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--> --> --> -->2.1.辐射源
选用镅–241(Am-241)源作为本试验使用的α粒子放射源, 其衰变产物如(1)式, 大多数α粒子的能量在5.4—5.5 MeV之间, 其中84.5%的α粒子能量为5.486 MeV, 13%的α粒子能量为5.443 MeV, 1.6%的α粒子能量为5.388 MeV.α粒子源 | Am-241 |
放射率/粒子·2π–1·min–1 | 5.73 × 105 |
尺寸 | 圆柱体, Φ18 mm, 1 mm厚 |
表1使用的放射源参数
Table1.Parameters of the radioactive source being used.
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2.2.被测器件及单粒子效应测试系统
被测器件参数如表2所列, 选用CYPRESS公司的三款商用SRAM开展试验. 试验前, 对器件进行化学开封处理.器件类型 | 型号 | 厂商 | 工艺尺寸/nm | 测试容量/Mb | 工作电压/V | 硅片尺寸 |
DDR-II SRAM | CY7C1318 | CYPRESS | 65 | 1.125 | 1.8 | 5 mm × 8 mm |
QDR-II SRAM | CY7C1412 | CYPRESS | 65 | 18 | 1.8 | 5 mm × 8 mm |
SRAM | CY7C1019D | CYPRESS | 90 | 1 | 3.3 | 2 mm × 2 mm |
表2被测器件参数
Table2.Parameters of the devices under test.
图1为测试装置示意图, 测试在大气中进行, 气压为(81 ± 1) kPa. Am-241源放置在开封后的芯片表面, 放射源与硅片同轴. 试验过程中, 由于CY7 C1019 D使用插座进行固定和电连接, 所以放射源与其芯片之间的间距约为5 mm, 其余两种器件的间距均为1 mm. 使用单粒子效应测试系统监测辐照过程中SRAM芯片发生的软错误信息, 包括数量、地址、错误数据等. 试验过程中, 需注意放射源辐射防护安全.
图 1 测试装置示意图
Figure1. Schematic diagram of the test setup.
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3.1.试验结果
首先, 根据具体的试验空间布局, 对到达硅片表面的α粒子注量率进行建模和蒙特卡罗计算. 放射源和被测器件硅片尺寸见表1和表2, α粒子从放射源表面发射, 2π方向各向同性. 放射源与硅片同轴, 间距分别为1 mm (65 nm SRAM)和5 mm (90 nm SRAM). 对到达硅片表面的α粒子进行统计和分析, 结果如图2和图3所示. 由图可见, α粒子在两类器件表面均匀分布. 统计计算后得到, 相比于放射源表面发射注量率, 到达65 nm SRAM和90 nm SRAM器件表面的α粒子注量率分别下降了21%和56%. 根据该下降比例和α粒子放射源发射率, 即可计算得到硅片表面的实际粒子注量率.图 2 蒙卡仿真得到的65 nm SRAM硅片表面α粒子分布图
Figure2. α particle distribution on the silicon surface of the 65 nm SRAM.
图 3 蒙卡仿真得到的90 nm SRAM硅片表面α粒子分布图
Figure3. α particle distribution on the silicon surface of the 90 nm SRAM.
需要说明的是, 放射源与被测器件之间空气层的存在会导致α粒子能量产生一定的衰减. 例如, 对于65 nm器件, 5.486 MeV的α粒子穿过1 mm厚的空气层后能量为5.40 MeV, 减小了1.6%; 对于90 nm器件, 5.486 MeV的α粒子穿过5 mm厚的空气层后能量为5.04 MeV, 减小了8.1%.
基于之前的α粒子注量率建模计算, 进一步得到三种型号器件的SEU截面测试结果如表3所列. SRAM器件的初始写入图形均为棋盘格. 单粒子翻转截面σ计算公式为:
器件 | 测试容量/Mb | 粒子注量率/cm–2·s–1 | 测试时长 | SEU数量 | SEU截面/cm2·bit–1 |
CY7 C1318(65 nm) | 1.125 | 1.33 × 103 | 7 min 52 s | 204 | 2.76 × 10–10 |
CY7 C1412(65 nm) | 18 | 1.33 × 103 | 3 min 41 s | 1613 | 2.91 × 10–10 |
CY7 C1019 D(90 nm) | 1 | 7.42 × 102 | 16 h | 127 | 2.83 × 10–12 |
表3SEU截面测试结果
Table3.Test results of SEU cross section.
为了研究初始写入图形对SEU截面的影响, 试验过程中针对两款65 nm器件使用了棋盘格、全0和全1三种写入图形, 测得的SEU截面如图4所示. 由图可见, 棋盘格图形、全0和全1图形对应的SEU截面差别小于 ± 7%, 且两款器件的SEU截面变化趋势无明显规律.
