删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

拓扑荷在圆盘状向列相液晶薄膜中的尺寸效应

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:拓扑现象对于病毒颗粒的空间分布、高分子聚合物纳米囊泡的成型以及玻色-爱因斯坦凝聚物等方面都发挥着重要作用. 本文利用Landau-de Gennes理论, 构建模型来模拟液晶中拓扑荷分布及其他现象. 通过对数值模型序参量场的演化, 以及模拟液晶薄膜中所生成的拓扑荷之间的相互作用来分析液晶(Lqc)薄膜的尺寸对拓扑荷的影响. 研究结果表明,随着液晶盘半径增大, 拓扑荷间最优距离与半径之比渐增并趋于稳定. 此研究结论对利用拓扑荷凝聚颗粒物效应设计分离容器有指导意义, 有助于进一步理解拓扑胶体和液晶以及液晶共聚物等软物质中的拓扑现象.
关键词: 向列相液晶/
相场/
拓扑荷/
Landau-de Gennes模型

English Abstract


--> --> -->
拓扑荷是有序介质中形成的拓扑缺陷, 在超流体、玻色-爱因斯坦凝聚物[1,2] (Bose-Einstein condensate)以及卡拉比-丘流形[3] (Calabi-Yau manifold)中都有出现. 它们影响病毒颗粒的分布[4-6]、影响液晶的光电性质[7-10]、影响液晶共聚物纳米囊泡的自组织成型[11-13]. 利用拓扑荷的特殊性质, 装配[14]和分离微小颗粒[15]、预先设定人真皮纤维细胞的生长纹理及方向[16]. 在向列相液晶(NLqc)中拓扑荷间有着类电荷的相互作用[17]. 在科学研究中制造并控制拓扑荷, 以制作拓扑复合材料[18,19]. 拓扑荷是物理学中应用最广泛的概念之一. 液晶中的缺陷也可以用拓扑荷来描述. 液晶及其聚合物等软物质体系中, 液晶分子在空间中占据位置, 而且其分子取向也有丰富多变的排布方式. 其他体系中能够出现的拓扑现象, 在液晶体系中都有存在, 而且由于液晶的光学特性, 拓扑现象在液晶体系中十分便于观测. 因此液晶等软材料是研究此类拓扑现象的优良研究对象.
本工作模拟拓扑荷在不同尺寸的圆盘型向列相液晶薄膜中的空间分布[20,21], 模拟格点大小128 × 128 × 4, 格点尺寸与模拟圆盘的半径相关. 并且模拟了液晶圆盘的偏光光学显微镜(polarizing optical microscope, POM)视图. 基于自由能最小化的数值模拟结果表明, 向列相液晶薄膜中的二维拓扑荷, 有近似固定的平衡位置, 平衡位置随圆盘大小浮动, 并由自由能平面分布图来解释这一现象.
液晶中的缺陷可以用缺陷的拓扑荷来描述, Landau-de Gennes模型[22]可以解释在物理上观察到的整数拓扑荷和半整数拓扑荷. 在本研究采用Landau-de Gennes模型, 通过相场方法模拟向列相液晶中的拓扑荷.
Landau-de Gennes模型通过对称的无迹张量Qij, 作为序参量[22]:
${Q}_{ij}=S\left({n}_{i}{n}_{j}-\frac{1}{3}{\delta }_{ij}\right)\text{,}$
${\rm{T}}{\rm{r}} { Q}=0\text{,} $
其中, S是标量序参量, 其范围是$ -1/2<S<1 $. 室温下, S在0.40—0.60之间, 本文取 S =0.50. 向列相液晶指向矢 ${ { n}}=\left({\rm{sin}}\;\theta\; {\rm{cos}}\;\varphi , {\rm{sin}}\;\theta\; {\rm{sin}}\;\varphi , {\rm{cos}}\;\theta \right)$, 其中, θ 是指向矢与 z 轴的夹角, φ 是指向矢在 x-y 平面内的投影与 x 轴之间的夹角, 如图1 (a)所示.
图 1 (a) 液晶指向矢与空间坐标轴之间夹角的示意图; (b) 液晶圆盘直径D0和两个大小为 $ + {1}/{2} $ 拓扑荷之间距离d的示意图, 红色标记表示 $ + {1}/{2} $ 拓扑荷
Figure1. (a) Schematic of the angle between director of liquid crystal and the spatial axis; (b) schematic of the NLqc disc diameter D0 and d the distance between two topological charges, $ + {1}/{2} $ topological charges represented by red markers.

