曹玉莲,女，博士，副研究员，硕士生导师。
　　2000.9-2003.4在中科院长春光学精密机械与物理研究所攻读硕士研究生。2003.9考入中科院半导体研究所攻读博士学位。2006年，博士毕业后留在中科院半导体所纳米光电子实验室工作，主要从事光电子器件方面的研究，在量子点器激光器及InAs/GaSbII类超晶格红外探测器等方面积累了丰富的经验。2012年6月至2014年6月在新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院任博士后研究员（researchfellow）,带领课题小组从事III-V和Si基混合集成激光器的研制，2014年7月回到半导体所继续从事锑化物红外激光器及探测器方面的研究工作。目前，在国内外各种核心期刊上发表文章及专利50余篇,申请专利6项，授权2项。
　　主要研究方向：
　　1.新型半导体激光器
　　2.红外探测器器件工艺制作与钝化
　　联系方式：
　　E-mail：caoyl@semi.ac.cn；电话：
　　承担与参与的课题：
　　1.“新型高亮度1.3μmInAs/GaAs量子点锥形激光器及其相应物理机制的探索”,自然科学基金（2008-2010）。
　　2.“新型P型掺杂GaAs基1.3微米InAs量子点激光器研究”,“863”计划项目,（2007-2008）。
　　3.“半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”（2010-2015），“973”计划项目。
　　4.“InAs/GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究”，自然科学基金,（2013-2017）。
　　5.“量子点红外探测器材料及器件物理研究”，自然科学基金，（2015-2018）。
　　近年来发表代表性论文：
　　1．YuLianCao,XiaoNanHu,YuanBingCheng,HongWang,andQiJieWang，“OptimizationofhybridsiliconLasersforhigh-speeddirectmodulation”,IEEEPhotonicsJournal.,inprinting(2015).
　　2．Yu-LianCao,Hai-MingJi,TaoYang,Yan-HuaZhang,Wen-QuanMa,andQi-JieWang,Three-regioncharacteristictemperatureinp-dopedquantumdotlasers,“Three-regioncharacteristictemperatureinp-dopedquantumdotlasers”,Appl.Phys.Lett.,104,041102(2014);
　　3．Yu-LianCao,HaimingJi,PengfeiXu,YongxianGu,WenquanMa,andTaoYang*,“High-brightness1.3μmInAs/GaAsquantumdottaperedlaserwithhightemperaturestability”，Opt.Lett.37,4071(2012).
　　3.Y.L.Cao,T.Yang*,P.F.Xu,H.M.Ji,X.D.Wang,Y.X.Gu,W.Q.Ma,Q.Wang,andL.H.Chen“Delayingtheexcitedstatelasingof1.3mmInAs/GaAsquantumdotlasersbyfacetcoating”,Appl.Phys.Lett.,96,171101(2010).
　　4.Yu-Lian.Cao,Peng-feiXU,Hai-MingJI,TaoYANG*,Liang-HuiCHEN，“HighbrightnessInAs/GaAsquantumdottaperedlaserat1.3μmwithhightemperaturestability”,SPIE.,784404（2010.）
　　5.QiongLi，WenquanMa，YanhuaZhang，KaiCui，JianliangHuang，YangWei，KeLiu，YulianCao，WeiyingWang，YaliLiu，PengJin,“DarkcurrentmechanismofunpassivatedmidwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticeinfraredphotodetector,”Chin.Sci.Bull.s11434-014-0511-3,(2014).
　　6.X.L.Guo,W.Q.Ma*,J.L.Huang,Y.H.Zhang,Y.Wei,K.Cui,Y.L.CaoandQ.Li,“Electricalpropertiesoftheabsorberlayerformid,longandverylongwavelengthdetectionusingtype-IIInAs/GaSbsuperlatticestructuresgrownbymolecularbeamepitaxy”，Semicond.Sci.Technol.28,045004,(2013).
　　7.Y.H.Zhang,W.Q.Ma*,Y.Wei,Y.L.Cao,J.L.Huang,K.CuiandX.L.Guo,“Narrow-bandlong-/very-longwavelengthtwo-colortype-IIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorbychangingthebiaspolarity”,Appl.Phys.Lett.100,173511,(2012)
　　8.Y.Wei,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,J.L.Huang,Y.L.CaoandK.Cui,“HighStructuralQualityofTypeIIInAs/GaSbSuperlatticesforVeryLongWavelengthInfraredDetectionbyInterfaceControl”，IEEEJ.QuantumElectron.48,512,(2012)
　　9.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,Y.L.Cao,X.L.Gao,andJ.Shao,“HowtousetypeIIInAs/GaSbsuperlatticestructuretoreachdetectionwavelengthof2-3μm?”Appl.Phys.Lett.,IEEEJ.QuantumElectron.48,1322,(2012)
　　10.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.L.Cao,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,G.R.Deng,andY.L.Shi,“MidwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorusingSiOxNypassivation,”Japn.J.Appl.Phys.,51,074002,(2012).
　　11.Y.H.Zhang,W.Q.Ma*,Y.L.Cao,J.L.Huang,Y.Wei,K.CuiandJ.Shao,“LongWavelengthInfraredInAs/GaSbSuperlatticePhotodetectorswithInSb-LikeandMixedInterfaces”IEEEJ.QuantumElectron.47,1475,(2011).
　　12.YanhuaZhang,WenquanMa*,Y.L.Cao,JianliangHuang,YangWei,KaiCui,andJunShao,“LongWavelengthInfraredInAs/GaSbSuperlatticePhotodetectorswithInSb-LikeandMixedInterfaces”IEEEJ.QuantumElectron.47,1475,(2011).
　　13.P.F.Xu,T.Yang,H.M.Ji,Y.L.Cao,Y.X.Gu,Y.Liu,W.Q.Ma*,andZ.G.Wang，“Temperature-dependentmodulationcharacteristicsfor1.3mmInAs/GaAsquantumdotlasers”,J.Appl.Phys.,107,013102(2010).
　　14.JIHai-Ming,YANGTao*,Y.L.Cao,XUPeng-Fei,GUYong-Xian,LIUYu,XIELiang,WANGZhan-Guo,“A10Gb/sDirectly-Modulated1.3μmInAs/GaAsQuantum-DotLaser,”Chin.Phys.Lett.27,034209(2010).
　　15.JIHai-Ming,YANGTao*,Y.L.Cao,XUPeng-Fei,GUYong-Xian,MAWen-Quan,WANGZhan-Guo,HighCharacteristicTemperature1.3μmInAs/GaAsQuantum-DotLasersGrownbyMolecularBeamEpitaxy,Chin.JPhys.Lett.27,027801(2010).