删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-成步文

本站小编 Free考研考试/2020-05-25

成步文,男,博士,研究员,博士生导师。
1989年在北京师范大学物理系获学士学位,1992年在北京师范大学低能核物理研究所获硕士学位,2006年在中国科学院半导体研究所获博士学位。1992年入中国科学院半导体研究所工作。他现任集成光电子学国家重点实验室学术委员会副主任,中国光学工程学会微纳光电子集成技术专家委员会副主任。他20多年来一直致力于硅基光电子材料和器件的研究,在SiGe、Ge、GeSn、GePb等Ⅳ族材料外延生长、特性研究、器件研制等方面做出了系统性研究成果。发表学术论文240余篇,获得国家发明专利20项。
主要研究方向:
硅基光电子异质结构材料生长和器件研制
联系方式:
Email:cbw@semi.ac.cn,Tel:
近年完成/在研的主要项目:
锗锡合金中锡的迁移动力学研究,面上基金,(2018.1-2021.12,主持)
16通道100Gbps高响应低暗电流硅基微纳锗硅探测器阵列研究,重点研发计划课题,(2017.7-2022.6,主持)
高性能Ge-Si单光子雪崩倍增探测器基础研究,重点基金,(2016.1-2020.12,骨干)
300nm-1400nm宽光谱成像技术研究(基于多层纳米半导体材料),北京市科委,(2015.7-2018.6,主持)
硅基高速光接收机集成芯片基础研究,重点基金,(2015.1-2019.12,主持)
硅基锗锡合金材料外延生长机理研究,面上基金,(2012.1-2015.12,主持)
硅基锗材料外延及其相关器件基础研究,重点基金,(2011-2014,主持)
硅基集成100Gb/s相干接收和传输芯片技术,863课题,(2011-2013,负责子课题)
基于能带工程的硅基发光材料及光电子原型器件,973课题,(2007.7-2011.8,骨干)
Si衬底上的高速Ge光电探测器集成技术,863课题,(2006.12-2008.12,主持)
绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究,面上基金,(2007.1-2009.12,主持)
Si基光电子学关键器件基础研究,重点基金,(2004.1-2007.12,骨干)
SiGe/Si单片集成高速OEIC光接收芯片的研究,863课题,(2002.7-2005.10,主持)
GeSi/SiMQW波长可调光电探测器,863课题,(1998.10-2000.10,主持)
近期发表的主要论文:
ZhiLiu,JietaoLiu,BuwenCheng*,JunZheng,ChuanboLi,ChunlaiXueandQimingWang,EnhancedlighttrappinginGe-on-Si-on-insulatorphotodetectorbyguidedmoderesonanceeffect,JournalofAppliedPhysics,124,053101(2018)
ZhiLiu,JuanjuanWen,ChuanboLi,ChunlaiXue,BuwenCheng*,ResearchprogressofGeoninsulatorgrownbyrapidmeltinggrowth,J.ofSemiconductors,39(6):061005(2018)
JunZheng,ZhiLiu,YongwangZhang,YuhuaZuo,ChuanboLi,ChunlaiXue,BuwenCheng,QimingWang,Growthofhigh-Sncontent(28%)GeSnalloyfilmsbysputteringepitaxy,JournalofCrystalGrowth,492:29–34(2018)
JunZheng,YongwangZhang,ZhiLiu,YuhuaZuo,ChuanboLi,ChunlaiXue,BuwenCheng,andQimingWang,FabricationofLow-ResistanceNiOhmicContactsonn+-Ge1?xSnx,IEEETransactionsonElectronDevices,65(11):4971-4974(2018)
KaiYu,FanYang,HuiCong,LinZhou,QingyunLiu,LichunZhang,BuwenCheng,ChunlaiXue,YuhuaZuo,ChuanboLi,Fabricationofhigh-hole-mobilitygermanium-on-insulatorwafersthroughaneasymethod,JournalofAlloysandCompounds,750:182-188(2018)
HuiCong,FanYang,ChunlaiXue,KaiYu,LinZhou,NanWang,BuwenCheng,andQimingWang,MultilayerGraphene–GeSnQuantumWellHeterostructureSWIRLightSource,Small,14:**(2018)
FanYang,HuiCong,KaiYu,LinZhou,NanWang,ZhiLiu,ChuanboLi,QimingWang,andBuwenCheng*,UltrathinBroadbandGermanium?GrapheneHybridPhotodetectorwithHighPerformance,ACSAppl.Mater.Interfaces,9,13422?13429(2017)
ZhiLiu,FanYang,WenzhouWu,HuiCong,JunZheng,ChuanboLi,ChunlaiXue,BuwenCheng*andQimingWang,48GHzHigh-PerformanceGe-on-SOIPhotodetectorWithZero-Bias40GbpsGrownbySelectiveEpitaxialGrowth,JounalofLightwaveTechnology,35(24):5306-5310(2017)
