韩伟华，男，博士，研究员，博士生导师。
　　中国微米纳米技术学会会员。1995年在沈阳工业大学电子工程系获得学士学位；1998年在吉林大学电子工程系获理学硕士学位；2001年在中国科学院半导体研究所光电子国家重点实验室获理学博士学位；2004年从日本北海道大学集成量子电子学研究中心留学归国，进入中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心工作。长期致力于半导体纳米结构电子与光电子器件及其应用的研究，主持完成国家自然科学基金、863计划和973计划等多项重要研究课题。在Appl.Phys.Lett.、Opt.Lett.、IEEEElectron.Dev.Lett.、J.Appl.Phys等国际著名专业学术期刊发表论文60余篇，编著出版英文图书1部（TowardQuantumFinFET,Springer,2013），授权国家发明专利11项，参加国际学术会议20余次。
　　取得的主要科研成果：
　　建立了硅片键合界面反应动力学模型和智能剥离工艺的理论模型（J.Appl.Phys.,Vol.88,No.7,p.4404,2000;J.Appl.Phys.,Vol.89,No.11,p.6551,2001）；利用GaAs基单电子晶体管低温探测THz激光，揭示了THz光子辅助单电子隧穿的过程（Phys.Stat.Sol.(c),Vol.0,No.4,p.1329,2003;TowardQuantumFinFET,Springer,p.351,2013）；设计制作了权重可控的脉冲耦合CMOS神经元电路，比传统人工神经元在脉冲耦合、时空累加、生物不应期等方面更好地模仿了生物神经元。（IEEEICSICT,p.1-95,2012；IEEEICSICT,p.1883,2010）；首次利用飞秒激光光刻技术制作完成T形栅GaN基高电子迁移率晶体管和量子效应硅纳米线晶体管，为半导体纳米结构器件制备拓展了新的加工途径（Appl.Phys.A,Vol.106,p.575,2012；J.Appl.Phys.,Vol.116,p.124505,2014）。在量子效应硅纳米线晶体管的低温输运特性研究中，取得多项重要研究成果：发现了电子依赖杂质由零维向一维输运转化的量子电学过程（IEEEElectronDev.Lett.,Vol.34,No.5,p.581,2013）；发现了器件的变温电学特性主要取决于电子库仑相互作用能、杂质电离能和俘获电子的热激活能（J.Appl.Phys.,Vol.114,p.124507,2013）；发现了低温条件下不完全电离杂质存在电离能和热激活能竞争，导致在15K临界温度处具有最小迁移率（Appl.Phys.Lett.,Vol.102,p.223507,2013）；观测到了电离杂质作为量子点产生的单电子效应，以及多量子点耦合产生的劈裂电流谱峰（Appl.Phys.Lett.,Vol.104,p.133509,2014）；观测到了杂质热激活能对电子输运机制产生重要影响，证明了由局域态向扩展态转变的Anderson转换温度依赖于电子热激活能与库仑能的平衡（J.Appl.Phys.,Vol.116,p.124505,2014）。
　　主要研究方向或领域：
　　半导体纳米结构器件
　　联系方式：
　　E-mail:weihua@semi.ac.cn；电话：。
　　完成/在研主要项目：
　　1、教育部留学回国人员科研启动基金“硅基单电子器件研制”，2.5万，主持，2005年11月-2006年12月；
　　2、所长基金No.2005DF01“硅基单电子晶体管的研究”，10万，主持，2005年9月-2007年8月；
　　3、国家自然科学基金No.**“SOI衬底上单电子晶体管的研制”，26万，主持，2006年1月-2008年12月；
　　4、国家自然科学基金No.**“非对称库仑岛串联结构的硅基单电子器件的研究”，7万，主持，2008年1月-2008年12月；
　　5、国家863计划No.2007AA03Z303“硅基单电子神经元量子电路的研制”，100万，主持，2007年12月-2010年11月；
　　6、国家973计划No.2010CB934104“纳米器件制备工艺创新与应用基础研究”，583万，主持，2010年1月-2014年8月；
　　7、国家自然科学基金No.**“硅基III-V族纳米线选区横向生长及其高迁移率3D晶体管研究”，90万，主持，2014年1月-2017年12月；
　　8、国家自然科学基金国家重大科研仪器设备研制专项No.**“基于低能场发射电子的三维微纳加工与原位测量系统”，100万，参与，2014年1月-2018年10月。
　　代表性论文：
　　[1]H.Wang,W.H.Han*,X.M.Li,Y.B.Zhang,andF.H.Yang,Low-temperaturestudyofarrayofdopantatomsontransportbehaviorsinsiliconjunctionlessnanowiretransistor,JournalofAppliedPhysics,Vol.116,p.124505,2014.(通信作者)
　　[2]W.Hao,W.H.Han*,L.H.Ma,X.M.Li,W.T.Hong,andF.H.Yang,Current-voltagespectroscopyofdopant-inducedquantum-dotsinheavilyn-dopedjunctionlessnanowiretransistors,AppliedPhysicsLetters,Vol.104,p.133509,2014.（通信作者）
　　[3]L.H.Ma,W.H.Han*,H.Wang,X.M.Li,andF.H.Yang,Temperaturedependenceofelectronicbehaviorsinn-typemultiplechanneljunctionlesstransistors,JournalofAppliedPhysics,Vol.114,p.124507,2013.（通信作者）
　　[4]X.M.Li,W.H.Han*,H.Wang,L.H.Ma,Y.B.Zhang,Y.D.DuandF.H.Yang，Low-temperatureelectronmobilityinheavilyn-dopedjunctionlessnanowiretransistor,AppliedPhysicsLetters,Vol.102,p.223507,2013.（通信作者）
　　[5]X.M.Li,W.H.Han*,L.H.Ma,H.Wang,Y.B.ZhangandF.H.Yang，Low-temperaturequantumtransportcharacteristicsinSinglen-channeljunctionlessnanowiretransistors,IEEEElectronDeviceLetters,Vol.34,No.5,pp.581-583,2013.（通信作者）
　　[6]Y.K.Chen,W.H.Han*andF.H.Yang,Enhancedopticalabsorptioninnanohole-texturedsiliconthinfilmsolarcellswithrear-locatedmetalparticles,OpticsLetters,Vol.38,No.19,pp.3973-3975,2013.（通信作者）
　　[7]W.H.Han*,Y.Xiong,K.Zhao,Y.B.ZhangandF.H.Yang,AnalogCMOSpulse-coupledneuroncircuitwithmultipath-switchingdevice,IEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitsTechnologyProceedings(ICSICT),Oct.29-Nov.1,2012,P1-95.（通信作者）
　　[8]Y.D.Du,H.Z.Cao,W.Yan,W.H.Han*,Y.Liu,X.Z.Dong,Y.B.Zhang,F.Jin,Z.S.Zhao,F.H.YangandX.M.Duan,T-shapedgateAlGaN/GaNHEMTsfabricatedbyfemtosecondlaserlithographywithoutablation,AppliedPhysicsA,Vol.106,pp.575–579,2012.（通信作者）
　　[9]W.H.Han*,J.Z.Yu,Athermodynamicmodelonhydrogen-inducedsiliconsurfacelayercleavage,JournalofAppliedPhysics,Vol.89,No.11,pp.6551~6553,2001.（通信作者）
　　[10]W.H.Han*,J.Z.YuandQ.M.Wang,ModelingthedynamicsofSiwaferbondingduringannealing,JournalofAppliedPhysics,Vol.88,No.7,pp.4404~4406,2000.（通信作者）