体积自由能密度表达式[22]
$\begin{split}{f}_{{\rm{b}}{\rm{u}}{\rm{l}}{\rm{k}}}=\;&\frac{1}{2}a{Q}_{ij}{Q}_{ij}-\frac{1}{3}b{Q}_{ij}{Q}_{jk}{Q}_{kl}\\&+{\frac{1}{4}c}_{1}{\left({Q}_{ij}{Q}_{ij}\right)}^{2}+{\frac{1}{4}c}_{2}{Q}_{ij}{Q}_{jk}{Q}_{kl}{Q}_{li}\text{,}\end{split}$
其中, a=(a*(T-T*)), T是温度, T*为相变点, b, c1c2与具体材料有关[23]. 弹性能表达式为
$\begin{split}{f}_{{\rm{g}}{\rm{r}}{\rm{a}}{\rm{d}}}=\;&\frac{1}{2}{L}_{1}{\nabla }_{i}{Q}_{jk}{\nabla }_{i}{Q}_{jk}+\frac{1}{2}{L}_{2}{\nabla }_{i}{Q}_{ik}{\nabla }_{j}{Q}_{jk}\\&+{L}_{3}{\epsilon }_{ijk}{Q}_{il}{\nabla }_{k}{Q}_{jl}\text{,}\end{split}$
其中Landau-de Gennes模型的弹性能系数[23] ${L}_{1}=4.20\times {10}^{-12}~\left({\rm{N}}\right)$, $ {L}_{2}=5.51\times {10}^{-12}\left({\rm{N}}\right) $, ${L}_{3}= 1.02\times {10}^{-12}~\left({\rm{N}}\right)$ 它们的值和展曲弹性系数${k}_{11}= 6.70 {10}^{-12} ~ ({\rm{N}})$, 扭曲弹性系数${k}_{22}\!=\!3.60\times {10}^{-12}~\left({\rm{N}}\right)$, 弯曲弹性系数${k}_{33}=9.00\times {10}^{-12}~\left({\rm{N}}\right)$ [24]以及 S 相关[25,26], (5CB(LC 1264)[27]的展曲、扭曲和弯曲弹性能系数$ {\epsilon }_{ijk} $ 是列维-奇维塔符号:
${L}_{1}=\left({k}_{33}+{2k}_{22}-{k}_{11}\right)/\left(9{S}^{2}\right)\text{,} $
${L}_{2}=4\left({k}_{11}-{k}_{22}\right)/\left(9{S}^{2}\right)\text{,}$
${L}_{3}=\left({k}_{33}-{k}_{11}\right)/\left(9{S}^{3}\right)\text{.}$
表面锚定能密度[28]
$ {f}_{{\rm{s}}}={W}_{1}\left({\tilde Q}_{ij}-{\tilde Q}_{ij}^{\parallel }\right)+{W}_{2}{({\tilde Q}_{ij}^{2}-{S}^{2})}^{2}\text{,}$
其中$ {W}_{1}>0 $(W1= 9.00 × 10–8(N))对应锚定强度, 有利于指向矢沿着边界的切线方向, $ {W}_{2}>0 $ 保证了表面标量参数的最小值. ${\tilde Q}_{ij}={Q}_{ij}+\dfrac{1}{3}S{\delta }_{ij}$, ${\tilde Q}_{ij}^{\parallel }= {P}_{ij}{Q}_{kl}{P}_{lj}$, 其中${P}_{ij}{=\delta }_{ij}-{t{v}}_{i}{{v}}_{j}$, ${\overrightarrow{{{v} }}}$ 是边界切线方向的单位矢量.
系统总自由能为
$F=F_{0}+\int_{\Omega}\left(f_{\text {bulk }}+f_{\text {grad }}\right) {\rm{d}}^{3} x+\int_{\partial \Omega} f_{s} {\rm{~d}} s\text{.}$
在相场模拟中, 相场参数的演化是由含时Ginzburg-Landau方程控制:
$\frac{\partial {Q}_{ij}\left(r,t\right)}{\partial t}=- \varGamma \frac{\delta F}{\delta {Q}_{ij}\left(r,t\right)},\left(i,j=x,y,z\right)\text{,}$
其中Γ 是向列相液晶的黏度系数. 数值方法求解方程(10), 得到向列相液晶的指向矢随时间的空间分布, 从而得到向列相液晶中的缺陷的演化. 模型所用参数如表1所列.
Constants/N5CB
$ {k}_{11} $6.70 × 10–12
$ {k}_{22} $3.60 × 10–12
$ {{\rm{k}}}_{33} $9.00 × 10–12
$ {L}_{1} $4.20 × 10–12
$ {L}_{2} $5.51 × 10–12
$ {L}_{3} $1.02 × 10–12