WenzhouWu,BuwenCheng*,JunZheng,ZhiLiu,ChuanboLi,YuhuaZuoandChunlaiXue,Highgain-bandwidthproductGe/Situnnelingavalanchephotodiodewithhigh-frequencytunnelingeffect,JournalofSemiconductors,38(11):114003(2017)
WenqiHuang,BuwenCheng,ChunlaiXue,HongYang,ThebandstructureandopticalgainofanewIV-groupalloyGePb:Afirst-principlescalculation,JournalofAlloysandCompounds,701:816e821(2017)
JunyingZhang,ChunqianZhang,ZhiLiu,JunZheng,YuhuaZuo,ChunlaiXue,ChuanboLi,BuwenCheng,High-performanceball-milledSiOxanodesforlithiumionbatteries,JournalofPowerSources,339:86e92(2017)
MehdiAfshariBavil,ZhiLiu,WenzhouWu,ChuanboLi,BuwenCheng,PhotocurrentEnhancementinSi-GePhotodetectorsbyUtilizingSurfacePlasmons,Plasmonics,12:1709–1715,2017
JunyingZhang,ChunqianZhang,ShoumingWu,JunZheng,YuhuaZuo,ChunlaiXue,ChuanboLi,BuwenCheng,High-performancelithium-ionbatterywithnano-porouspolycrystallinesiliconparticlesasanode,ElectrochimicaActa,208:174–179(2016)
JunyingZhang,ChunqianZhang,ShoumingWu,ZhiLiu,JunZheng,YuhuaZuo,ChunlaiXue,ChuanboLiandBuwenCheng,Cu2+1OcoatedpolycrystallineSinanoparticlesasanodeforlithium-ionbattery,NanoscaleResearchLetters11:214(2016)
ZhiLiu,HuiCong,FanYang,ChuanboLi,JunZheng,ChunlaiXue,YuhuaZuo,BuwenCheng*,QimingWang,Defect-freehighSn-contentGeSnoninsulatorgrownbyrapidmeltinggrowth,ScientificReports,6:38386(2016)
JunZheng,SuyuanWang,ZhiLiu,HuiCong,ChunlaiXue,ChuanboLi,YuhuaZuo,BuwenCheng,andQimingWang,GeSnp-i-nphotodetectorswithGeSnlayergrownbymagnetronsputteringepitaxy,AppliedPhysicsLetters,108,033503(2016)
ZhiLiu,ChaoHe,DongliangZhang,ChuanboLi,ChunlaiXue,YuhuaZuo,andBuwenCheng*,Temperaturedependentdirect-bandgaplightemissionandopticalgainofGe,ChinesePhysicsB25,057804(2016)
ChaoHe,ZhiLiu,BuwenCheng*,Roomtemperaturedirect-bandgapelectroluminescencefromahorizontalGeridgewaveguideonSi,ChinesePhysicsB,25(12),126104(2016)
X.Zhang,Z.Liu,C.He,B.Cheng*,C.Xue,C.Li,Q.Wang,CharacterizationandthermalstabilityofGeSn/Gemulti-quantumwellsonGe(100)substrates,J.ofMaterialsScience-MaterialsinElectronics,27(9):9341-9345(2016)
H.Cong,C.Xue,J.Zheng,F.Yang,K.Yu,Z.Liu,X.Zhang,B.Cheng*,Q.Wang,SiliconBasedGeSnp-i-nPhotodetectorforSWIRDetection,IEEEPhotonicsJournal,8(5):**(2016)
Wen,JJ;Liu,Z;Zhou,TW;Xue,CL;Zuo,YH;Li,CB;Wang,QM;Cheng,BW*,InhibitationofSi-GeinterdiffusioninGe-on-insulatorstructuresformedbyrapidmeltgrowth,ThinSolidFilms,586:54-57(2015)
