常凯，男，博士，研究员，中科院院士，博士生导师。
　　1964年8月出生于安徽潜山，1996年北京师范大学物理系凝聚态物理专业毕业并获理学博士学位。1996年-1998年在中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士后，1998年-2001年赴比利时安特卫普大学物理系合作研究。现任中科院半导体所超晶格国家重点实验室研究员，主要从事半导体物理的理论研究工作。
　　一直致力于半导体基础物理及其器件物理研究；共发表SCI论文111篇，其中PRL10篇，NatureMaterials1篇，NatureNanotechnogy1篇，ACSNano1篇，NanoResearch1篇，PRB36篇，APL20篇。论文SCI他人引用2100余次，多项工作得到国际同行的正面评价和承认，并被写入综述文章和专著中。他先后担任国家自然科学基金委的评审专家，主持和参加国家重大基础研究计划项目课题，2004年度获得国家自然科学二等奖（夏建白、李树深、常凯、朱邦芬），2005年度获得国家****基金资助，2013年入选国家百千****才工程；并被授予“国家有突出贡献的中青年专家”。被授予2013年度中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理科学奖。多次在国际学术会议做邀请报告，例如美国物理学会MarchMeeting和第31届国际半导体物理大会。2013年第17届窄能隙半导体物理会议主席；2015年（德国）第18届国际程序委员会委员；2015年（日本）二维电子气物理会议（EP2DS-21）程序委员会委员；2016年第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）程序委员会主席；中国物理学会凝聚态理论与统计物理专业委员会委员；半导体物理专业委员会委员。
　　联系方式：
　　电话：；E-mail：kchang@semi.ac.cn
　　近期研究兴趣：
　　1.低维半导体结构中自旋－轨道耦合和自旋霍尔效应；
　　2.自旋态的弛豫和相干控制；
　　3.磁性半导体；
　　4.石墨烯中基础物理问题；
　　5.拓扑绝缘体中自旋和电荷输运；
　　完成/在研主要项目：
　　国家自然科学基金面上项目："半导体纳米结构的光学性质"(2000－2002)，特优；
　　****基金（2006－2010）
　　国家自然科学基金重点项目
　　近年代表性论文：
　　1，Y.-M.Li，J.Li,L.-K.Shi,D.Zhang,W.Yang,andKaiChang,“Light-InducedExcitonSpinHallEffectinvanderWaalsHeterostructures”,Phys.Rev.Lett.115,166804(2015).
　　2,L.-K.Li,F.-Y.Yang,G.-J.Ye,Z.-C.Zhang,Z.-WZhu,W.-K.Lou,X.-Y.Zhou,L.Li,K.-J.Watanabe,T.Taniguchi,KaiChang,YayuWang,XianHuiChen&YuanboZhang,“QuantumHalleffectinblackphosphorustwo-dimensionalelectronsystem”,NatureNanotechnology(2016)doi:10.1038/nnano.2016.42.
　　3，K.-N.Zhang,T.-N.Zhang,G.-H.Cheng,T.-X.Li,S.-X.Wang,W.Wei,X.-H.Zhou,W.-W.Yu,Y.Sun,P.Wang,D.Zhang,C.-G.Zeng,X.-J.Wang,W.-D.Hu,H.-J.Fan,GuozhenShen,XinChen,XiangfengDuan,KaiChang,andNingDai,“InterlayerTransitionandInfraredPhotodetectioninAtomicallyThinType-IIMoTe2/MoS2vanderWaalsHeterostructures”,ACSNano,10(3),3852–3858(2016)
　　4.G.-Z.Jia,W.-K.Lou,F.Cheng,X.L.Wang,J.-H.Yao,N.Dai,H.-Q.Lin,KaiChang,“Excellentphotothermalconversionofcore/shellCdSe/Bi2Se3quantumdots”,NanoResearch,8,1443(2015).
　　5，H.J.Zhang,Y.Xu,J.Wang,KaiChang,andS.C.Zhang,"QuantumSpinHallandQuantumAnomalousHallStatesRealizedinJunctionQuantumWells",Phys.Rev.Lett.112,216803(2014).
　　6，D.B.Zhang,G.Seifert,andKaiChang,"Strain-inducedPseudomagneticFieldsinTwistedGrapheneNanoribbons"Phys.Rev.Lett.112,096805(2014);
　　7，D.Zhang,W.K.Lou,M.S.Miao,S.C.Zhang,andKaiChang,"Interface-InducedTopologicalInsulatorTransitioninGaAs/Ge/GaAsQuantumWells"Phys.Rev.Lett.111,156402(2013);
　　8,Y.Jiang,T.Low,KaiChang,M.I.Katsnelson,andF.Guinea,"GenerationofPureBulkValleyCurrentinGraphene"Phys.Rev.Lett.110,046601(2013).
　　9,M.S.Miao,Q.Yan,C.G.VandeWalle,W.-K.Lou,L.L.Li,andKaiChang"Polarization-DrivenTopologicalInsulatorTransitioninaGaN/InN/GaNQuantumWell"Phys.Rev.Lett.109,186803(2012).
　　10,P.H.Tan,W.P.Han,W.J.Zhao,Z.H.Wu,KaiChang,H.Wang,Y.F.Wang,N.Bonini,N.Marzari,N.Pugno,G.Savini,A.Lombardo,A.C.Ferrari"Theshearmodeofmultilayergraphene"NatureMaterials,11,294(2012);
　　11,J.J.Zhu,D.X.Yao,S.C.Zhang,andKaiChang,"ElectricallyControllableSurfaceMagnetismontheSurfaceofTopologicalInsulators"Phys.Rev.Lett.106,097201(2011).
　　12,Z.H.Wu,F.Zhai,F.M.Peeters,H.Q.XuandKaiChang"Valley-dependentBrewsteranglesandGoos-H?ncheneffectinstrainedgraphene",Phys.Rev.Lett.106,176802(2011).
　　13,KaiChangandW.K.Lou"HelicaledgestatesinHgTequantumdotswithinvertedbandstructure"Phys.Rev.Lett.106,206802(2011)
　　14,W.Yang,KaiChangandS.C.Zhang“IntrinsicSpinHallEffectinducedbyquantumphasetransitioninHgCdTeQuantumWells”,Phys.Rev.Lett.100,056602(2008);