表15CB(LC 1264)的弹性常数[27]
Table1.Elastic constants of 5CB (LC 1264).

对于不同半径的液晶圆盘, 使用128 × 128 × 4的网格系统, 计算不同指向矢分布的体系总自由能大小. 如图1 (b)所示, 液晶盘直径为D0 (取0.4—12 mm), 其中格点尺寸对应为(0.0031, 0.0055, 0.0078, 0.0102, 0.0141, 0.0234 0.0391, 0.0547, 0.0703, 0.0938) mm, 在每个圆盘中对称分布有两个值为 1/2 的拓扑荷, 两个拓扑荷的距离为d, 计算总自由能, 得到不同尺寸圆盘状液晶薄膜总自由能随拓扑荷之间的距离变化的彩色曲线如图2 (a)所示, 其中曲线上标注的自由能最小值点即为两个拓扑荷的最优距离. 其中, 在两个拓扑荷间距 d/D0 在0.542—0.559时, 为二者最优距离, 此时自由能最小.
图 2 (a) 直径分别为0.4?12 mm圆盘中液晶薄膜自由能随中心两个拓扑荷的间距变化曲线; (b) 两个拓扑荷的最优位置随液晶圆盘直径变化的趋势图
Figure2. (a) The free energy of liquid crystal film in a disk with diameters ranging from 0.4 mm to 12 mm as a function of the distance between the two topological charges; (b) the trend of the optimal position of the two topological charges as a function of the diameter of the liquid crystal disk.

图2 (b) 中曲线上的点是由图2 (a)每条曲线上的自由能最小值点得到的. 自由能最小值点, 随圆盘直径变化, 其变化规律如图2 (b)所示, 随直径由0.4 mm到12 mm逐渐增大, 在0—5 mm段内, 两个+1/2缺陷平衡位置的距离与圆盘直径的比值逐渐增大, 由0.542增大到趋近于0.558, 5—12 mm段, 这一比值保持在0.559附近. 这种现象是因为, 边界锚定能作用区域较小, 随着圆盘直径增大, 两个拓扑荷距离边界越来越远, 边界对其排斥作用越来越小.
图3 (a), 和图3(b)分别为液晶圆盘直径为0.4和12 mm模拟超长时间的POM偏光显微镜下的显影. 可以看出, 直径为0.4 mm时两个+1/2的拓扑荷比直径为12 mm时更靠近圆心. 图3 (c), 和图3(d) 是模拟过程中的POM图像, 模拟过程中两个拓扑荷的夹角在非常长的时间内都在140°—180°之间不断变化.
图 3 (a)?(d)偏光镜图片 (a), (b) 圆盘直径为0.4和 12 mm时得到的平衡位置POM图; (c), (d)计算模拟的接近最终平衡位置的偏光显微镜图片. (e) 自由能随角度和位置变化的分布图
Figure3. (a)?(d) are polarizing optical microscope images: (a), (b) are POM images of the optimal positions for disk diameters of 0.4 and 12 mm, respectively; (c), (d) POM images of a near-final optimal position obtained from computational simulation. (e) Free energy as a function of position.