ZhiLiu,JuanjuanWen,JunZheng,ChunlaiXue,YuhuaZuo,ChuanboLi,BuwenCheng*,andQimingWang,StrainEvolutionofGeonInsulatorFormedbyRapidMeltingGrowth,ECSJournalofSolidStateScienceandTechnology,4(12)P415-P418(2015)
ZhiLiu,JuanjuanWen,XuZhang,ChuanboLi,ChunlaiXue,YuhuaZuo,BuwenCheng*andQimingWang,HighholemobilityGeSnoninsulatorformedbyself-organizedseedinglateralgrowth,J.Phys.D:Appl.Phys.48,445103(2015)
ZhiLiu,JuanjuanWen,TianweiZhou,ChunlaiXue,YuhuaZuo,ChuanboLi,BuwenCheng*,QimingWang,Lateralgrowthofsingle-crystalGeoninsulatingsubstrateusingamorphousSiseedbyrapidmeltinggrowth,ThinSolidFilms,597,39–43(2015)
XuZhang,DongliangZhang,JunZheng,ZhiLiu,ChaoHe,ChunlaiXue,GuangzeZhang,ChuanboLi,BuwenCheng*,QimingWang,FormationandcharacterizationofNi/AlOhmiccontactonn+-typeGeSn,Solid-StateElectronics,114,178–181(2015)
WenqiHuang,BuwenCheng*,ChunlaiXue,andZhiLiu,Comparativestudiesofbandstructuresforbiaxial(100)-,(110)-,and(111)-strainedGeSn:Afirst-principlescalculationwithGGA+Uapproach,JournalofAppliedPhysics,118,165704(2015)
何超,张旭,刘智,成步文*,Si基IV族异质结构发光器件的研究进展,物理学报,64(20),206102(2015)
JunyingZhang,ChunqianZhang,ShoumingWu,XuZhang,ChuanboLi,ChunlaiXueandBuwenCheng,High-Columbic-EfficiencyLithiumBatteryBasedonSiliconParticleMaterials,NanoscaleResearchLetters,10:395(2015)
DalinZhang,ZhiLiu,DongliangZhang,XuZhang,JunyingZhang,JunZheng,YuhuaZuo,ChunlaiXue,ChuanboLi,ShunriOda,BuwenCheng,andQimingWang,Sn-GuidedDefect-FreeGeSnLateralGrowthonSibyMolecularBeamEpitaxy,TheJournalofPhysicalChemistryC,119,17842?17847(2015)
ChunqianZhang,FanYang,DalinZhang,XuZhang,ChunlaiXue,YuhuaZuo,ChuanboLi,BuwenChengandQimingWang,Abinder-freeSi-basedanodeforLi-ionbatteries,5,15940–15943(2015)
JunZheng,SuyuanWang,TianweiZhou,YuhuaZuo,BuwenCheng,andQimingWang,Single-crystallineGe1-x-ySixSnyalloysonSi(100)grownbymagnetronsputtering,OpticalMaterialsExpress,5(2),287-294(2015)
JunZheng,SuyuanWang,XuZhang,ZhiLiu,ChunlaiXue,ChuanboLi,YuhuaZuo,BuwenCheng,andQimingWang,Ni(Ge1?x?ySixSny)OhmicContactFormationonp-typeGe0.86Si0.07Sn0.07,IEEEElectronDeviceLetters,36(9),878-880(2015)
LiChong,XueChun-Lai,LiYa-Ming,LiChuan-Bo,ChengBu-Wen,andWangQi-Ming,Highperformancesiliconwaveguidegermaniumphotodetector,Chin.Phys.B,24(3),038502(2015)
ShaojianSu,DongliangZhang,ChunlaiXue,BuwenCheng,InfluenceofgrowthandannealingtemperatureonthestrainandsurfacemorphologyofGe0.995Sn0.005epilayer,AppliedSurfaceScience,340,132–137(2015)
ZhangDong-Liang,ChengBu-Wen*,XueChun-Lai,ZhangXu,CongHui,LiuZhi,ZhangGuang-Ze,andWangQi-Ming,TheoreticalstudyoftheopticalgaincharacteristicsofaGe1-xSnxalloyforashort-waveinfraredlaser,Chin.Phys.B,24(2),024211(2015)
