邓惠雄，男，博士，研究员，硕士生导师
2005年本科毕业于内蒙古大学物理基地班，2010年底在中国科学院半导体研究所获得理学博士学位，导师：李树深院士。2011年初至2014年初，在美国再生能源国家实验室(NREL)从事博士后研究，师从著名半导体物理学家魏苏淮教授。随后回到中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。国家自然科学基金委优秀青年科学基金获得者，中科院青年创新促进会会员。
取得的主要学术成果：
长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体光电功能材料物性研究与设计等领域的研究，并取得一系列创新性成果：(1)在原子尺度阐明了金属杂质在不同半导体中的扩散机理；(2)发展半导体掺杂与缺陷理论，修正了传统缺陷计算理论；(3)提出了异价无序合金带隙的反统计平均行为及同价大失配合金的能带交叉模型；(4)提出了非晶半导体间导电差异性的缺陷理论;(5)系统地研究了晶格匹配III-V/II-VI异价超晶格的界面结构及其稳定性:(6)首次提出了氢钝化可以降低氧化物纳米结构的能隙，增强光吸收，并得到了实验验证。已经发表SCI论文50多篇。包括NatureEnergy1篇、Phys.Rev.Lett.2篇、Phys.Rev.X1篇、Phys.Rev.B6篇、Adv.Mater.2篇、Adv.Func.Mater.2篇、Appl.Phys.Lett.4篇。
主要研究方向：
半导体掺杂和缺陷物理
半导体声子物理
半导体合金
半导体光电功能材料物性研究与设计
联系方式：
E-mail：hxdeng@semi.ac.cn；Tel：
在研/完成项目情况：
1.国家自然科学基金委优秀青年科学基金，直接经费120万，执行时间2020.01-2022.12，项目负责人。
2.国家自然科学基金面上项目，“温度引起的半导体能带结构和输运性质的重整化：电-声子相互作用效应”，直接经费63万，执行时间2019.01-2022.12，项目负责人。
3.国家自然科学基金面上项目，“先进半导体热电材料微观机理的第一性原理研究及性能优化和设计”，总经费90万，执行时间2015.01-2018.12，项目负责人。
4.中科院青年创新促进会会员，总经费80万，执行时间2017.01-2020.12，项目负责人。
5.国家重大科技专项，“环境友好型高稳定性太阳能电池的材料设计与器件研究”，总经费1800万，执行时间2016.07-2020.06，课题骨干。
6.国家自然科学基金重点项目，“透明导电体的物理机理研究与新材料设计”，总经费350万，执行时间2017.01-2021.12，子课题负责人。
7.国家自然科学基金青年基金，“透明导电氧化物纳米结构的掺杂、形状及尺寸效应的第一性原理研究”，总经费26万，执行时间2012.01-2014.12，项目负责人。
8.国家高技术研究发展计划（原863计划），“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”，总经费950万，执行时间2009.01-2012.12，参与。
部分代表性论文：
Hui-XiongDeng,andSu-HuaiWei,“CommentonFundamentalResolutionofDifficultiesintheTheoryofChargedPointDefectsinSemiconductors”,Phys.Rev.Lett.120,039601(2018).
Hui-XiongDeng,Zhi-GangSong,Shu-ShenLi,Su-HuaiWei,andJun-WeiLuo,“Atomic-Ordering-InducedQuantumPhaseTransitionbetweenTopologicalCrystallineInsulatorandZ(2)TopologicalInsulator”,Chin.Phys.Lett.(ExpressLetter)35,057301(2018).
Liang-PoTang,Li-MingTang,HuaGeng,Yuan-PingYi,ZhongmingWei,Ke-QiuChen,andHui-XiongDeng*,“Tuningtransportperformanceintwo-dimensionalmetal-organicframeworksemiconductors:Roleofthemetaldband”,Appl.Phys.Lett.112,012101(2018)。
LiangWang,Deng-BingLi,KanghuaLi,ChaoChen,Hui-XiongDeng,LiangGao,YangZhao,FanJiang,LuyingLi,FengHuang,YisuHe,HaishengSong,GuangdaNiu,JiangTang,“Stable6%-efficientSb2Se3solarcellswithaZnObufferlayer”,NatureEnergy2,17046,(2017)
Hui-XiongDeng,Jun-WeiLuo,Shu-ShenLi,andSu-HuaiWei,“OriginoftheDistinctDiffusionBehaviorsofCuandAginCovalentandIonicSemiconductors”,Phys.Rev.Lett.117,165901(2016).
Hui-XiongDeng,J.-W.Luo,andS.-H.Wei,“Chemicaltrendsofstabilityandbandalignmentoflattice-matchedII-VI/III-Vsemiconductorinterfaces”,Phys.Rev.B.91,075315(2015).
J.Ma,Hui-XiongDeng*,Jun-WeiLuo,andSu-HuaiWei，“Originofthefailedensembleaverageruleforthebandgapsofdisorderednonisovalentsemiconductoralloys”.Phys.Rev.B90,115201(2014).
Hui-XiongDeng,JingboLi,AronWalsh，Shu-ShenLi,andSu-HuaiWei,“Electronicoriginoftheconductivityimbalancebetweencovalentandionicamorphoussemiconductors”，Phys.Rev.B87,125203(2013).
Hui-XiongDeng,JingboLi,Shu-ShenLiandSu-HuaiWei,“Effectofhydrogenpassivationontheelectronicstructureofionicsemiconductornanostructures”,Phys.Rev.B85,195328(2012).
Hui-XiongDeng,JingboLi,Shu-ShenLi,Jian-BaiXia,HaoweiPeng,Lin-WangWangandSu-HuaiWei,“Bandcrossinginisovalentsemiconductoralloyswithlargesizemismatch:First-principlescalculationsoftheelectronicstructureofBiandNincorporatedGaAs”,Phys.Rev.B82,193204(2010).