基于以上的结果, 固定一个+1/2的拓扑荷在距离圆心0.55 R0处, 另一个+1/2的拓扑荷遍历整个圆面, 通过数值方法计算出体系的总自由能随其位置变化的热值图, 如图3 (e) 所示. 在图中左侧蓝色月牙状区域体系自由能最小, 因此平衡时拓扑荷优先占据此区域. 这一结果与 Duclos 等[29]拍摄的486个圆盘结果一致. 图3 (e) 中自由能较低的区域, 正是第二个拓扑荷出现概率最大的区域. 两个拓扑荷的夹角在140°—180°之间.
演化过程中两个拓扑荷的位置不断变化, 在统计路径时, 通过旋转液晶圆盘, 把其中一个拓扑荷固定在圆心指向右侧的半径上, 它可以在此半径上左右平移. 模拟十种不同的相对位置, 得到十条曲线, 如图4 所示. 图中黑色圆点表示轨迹的起点, 蓝色圆点表示轨迹的终点;每个彩色线代表一组拓扑荷的相对运动轨迹, 红色到蓝色的变化表示时间. 图中拓扑荷的运动轨迹最后都走向图3 (e) 所示的蓝色区域, 此区域是自由能较低的状态.
图 4 十个不同相对位置的拓扑荷演化过程的运动迹图
Figure4. Motion traces of the topological charges evolution process for 10 different relative positions.

圆盘的尺寸对拓扑荷的平衡位置有影响. 拓扑荷的相对平衡位置在0.542—0.558之间, 其中0—5 mm液晶圆盘中两个+1/2拓扑荷的间距与圆盘直径的比值由0.542增大到0.558, 之后在5—12 mm段这一比值基本稳定在0.558. 随着圆盘尺寸的增大边界锚定能的影响越小, 平衡位置即两拓扑荷的间距与圆盘直径的比值趋近于恒定值. 这一平衡位置是圆盘边界对+1/2拓扑荷的斥力和这两个拓扑荷之间排斥力平衡的结果. 液晶圆盘中两个拓扑荷的夹角在140°—180°之间. 拓扑荷的运动轨迹, 是其寻找自由能最低点的过程, 轨迹的终点在自由能最小值区域.
相关话题/空间 拓扑 运动 计算 过程

