建伟及其同事张强、范靖云、马雄峰等与中国科学院上海微系统与信息技术研究所和日本NTT基础科学实验室合作，在发展高品质纠缠光源和高效率单光子探测器件的基础上，利用量子纠缠的内禀随机性，在国际上首次成功实现器件无关的量子随机数。相关研究成果9月20日凌晨在线发表在《自然》杂志上。这 ...

导读： 维也纳技术大学（Vienna University of Technology，简称TU Wien）的这种特殊类型的激光器目前被用于微小空间（毫米级化学实验室）的化学分析。有了这项正在申请专利的新技术，频率梳可实现在单个芯片上以非常简单而可靠的方式创建。 多数激光器只发射一种颜色的激光，即激 ...

我校郭光灿院士团队在量子信息领域的研究中取得新进展，该团队李传锋、陈耕等人在测量设备不可信条件下实验获知了未知量子纠缠态保真度信息，首次在国际上实现了量子纠缠态的自检验。该研究成果12月13日发表在国际权威期刊《物理评论快报》上。量子纠缠是量子信息领域的重要资源。学术界通常采用量子态层析的办法来测定 ...

合作研究团队提出了一种全新的思路，基于变换光学物理原理来设计通用型集成多模光交叉连接器。利用麦克斯韦鱼眼棱镜结构独特的无像差成像特性，沿鱼眼圆周边界排布多路交叉的输入和输出波导，构成多模交叉连接器。近日，美国光学学会旗下顶级光学期刊Optica在线发表了武汉光电国家研究中心郜定山副教授研究组和厦门大 ...

双酚A型环氧树脂是环氧树脂中产量最大、使用最广的一种热固性树脂，具有固化收缩率低、成型容易、粘结能力强、力学强度高和耐化学腐蚀性优异的特点，被广泛用作涂料、粘结剂和复合材料等的树脂基体。环氧树脂固化形成的三维孔隙、缺陷等会导致树脂基体致密性差、阻隔性能低，抗剪切强度低和摩擦磨损性能差，进一步限制了其 ...

近日，由美国洛斯·阿拉莫斯国家实验室（LANL）锕系元素分析化学部的Benjamin T. Manard领衔的研究小组发布了他们关于激光诱导击穿光谱仪技术的最新进展。作为一种能对氧化铀基体中的稀土元素进行快速定性分析的方法，便携手持式激光诱导击穿光谱仪（handheld laser-induced ...

湖南师范大学物理与电子科学学院教授景辉，提出了一种单向量子声子激光技术，既能实现信号高保真度的定向放大，又可明显抑制反向噪声对芯片功能的干扰或损害。 在量子芯片中，跟超导比特耦合的声子谐振器，是连接转换光电信号和执行量子逻辑操作的关键部件。这类相干声子器件，在量子信息、纳米力学与热电材料、超灵敏传感 ...

光纤折射率传感器在生物检测，化学分析和环境监测中发挥了重要作用。与传统的折射率传感器相比，光纤传感器具有紧凑的尺寸，耐腐蚀性和高灵敏度的优点。到目前为止，研究者们已经提出了许多类型的光纤折射率传感器，例如基于表面等离子体共振、光纤布拉格光栅、长周期光栅和干涉型光纤折射率传感器。但是这些传感器大多是基 ...

激光诱导击穿光谱（LIBS）是一种用于材料成分分析的光谱测定技术，具有快速、原位、实时和简单样品制备等优点。然而，传统透镜式传输LIBS具有体积大、无法柔性传导激光等缺点。为了解决这一问题，近年来研究人员提出利用光纤来传输LIBS中所需的高能脉冲激光，即光纤传能激光诱导击穿光谱（FO-LIBS）技术 ...

2018年10月，上海光机所微纳光电子功能材料实验室王俊研究员课题组在原有工作的基础上发展了一种聚合物电解质辅助退火技术，实现了晶圆级过渡金属硫化物MoS2纳米薄膜中缺陷的调控，并从实验和理论上系统研究了缺陷对MoS2纳米薄膜在飞秒脉冲、1030 nm作用下的非线性吸收特性和载流子弛豫动力学的影响。 ...

