韩勤，男，博士，研究员，博士生导师。
　　1988年毕业于中国科技大学物理系，获理学学士，1991至今于中科院半导体所，期间分别获得硕士和博士学位。长期从事半导体光电子材料及器件物理、应用研究，先后主持和参与了多项“863”、“973”自然科学基金研究，发表论文80余篇，担任IEEE J.Lightwave Tech.、IEEE Electron Device Letter、Optics and Laser Tech.、Chin. Phys. Letter、物理学报、光学学报、Chin. Phys. B、光学快报等刊物审稿人，国家高技术研究发展计划（863计划）项目首席专家。
　　曾从事低阈值1.3mmInGaAsP/InP双区共腔双稳激光器、GaAs/AlGaAs超晶感格自电光效应器件、大功率半导体激光器及光纤耦合模块的研究、GaAs基GaInNAs（Sb）长波长光电子材料与器件、垂直腔面发射激光器，微腔及垂直腔增强型光电子器件、自组装量子点激光器研究，作为主要研究人员两次获得中国科院自然科学进步一等奖和北京市科技技术二等奖。课题组在国际上首次研制出GaAs基1.55mm共振腔增强型探测器、1.59mm GaInNAsSb室温连续激射量子阱激光器；在国内首次研制出1.33mm室温连续激射自组装量子点激光器、1.3mm室温工作面发射激光器；以及带宽大于40GHz的高速波导探测器。
　　目前主要研究方向：
　　半导体光电集成芯片及材料、片上光互联、新型半导体光探测器及阵列、石墨烯相关光电器件研究。
　　联系方式：
　　电话：；E-mail：hanqin@semi.ac.cn
　　目前承担的主要科研项目：
　　1.国家高技术研究发展计划（863计划）：光电子集成芯片及其材料关键工艺技术
　　2.中科院重点部署项目：石墨烯在光调制器件中的前瞻性研究
　　3.国家自然科学基金：100Gb/s多波长并行高速光探测集成芯片
　　4.国家高技术研究发展计划（863计划）：光互连芯片中微腔原理、核心器件研究
　　5.国家重大科学研究计划纳米专项：面向高性能计算机超结点的关键微纳光电子器件及其集成技术研究
　　代表性论著 ：
　　1. LIU Shao-Qing, HAN Qin, ZHU Bin, YANG Xiao-Hong, NI Hai-Qiao, HE Ji-Fang, WANG Win, NIU Zhi-Chuang, “Tunable Metamorphic Resonant Cavity Enhanced InGaAs Photodetectors Grown on GaAs Substrate” CHIN.PHYS.LETT. Vol. 29, No. 3 (2012) 03851
　　2. Wang Jie, Han Qin,_ Yang Xiao-Hong, and Wang Xiu-Ping Ni Hai-Qiao and He Ji-Fang “Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs” J. Vac. Sci. Technol. B 29（4），041208-1，2011
　　3. S. Q. Liu,Q. Han,B. Zhu, X. H. Yang, H. Q. Ni, J. F. He, X. Wang, M. F. Li,Y. Zhu, J. Wang, X. P. Wang, and Z. C. Niu “High performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate” Appl. Phys. Lett. Vol.98, 201104, 2011
　　4. ZHU Bin, HAN Qin,YANG Xiao-Hong,NI Hai-Qiao,HE Ji-Fang,NIU Zhi-Chuan,WANG Xin, WANG Xiu-Ping,WANG Jie, “Metamorphic InGaAs p-i-nPhotodetectors with 1.75 um Cut-Off Wavelength Grown on GaAs” Chin.Phys.Lett.Vol. 27, No. 3，pp：038504 (2010)
　　5. Q. Han, X.H.Yang, Z.C.Niu, H.Q.Ni, Y.Q.Xu, S.Y.Zhang, Y.Du, L.H.Peng, H.Zhao, C.Z.Tong, R.H.Wu and Q.M.Wang, “1.55μm GaInNAs resonant-cavity- enhanced photodetector grown on GaAs”, Appl. Phys. Lett. 87, 111105 (2005).
　　6. Q. Han, Z. C. Niu, L. H. Peng, H. Q. Ni, X. H. Yang, Y. Du, H. Zhao, R. H. Wu and Q. M. Wang,“Demonstration of 1.55 μm Low-temperature-grown Resonant- cavity-enhanced photodetector with high efficiency” Appl. Phys. Lett. 89, (2006).
　　7. Qin. Han, Z.C.Niu,H.Q.Ni, S.Y.Zhang, X.H.Yang, Y.Du, C.Z.Tong, H.Zhao, Y.Q.Xu, L.H.Peng, R.H.Wu, “Room temperature continuous wave operation of 1.33mm InAs/GaAs quantum dot laser with high output power”, Chinese Optics Letters Vol4. No7, 413(2006)
　　8. Q. Han, Z. C. Niu, L. H. Peng, H. Q. Ni, X. H. Yang, Y. Du, H. Zhao, R. H. Wu and Q. M. Wang,“1.55 μm Low-temperature-grown Resonant- cavity-enhanced photodetector” ACTA Photonica Sinca Vol.35, No.4, 549(2006).
　　9. Z.C.Niu, Q. Han, H.Q.Ni, X.H.Yang, Y.Q.Xu, Y.Du, S.Y.Zhang, L.H.Peng, H.Zhao, D.H.Wu, S.Y.Li, Z.H.He, Z.W.Ren R.H.Wu, “Material growth and device fabrication of GaAs based 1.3um GaInNAs quantum well laser diodes”, Chin. J. Semiconductors, 26, 1860(2005).
　　10.Z.C.Niu, S.Y.Zhang, H.Q.Ni, D.H.Wu, H.Zhao, L.H.Peng, Y.Q.Xu, S.Y.Li, Z.H.He, Z.W.Ren, Q. Han, X.H.Yang, Y.Du, R.H.Wu, “GaAs based room temperature continuous-wave 1.59um GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy”, Appl. Phys. Lett., Vol.87, 231121(2005).