  • 领限时大额优惠券,享本站正版考研考试资料!
    大额优惠券
    优惠券领取后72小时内有效,10万种最新考研考试考证类电子打印资料任你选。涵盖全国500余所院校考研专业课、200多种职业资格考试、1100多种经典教材,产品类型包含电子书、题库、全套资料以及视频,无论您是考研复习、考证刷题,还是考前冲刺等,不同类型的产品可满足您学习上的不同需求。 ...
    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19
  • 分子聚集体中激子-激子湮灭过程
    摘要:分子的激发能量转移和电荷转移是提高光伏电池和发光二极管效率的关键问题,其中分子聚集体中的激子-激子湮灭过程是影响分子激发能量转移的重要方面,细致研究激子-激子湮灭的动力学过程并与相关的瞬间吸收谱信号对比对相关的理论和实验都有重要意义.本文在分子间弱耦合近似下,用经典的率方程,应用方酸分子的基本 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 本征磁性拓扑绝缘体MnBi<sub>2</sub>Te<sub>4</sub>电子结构的压力应变调控
    摘要:由于MnBi2Te4电子结构具有对晶格常数的改变相当敏感的特性,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对MnBi2Te4反铁磁块体的电子结构施加等体积应变调控.研究发现体系能带结构在材料等体积拉伸和压缩作用下变化灵敏,体系出现绝缘体-金属相变.特别地,当施加特定应变后导带和价带在Γ处出现交叉 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 降雪对地表附近自由空间量子信道的影响及参数仿真
    摘要:量子通信具有覆盖面广、安全保密的优势,是当前通信领域国内外的研究热点.在自由空间量子通信过程中,光量子信号需要在地表上空一定高度进行传输,因此各种环境因素,例如降雪、沙尘暴、降雨、雾霾、浮尘等,不可避免地会影响量子通信性能.然而,迄今为止,降雪对地表附近自由空间量子信道影响的研究尚未展开.为此 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 六方氮化硼单层中一种(C<sub>N</sub>)<sub>3</sub>V<sub>B</sub>缺陷的第一性原理计算
    摘要:二维六方氮化硼(hBN)的点缺陷最近被发现可以实现室温下的单光子发射,而成为近年的研究热点.尽管其具有重要的基础和应用研究意义,hBN中发光缺陷的原子结构起源仍然存在争议.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究hBN单层中一种B空位附近3个N原子被C替代的缺陷(CN)3VB.在hBN的 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • In掺杂<i>h</i>-LuFeO<sub>3</sub>光吸收及极化性能的第一性原理计算
    摘要:h-LuFeO3是一种窄带隙铁电半导体材料,已被证明在铁电光伏领域有较好的应用前景.然而,较低的极化强度使光生电子-空穴对复合率大,限制了h-LuFeO3基铁电光伏电池效率的提高.为改善h-LuFeO3的极化强度,提高光吸收性质,本文利用第一性原理计算方法研究了In原子在h-LuFeO3不同位 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 原子尺度构建二维材料的第一性原理计算研究
    摘要:随着信息技术的不断进步,核心元器件朝着运行速度更快、能耗更低、尺寸更小的方向快速发展.尺寸不断减小导致的量子尺寸效应使得材料和器件呈现出许多与传统三维体系不同的新奇物性.从原子结构出发,预测低维材料物性、精准合成、表征、调控并制造性能良好的电子器件,对未来电子器件的发展及相关应用具有至关重要的 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 磁场中拓扑物态的量子输运
    摘要:拓扑物态包括拓扑绝缘体、拓扑半金属以及拓扑超导体.拓扑物态奇异的能带结构以及受拓扑保护的新奇表面态,使其具有了独特的输运性质.拓扑半金属作为物质的一种三维拓扑态具有无能隙的准粒子激发,根据导带和价带的接触类型分为外尔半金属、狄拉克半金属和节线半金属.本文以拓扑半金属为主回顾了在磁场下拓扑物态中 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • Li(Na)AuS体系拓扑绝缘体材料的能带结构
    摘要:在拓扑领域中发现可以通过大数据搜索拓扑绝缘体,使得此领域对材料的探索转变为对材料性质的研究.半Heusler合金体系是非平庸拓扑绝缘体材料的重要载体.通过全势线性缀加平面波方法计算Li(Na)AuS体系拓扑绝缘体材料的能带结构.采用各种关联泛函计算LiAuS的平衡晶格常数,发现得到的能带图均为 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 拓扑超导体FeSe<i><sub>x</sub></i>Te<sub>1–</sub><i><sub>x
    摘要:铁基超导体FeSexTe1–x由于其具有上临界场高、各向异性小、临界电流密度大等优点,备受研究者的广泛关注.本文采用自助溶剂法生长得到了几种Se/Te组分比例不同的FeSexTe1–x单晶样品,对其结构和形貌进行了表征,并且对样品在低温下的磁性进行了测量.对样品超导态下临界电流密度、磁通钉扎力 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • CdZnTe晶体中深能级缺陷对空间电荷分布特性的影响
    摘要:CdZnTe晶体内的空间电荷积累效应是影响高通量脉冲型探测器性能的关键因素.为了探索CdZnTe晶体中深能级缺陷对空间电荷分布及器件性能的影响规律,本文采用SilvacoTCAD软件仿真了CdZnTe晶体内包含位置为Ev+0.86eV,浓度为1×1012cm–3的深施主能级缺陷$mTe_{ ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29