导读： 据麦姆斯咨询报道，美国科学家设计开发了一种用于中红外激光束的非机械芯片转向器件。 毫无疑问，随着时间的推移机械设备总是更容易损坏，机械激光束转向系统以及家用汽车均是如此。特别是对于化学传感和激光雷达（LiDAR）应用，中红外光束扫描需要速度和可靠性，而机械运动反射镜和旋转棱镜等光束控制机构往 ...

我们知道，在时域中直接进行超快信号处理，并且要保障高分辨率和高可重构性，是一项具有挑战性的任务。最近，伊朗德黑兰沙力夫理工大学电子工程系的Zahra Kavehvash小组首次设计出了一种随着时间变化的超表面（time varying metasurface），可以用于太赫兹域的超快信号处理。该超表 ...

根据相关规定及中科院半导体所2020年硕士研究生招生复试方案，现将半导体所2020年硕士研究生（全国统考）拟录取名单公示如下： 考生编号 初试成绩 复试成绩 总成绩 ...

一、面试平台1、面试平台：科技云会下载网址：https://cc.cstcloud.cn/download。2、备用平台：腾讯会议下载网址：https://meeting.tencent.com/。请各位考生提前在终端设备上同时安装以上2个系统平台。二、考生面试要求：1、需要双机位模式，即需要2部带摄像头的设备，手机和电脑均可。一台设备从正面拍摄（简称正面机位） ...

2020年全国统考硕士研究生招生的复试和录取工作即将开始，半导体所将按照德、智、体全面衡量，择优录取，保证质量，宁缺毋滥的精神和公开、公平、公正的原则进行复试与录取工作。 一、复试分数线 根据半导体所2020年硕士生入学考试初试成绩情况，经研究决定，半导体所2020年硕士研究生招生复试分数线如下【专业课一包含数 ...

根据中国科学院大学招生办公室相关要求并结合半导体所实际情况，经研究决定，半导体所2020年硕士生招生少数民族高层次骨干人才计划、退役大学生士兵专项计划考生进入复试的初试成绩基本要求为总分不低于270分。 半导体所招生办 ...

一、复试分数线 根据半导体所2020年硕士生入学考试初试成绩情况，经研究决定，半导体所2020年硕士研究生招生复试分数线如下【专业课一包含数学（一）、数学（二）】： 学科门类 政治 外国语 ...

各位考生：目前，2020年硕士生招生全国统一入学考试初试成绩已公布。由于当前疫情防控工作正处于关键期，为落实教育部、北京市及国科大的防疫工作要求，复试相关工作相比往年将有所推迟。相关事项说明如下：一、复试分数线及复试工作安排等事宜请各位考生静候通知，具体时间待定，请及时关注中科院半导体所网站的相关通知； ...

各位2020年博士考生：按照《中国科学院大学2020年招收攻读博士学位研究生简章》，原计划于3月14-15日进行的全校秋季入学博士招生统一考试，待2月底时再根据疫情防控情况、上级教育主管部门相关要求并结合学校实际情况，在保证每一位考生考试环境安全的前提下，届时再决定是否如期举行或推迟举行。相关信息会及时网上公告，请 ...

根据教育部、中国科学院大学等有关规定，经过面试考核等程序并经研究所招生工作领导小组研究批准，现将半导体所2020年春季入学博士研究生拟录取名单公示如下：程力 崔宁 崔素宁 房景治 冯涛 郭玉洁 郝慧明 何亚伟 黄镇 贾晓皓 柯莎莎 剌晓波 李萌萌 李绍洋 李亚民 李燕 刘香全 刘阳 娄博杰 吕世荣 罗光 ...

艾玉杰，男，博士，研究员，硕士生导师。1981年出生。2011年毕业于北京大学，获博士学位。2016年加入中科院半导体所照明研发中心，致力于基于第三代半导体的5G移动通讯射频前端MEMS器件与模块的研制。联系方式：E-mail：aiyujie@semi.ac.cn；电话：在研/完成项目：（1）院人才 ...