ZhiLiu,YamingLi,ChaoHe,ChuanboLi,ChunlaiXue,YuhuaZuo,BuwenCheng*,andQimingWang,Direct-bandgapelectroluminescencefromahorizontalGep-i-nridgewaveguideonSi(001)substrate,AppliedPhysicsLetters,104,191111(2014)
XuZhang,DongliangZhang,BuwenCheng*,ZhiLiu,GuangzeZhang,ChunlaiXue,andQimingWang,CrystalQualityImprovementofGeSnAlloysbyThermalAnnealing,ECSSolidStateLetters,3(10),127-130(2014)
J.J.Wen,Z.Liu,D.L.Zhang,T.W.Zhou,C.L.Xue,Y.H.Zuo,C.B.Li,Q.M.Wang,andB.W.Cheng*,EffectsofrapidthermalprocesstemperaturesonstrainandSiconcentrationdistributionsinGe-on-insulatorstructuresformedbyrapidmeltgrowth,ECSsolidstateletters,3(7),Q33-Q35(2014)
YamingLi,ChongLi,ChuanboLi,BuwenCheng*,andChunlaiXue,Compacttwo-mode(de)multiplexerbasedonsymmetricY-junctionandMultimodeinterferencewaveguides,OpticsExpress,22(5),5781-5786(2014)
WenqiHuang,BuwenCheng*,ChunlaiXue,ChuanboLi,Comparativestudiesofclusteringeffect,electronicandopticalpropertiesforGePbandGeSnalloyswithlowPbandSnconcentration,PhysicaB,443,43–48(2014)
LeliangLi,JunZheng,YuhuaZuo,BuwenCheng,QimingWang,Structuralandopticalpropertiesof(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+thinfilmsgrownbymagnetronsputtering,JournalofLuminescence,JournalofLuminescence,152,234–237(2014)
YmLi,BWCheng*,Designofelectro-absorptionmodulatorwithtapered-modecouplerontheGeSilayer,JournalofOptics,15,085501(2013)
ShaojianSu,DongliangZhang,GuangzeZhang,ChunlaiXue,BuwenCheng*,GrowthofGe1-xSnx/Gestrained-layersuperlatticesonSi(100)bymolecularbeamepitaxy,SuperlatticesandMicrostructures,64,543-551(2013)
J.J.Wen,Z.Liu,L.L.Li,C.Li,C.L.Xue,Y.H.Zuo,C.B.Li,Q.M.Wang,andB.W.Cheng*,CoolingRateDependentLatticeRotationinGeonInsulatorsFormedbyRapidMeltGrowth,ECSSolidStateLetters,2(9),73-75(2013)
ZhiLiu,TianweiZhou,LeliangLi,YuhuaZuo,ChaoHe,ChuanboLi,ChunlaiXue,BuwenCheng*,andQimingWang,Ge/Siquantumdotsthinfilmsolarcells,AppliedPhysicsLetters,103,082101(2013)
DongliangZhang,ChunlaiXue,BuwenCheng,ShaojianSu,ZhiLiu,XuZhang,GuangzeZhang,ChuanboLi,andQimingWang,High-responsivityGeSnshort-waveinfraredp-i-nphotodetectors,AppliedPhysicsLetters,102,141111(2013)
JuanjuanWen,ZhiLiu,LeliangLi,ChongLi,ChunlaiXue,YuhuaZuo,ChuanboLi,QimingWang,andBuwenCheng*,RoomtemperaturephotoluminescenceofGe-on-insulatorstructuresformedbyrapidmeltgrowth,J.ofAppliedPhysics,113,143107(2013)
ChongLi,ChunlaiXue,ZhiLiu,BuwenCheng,ChuanboLi,andQimingWang,High-BandwidthandHigh-ResponsivityTop-IlluminatedGermaniumPhotodiodesforOpticalInterconnection,IEEETransactionsonElectronDevices,60(3),1183-1187(2013)



相关话题/中国科学院 半导体

  • 领限时大额优惠券,享本站正版考研考试资料!
