黄永光，男，博士，副研究员，硕士生导师
2004年毕业于中央民族大学，2010年毕业于北京工业大学获光学专业博士学位。2010年至今在中国科学院半导体研究所材料重点实验室光子集成芯片课题组工作，2012、2013年曾在英国阿斯顿大学做访问****。
主要从事集成光子芯片和超短脉冲激光微细加工的研究，组建了皮秒激光加工实验平台，利用微细激光钻孔技术制作了高性能的发射极环绕硅太阳能电池、研制成功超饱和掺碲的广谱超高响应硅光探测器其在3V反向偏压下响应度达到100A/W。参与完成973课题1项、中科院研发项目1项，作为负责人主持了国家自然科学基金、北京市自然科学基金和科技部863项目子课题等各1项，近年来发表论文10余篇，目前主要关注高速半导体激光器芯片的研发与应用。
主要研究领域方向：
1）通信技术中的高速半导体激光器及其产业化技术研究
2）超短脉冲微细加工技术及其在新型光电器件中的应用
联系方式：
E-mail:yghuang@semi.ac.cn，Tel：
在研/完成项目：
面对模拟通讯应用的被动反馈高速直调DFB激光器研究，国家基金委面上基金，2016-2019，主持，在研
10Gbit/s高速DFB激光器芯片产业化，企业合作项目，2015-2018，学术骨干，在研
碲元素超饱和掺杂的硅基材料及其光电探测器研究，北京市自然科学基金委面上基金，2012-2014，主持，结题
效率20%以上新型电极结构晶体硅电池产业化关键技术及示范生产线，863课题，2012-2015，子课题负责人，结题
Ultrafastlasermicromachiningofsemiconductormaterialsforsolarcells，英国皇家工程学会国际合作项目，2012-2013，中方负责人，结题
新型微纳结构硅材料及广谱高效太阳能电池研究，科技部-973计划项目，2010-2014，学术骨干，结题
代表性论文或著作：
WangXiyuan,HuangYongguang*,LiuDewei,ZhuXiaoning,ZhuHongliang.HighResponseinTellurium-SupersaturatedSiliconPhotodiode.Chin.Phys.Lett.30(3):036101(2013)
YongguangHuang,XiaoningZhuandHongliangZhu.Ytterbium-pulsedfiberlaserpercussiondrillingsiliconforemitterwrapthroughsolarcells.SPIESolarEnergy+Technology，LaserMaterialProcessingforSolarEnergy,8473-28,SanDiego,California,USA(2012)
YongguangHuang,ShibingLiu,WeiYangandChengxinYu.SurfaceRoughnessAnalysisandImprovementofPMMA-basedMicrofluidicChipChambersbyCO2LaserCutting,Appl.Surf.Sci.2010,256(6):1675~1678
YongguangHuang,ShibingLiu,WeiLi,YuanxingLiuandWeiYang.Two-dimensionalPeriodicStructureinducedbySingle-beamFemtosecondLaserPulsesIrradiatingTitanium.Opt.Express.2009,17(23):20757~20762
黄永光，朱洪亮，王宝军，利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法，授权发明专利，专利号：CN7.9，授权公告日期：2016.04.27
朱洪亮，黄永光，朱小宁，一种制作发射极环绕型太阳电池的方法，授权发明专利，专利号：CN20**，授权公告日期：2015.06.03
刘德伟，黄永光，朱小宁，王熙元，马丽，朱洪亮，具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法，授权发明专利，专利号：CNB，授权公告日期：2012.10.31