安俊明，男，博士，研究员，博士生导师。1992年、1998年和2004年分别在内蒙古大学、大连理工大学和中国科学院半导体研究所获得学士、硕士和博士学位，2006年7月博士后出站。现为中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室研究员、博士研究生导师。“国家百千****才工程”入选人员，并荣获“有突出贡献 ...

曹玉莲,女，博士，副研究员，硕士生导师。　　2000.9-2003.4在中科院长春光学精密机械与物理研究所攻读硕士研究生。2003.9考入中科院半导体研究所攻读博士学位。2006年，博士毕业后留在中科院半导体所纳米光电子实验室工作，主要从事光电子器件方面的研究，在量子点器激光器及InAs/GaSbI ...

常凯，男，博士，研究员，中科院院士，博士生导师。　　1964年8月出生于安徽潜山，1996年北京师范大学物理系凝聚态物理专业毕业并获理学博士学位。1996年-1998年在中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士后，1998年-2001年赴比利时安特卫普大学物理系合作研究。现任中科院半导体所超晶格国家重 ...

陈备，男，博士，副研究员，硕士生导师。　　2004年6月毕业于北京大学信息科学技术学院，获电子信息科学与技术专业理学学士学位。2009年6月毕业于中国科学院半导体研究所，获微电子与固体电子学专业工学博士学位。2009年7月至今在中国科学院半导体研究所高速电路与神经网络实验室工作，先后担任助理研究员、 ...

陈弘达，男，博士，研究员，博士生导师。　　1960年生。曾任中科院半导体所副所长，兼中国科学院研究生院教授，国家863计划新材料领域专家组成员，《半导体科学与技术丛书》副主编，中国电子学会半导体与集成技术分会委员，中国光学学会光电技术专业委员会委员，中国材料研究学会青年委员会常务理事，北京电子学会半 ...

陈良惠，男，中国工程院院士，研究员，博士生导师。　　1963年毕业于复旦大学，同年到中国科学院半导体所工作至今。　　在国内率先实现量子阱激光器的突破，并开拓不同波长，不同功率，不同应用目标的量子阱激光器的研制、开发与工程化。在国内外发表文章100多篇。承担并出色完成中科院重大项目，国家攻关、863、 ...

陈平，男，博士，副研究员，硕士生导师。　　中科院“青年创新促进会”会员。2003年毕业于中国科学技术大学物理系，获学士学位；2008年毕业于半导体所，获得博士学位并留所工作。　　主要从事III族氮化物光电子材料的外延生长及器件应用研究，取得的学术成绩包括：1.提出了一种由非掺杂复合波导层代替p型掺杂 ...

陈少武，男，博士，研究员，博士生导师。1991年毕业于四川大学光电科学技术系，1997年在中国科学院西安光学精密机械研究所获理学博士学位。1997-1999年在中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心做博士后，1999年至今在中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室工作，主要从事硅基光子学研 ...

陈伟，男，博士，副研究员，硕士生导师。2004年毕业于北京师范大学物理系，获理学学士；2009年毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位；2010年至2012在新加坡科技研究局I2R研究所，客座科学家，现任中科院半导体所副研究员。所获奖励：获2016年度中国通信学会科学技术一等奖。主要研究领域方 ...

陈雄斌，男，博士，研究员，博士生导师。　　1996年在华东师范大学获光电子技术专业学士学位，2001年在国防科学技术大学获信息与通信工程专业硕士学位，2007年在中国科学院半导体研究所获微电子学与固体电子学博士学位并留所工作。1996年到2004年曾在湖南大学任教。2007年到2009年曾在国防科学 ...

陈涌海，男，博士，研究员，博士生导师。国家****科学基金获得者、新世纪百千****才工程国家级人选、国务院政府特殊津贴获得者，国家重大科学研究计划首席科学家。1990年于北京大学物理系获学士学位，1993年于北京科技大学物理系获硕士学位，1993年至今在中科院半导体所从事半导体材料物理研究工作；9 ...

成步文，男，博士，研究员，博士生导师。1989年在北京师范大学物理系获学士学位，1992年在北京师范大学低能核物理研究所获硕士学位，2006年在中国科学院半导体研究所获博士学位。1992年入中国科学院半导体研究所工作。他现任集成光电子学国家重点实验室学术委员会副主任，中国光学工程学会微纳光电子集成技 ...