    大额优惠券
    优惠券领取后72小时内有效,10万种最新考研考试考证类电子打印资料任你选。涵盖全国500余所院校考研专业课、200多种职业资格考试、1100多种经典教材,产品类型包含电子书、题库、全套资料以及视频,无论您是考研复习、考证刷题,还是考前冲刺等,不同类型的产品可满足您学习上的不同需求。 ...
    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-崔利杰
    崔利杰,男,博士,副研究员,硕士生导师。  1996年在内蒙古大学物理系获得学士学位,1999年在北京科技大学材料物理系获得硕士学位,2002年6月在中国科学院半导体研究所获得博士学位,2002年7月在中国科学院半导体研究所博士后工作站,开展了GaAs基MHEMT、InP基InAlAs/InGaAs ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-段瑞飞
    段瑞飞,男,博士,副研究员,硕士生导师。  1975年6月出生。1997年于内蒙古大学物理系获得理学学士学位,2000年于北京科技大学材料物理系获得工学硕士学位,2003年于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2003-2005年在中国电子科技集团公司五十五所从事材料生长工作。2005年4月至今 ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-邓惠雄
    邓惠雄,男,博士,研究员,硕士生导师2005年本科毕业于内蒙古大学物理基地班,2010年底在中国科学院半导体研究所获得理学博士学位,导师:李树深院士。2011年初至2014年初,在美国再生能源国家实验室(NREL)从事博士后研究,师从著名半导体物理学家魏苏淮教授。随后回到中国科学院半导体研究所半导体 ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-冯 春
    冯春,女,博士,副研究员,硕士生导师。1983年1月生,2009年7月毕业于中国科学院半导体研究所,获材料物理与化学专业博士学位;目前主要从事III族氮化物材料和器件研究,主要包括GaN基异质结构材料MOCVD生长、GaN基电力电子器件研制、GaN基生物传感器研制等相关研究工作。迄今已在国内外几种主 ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-樊中朝
    樊中朝,男,博士,正高级工程师,博士生导师。2004年于中科院半导体所获得微电子学与固体电子学专业博士学位,博士期间主要从事SOI基光波导器件及其制备研究。2004年7月进入中科院半导体所集成技术工程研究中心工作,目前研究领域主要包括GaN、SiC电力电子器件和新型光学集成器件研究。在完成国家科研课 ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-龚国良
    龚国良,男,博士,副研究员,硕士生导师。2006年毕业于天津医科大学生物医学工程系,获工学学士学位,2012年于中国科学院半导体研究所获工学博士学位,随后在半导体所高速电路与神经网络实验室工作,任类脑计算研究中心副主任。主要从事智能算法与类脑计算系统、图像处理芯片、AI芯片、神经网络算法及其应用研究 ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-冯 鹏
    冯鹏,男,博士,副研究员,硕士生导师。1983年生,2006年毕业于四川大学物理科学与技术学院微电子系获理学学士学位,2011年毕业于中国科学院半导体研究所获工学博士学位,2011年起在中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室工作,主要从事新型无源无线传感芯片、高可靠高速并行图像处理芯片和高 ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-韩 勤
    韩勤,男,博士,研究员,博士生导师。  1988年毕业于中国科技大学物理系,获理学学士,1991至今于中科院半导体所,期间分别获得硕士和博士学位。长期从事半导体光电子材料及器件物理、应用研究,先后主持和参与了多项“863”、“973”自然科学基金研究,发表论文80余篇,担任IEEEJ.Lightwa ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-关 敏
    关敏,女,博士,副研究员,硕士生导师。  2001年毕业于内蒙古大学获得理学硕士学位;2004年于北京大学化学与分子工程学院获得博士学位;2004至2006年期间在北京大学黄春辉院士课题组从事博士后研究工作;2006年7月至今在中国科学院半导体研究所材料重点实验室工作。长期从事有机、有机/无机光电子 ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25
  • 中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-黄永光
    黄永光,男,博士,副研究员,硕士生导师2004年毕业于中央民族大学,2010年毕业于北京工业大学获光学专业博士学位。2010年至今在中国科学院半导体研究所材料重点实验室光子集成芯片课题组工作,2012、2013年曾在英国阿斯顿大学做访问****。主要从事集成光子芯片和超短脉冲激光微细加工的研究,组建 ...
    本站小编 Free考研考试 2020-05-25