图 4 初始写入图形对SEU截面的影响
Figure4. Impact of initial data pattern on SEU cross section.
本文中使用的三款器件均为引线键合、塑料封装, 其放射性α粒子主要来自于模塑料. 假定α粒子发射率为Ra(单位为/(cm2·h)), 通常分为三个等级, 如表4所示. 基于上述数据可进一步计算得到器件真实环境下α粒子导致的软错误率(单位为FIT/Mb):
α粒子发射率等级 | 发射率/cm–2·h–1 | 65 nm SRAM软错误率/FIT·Mb–1 | 90 nm SRAM软错误率/FIT·Mb–1 |
ULA | ~0.001 | 3.03 × 102 | 2.97 |
Low Alpha (LA) | ~0.01 | 3.03 × 103 | 29.7 |
Uncontrolled Alpha | ~20 | 6.06 × 106 | 5.94 × 104 |
表4α粒子发射率等级及对应的软错误率
Table4.The α particle emissivity level and corresponding soft error rate.
表5给出了65 nm SRAM在4300 m海拔试验地点及北京海平面使用时的软错误率计算结果及α粒子、高能中子和热中子贡献占比分析. 根据我们之前的研究报道[12], 该类器件在4300 m海拔的西藏羊八井地区长期测量得到的实时软错误率为2356 FIT/Mb, 其中包含了α粒子、高能中子(E > 10 MeV)和热中子(E < 0.4 eV)的共同贡献. α粒子引起的软错误率与所处地点没有关系, 固定为303 FIT/Mb. 进一步开展的中子辐照试验和二次离子质谱(secondary ion mass spectroscopy, SIMS)测量和分析, 均表明该类器件对热中子不敏感, 所以热中子对实时软错误率没有贡献. 经过软件计算得到, 羊八井地区的高能中子通量(118.9 n/(cm2·h))比北京海平面(7.3 n/(cm2·h))高16.3倍, 由此可计算得到该65 nm SRAM在北京海平面使用时高能中子引起的软错误率为126 FIT/Mb. 最终得到, 该65 nm SRAM在北京海平面使用时的软错误率为429 FIT/Mb, 其中α粒子的贡献占比为70.63%.
粒子种类 | 4300 m海拔处的软错误率/FIT·Mb–1 | 占比(4300 m海拔) | 北京海平面处的软错误率/FIT·Mb–1 | 占比(北京海平面) |
全部 | 2356 | 100% | 429 | 100% |
α粒子 | 303 | 12.86% | 303 | 70.63% |
高能中子 | 2053 | 87.14% | 126 | 29.37% |
热中子 | 0 | 0% | 0 | 0% |
表565 nm SRAM在4300 m海拔试验地点及北京海平面使用时的软错误率及α粒子、高能中子和热中子贡献占比
Table5.Soft error rates of the 65 nm SRAM at the experimental site with an altitude of 4300 m and sea level of Beijing city being used. The contribution rates of α particle, high energy neutron and thermal neutron are analyzed, respectively.
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3.2.仿真分析
为了更深入地理解试验结果, 对内在机理进行分析, 本文基于TRIM[13,14]和CREME-MC[15-18]两种仿真工具, 结合器件的反向分析结果, 对上述试验过程进行了仿真, 得到了α粒子在器件中的传播轨迹、灵敏区沉积能量、单粒子翻转截面等微观信息.3
3.2.1.反向分析
图5给出了65 nm工艺SRAM的横切面和存储区图像, 该SRAM共使用六层金属布线, M5为Al材料, 其他(M4—M0)为Cu材料. 在M0和灵敏硅层之间发现W塞的存在. 根据图5(b), 该器件存储单元为六管结构, 大小约为1 μm × 0.5 μm; 将“关”态NMOS的漏区作为单粒子翻转灵敏区, 其大小为0.2 μm × 0.19 μm; 考虑电离电荷的漂移、扩散、漏斗长度等收集过程, 将灵敏区的厚度设置为阱深, 即0.45 μm. 表6给出了65 nm SRAM的存储单元尺寸和灵敏区参数.图 5 65 nm SRAM的反向分析结果 (a)横切面; (b)存储区图像
Figure5. Reverse analysis results of the 65 nm SRAM: (a) Cross section; (b) memory area image.
器件 | 存储单元尺寸 | 灵敏区尺寸 | 灵敏区厚度/μm | 重离子LET阈值/ MeV·cm2·mg-1 | 临界能量/keV |
65 nm SRAM | 1 μm × 0.5 μm | 0.2 μm × 0.19 μm | 0.45 | 0.22[19] | 22.5[19] |
表665 nm SRAM的存储单元尺寸和灵敏区参数
Table6.Memory cell size and SV parameters of the 65 nm SRAM device.