崔利杰，男，博士，副研究员，硕士生导师。　　1996年在内蒙古大学物理系获得学士学位，1999年在北京科技大学材料物理系获得硕士学位，2002年6月在中国科学院半导体研究所获得博士学位，2002年7月在中国科学院半导体研究所博士后工作站，开展了GaAs基MHEMT、InP基InAlAs/InGaAs ...

邓惠雄，男，博士，研究员，硕士生导师2005年本科毕业于内蒙古大学物理基地班，2010年底在中国科学院半导体研究所获得理学博士学位，导师：李树深院士。2011年初至2014年初，在美国再生能源国家实验室(NREL)从事博士后研究，师从著名半导体物理学家魏苏淮教授。随后回到中国科学院半导体研究所半导体 ...

段瑞飞，男，博士，副研究员，硕士生导师。　　1975年6月出生。1997年于内蒙古大学物理系获得理学学士学位，2000年于北京科技大学材料物理系获得工学硕士学位，2003年于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2003－2005年在中国电子科技集团公司五十五所从事材料生长工作。2005年4月至今 ...

樊中朝，男，博士，正高级工程师，博士生导师。2004年于中科院半导体所获得微电子学与固体电子学专业博士学位，博士期间主要从事SOI基光波导器件及其制备研究。2004年7月进入中科院半导体所集成技术工程研究中心工作，目前研究领域主要包括GaN、SiC电力电子器件和新型光学集成器件研究。在完成国家科研课 ...

冯春，女，博士，副研究员，硕士生导师。1983年1月生，2009年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获材料物理与化学专业博士学位；目前主要从事III族氮化物材料和器件研究，主要包括GaN基异质结构材料MOCVD生长、GaN基电力电子器件研制、GaN基生物传感器研制等相关研究工作。迄今已在国内外几种主 ...

冯鹏，男，博士，副研究员，硕士生导师。1983年生，2006年毕业于四川大学物理科学与技术学院微电子系获理学学士学位，2011年毕业于中国科学院半导体研究所获工学博士学位，2011年起在中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室工作，主要从事新型无源无线传感芯片、高可靠高速并行图像处理芯片和高 ...

龚国良，男，博士，副研究员，硕士生导师。2006年毕业于天津医科大学生物医学工程系，获工学学士学位，2012年于中国科学院半导体研究所获工学博士学位，随后在半导体所高速电路与神经网络实验室工作，任类脑计算研究中心副主任。主要从事智能算法与类脑计算系统、图像处理芯片、AI芯片、神经网络算法及其应用研究 ...

关敏，女，博士，副研究员，硕士生导师。　　2001年毕业于内蒙古大学获得理学硕士学位；2004年于北京大学化学与分子工程学院获得博士学位；2004至2006年期间在北京大学黄春辉院士课题组从事博士后研究工作；2006年7月至今在中国科学院半导体研究所材料重点实验室工作。长期从事有机、有机/无机光电子 ...

韩勤，男，博士，研究员，博士生导师。　　1988年毕业于中国科技大学物理系，获理学学士，1991至今于中科院半导体所，期间分别获得硕士和博士学位。长期从事半导体光电子材料及器件物理、应用研究，先后主持和参与了多项“863”、“973”自然科学基金研究，发表论文80余篇，担任IEEEJ.Lightwa ...

韩伟华，男，博士，研究员，博士生导师。　　中国微米纳米技术学会会员。1995年在沈阳工业大学电子工程系获得学士学位；1998年在吉林大学电子工程系获理学硕士学位；2001年在中国科学院半导体研究所光电子国家重点实验室获理学博士学位；2004年从日本北海道大学集成量子电子学研究中心留学归国，进入中国科 ...

黄北举，男，博士，副研究员，硕士生导师。2004年毕业于西安电子科技大学，获工学学士学位。2009年毕业于中国科学院半导体研究所，获微电子学与固体电子学专业博士学位。2011年至2013年在清华大学电子系做博士后研究，2014年至2015年在美国加州大学欧文分校电子工程系做访问****。中国光学学会 ...