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3.2.2.TRIM仿真
基于SRIM-2008.04(stopping and range of ions in matter-version 2008.04)软件中的TRIM (Monte Carlo transport of ions in matter)蒙特卡罗仿真工具开展α粒子在器件中的输运仿真. 如图6所示, 106个α粒子从零点处垂直入射, 初始能量为5.486 MeV, 经过1 mm的空气层后依次穿过65 nm SRAM器件的表层金属布线、灵敏层和衬底. 计算类型为“ion distribution and quick calculation of damage”, 考虑了α粒子在器件输运过程中的直接电离和库仑散射过程. TRIM工具可详细追踪粒子在器件中的轨迹, 记录粒子能量、动量、位置、出射角等信息.图 6 TRIM仿真结果 (a) α粒子在器件中的传播轨迹; (b)器件横断面视角下的α粒子轨迹(粒子初始入射位置为中心零点处)
Figure6. TRIM simulation results: (a) The propagation trajectory of alpha particles in the device; (b) the alpha particle trajectory from the cross-sectional view of the device (the initial incident position of the particle is at the zero center).
图6(a)中, 器件灵敏区位于灵敏层中心(虚线处). 由图可见: 1)α粒子可以穿透空气层和器件表层金属布线, 在器件灵敏区中沉积能量, 但没有粒子能穿透器件衬底; 2)由于库仑散射相互作用, α粒子在器件的传播过程中呈现出较大的位置分布, 产生背散射粒子的概率为2.5 × 10–5; 3) 99.75%的能量损失通过α粒子直接电离过程完成, 其余过程(如反冲核、空位、声子等)占比很小.
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3.2.3.CREME-MC仿真
根据反向分析结果, 建立三维器件仿真模型如图7所示, 模型大小为10 μm (x) × 10 μm (y), 器件灵敏区位于多层金属布线层下方中心处. 在每次CREME-MC仿真过程中, 108个α粒子随机入射, 初始能量为5.486 MeV, 经过1 mm空气层(未在图7中绘出)后达到器件表面. 由于器件实际环境和试验环境中α粒子入射至器件表面时具有方向性, 因此仿真试验使用0°, 30°和60°三种入射角度条件, 探讨角度对单粒子翻转特性的影响. 需要说明的是, 对于倾角入射的α粒子, 其到达器件表面前穿过的空气层厚度增大1/cos(θ)倍(θ为入射角度), α粒子的能量随之减小. 计算过程中详细考虑α粒子的二次电子和核反应过程, 记录灵敏区中的沉积能量分布和截面信息. 使用的物理过程包括decay, EmStandardScreened, hElasticWEL_CHIPS_HP, particles, G4 GammaLeptoNuclearPhys, hInelastic FTFP_CEM_HP, stopping, IonInelasticLAQGSM等.图 7 65 nm工艺器件三维仿真模型
Figure7. 3 D simulation model of the 65 nm device.
图8给出了不同入射角度下器件灵敏区中的沉积能量谱. 由图可见, 随着入射角度的增大, 沉积能量谱表现出典型特征: 粒子数峰值处对应的沉积能量值呈减小趋势, 从垂直入射时的81.3 keV减小至60°倾角入射时的49 keV, 原因为随着入射角度的增大, α粒子穿过空气层和多层金属布线的厚度增大1/cos(θ)倍, 导致粒子能量减小, 有效LET值随之减小. 图9为α粒子在硅材料中的LET值与能量的关系. 计算得到, 垂直入射、30°和60°倾角入射条件下α粒子最终在灵敏区处的LET值分别为0.78, 0.49和0.23 MeV·cm2·mg-1.
图 8 不同入射角度下器件灵敏区中的沉积能量谱
Figure8. Deposited energy spectra in sensitive regions of devices at different incident angles.
图 9 α粒子在硅材料中的LET值与能量的关系
Figure9. Relationship between LET value and energy of α particle in silicon material.
图10为不同入射角度下单粒子翻转截面与临界能量的关系, 由前文可知该器件的单粒子翻转临界能量为22.5 keV(约1 fC), 可得图11. 垂直入射条件下, 器件的单粒子翻转截面为3.9 × 10–10 cm2/bit, 即0.039 μm2/bit, 与器件灵敏区的表面积基本一致. 该SEU截面略大于上一节放射源试验获得的SEU截面值(65 nm SRAM的SEU截面平均值为2.89 × 10–10 cm2/bit), 差别源于放射源试验中粒子能量及入射方向与仿真不同. 随着入射角度从0°增大至60°, 器件的单粒子翻转截面增大了79%, 该现象与图8中“粒子数峰值处对应的沉积能量值呈减小趋势”的规律相反. 经分析得知原因为, 虽然随着入射角度增大, 粒子数峰值处对应的沉积能量值有所减小, 但该能量值高于器件的临界能量, 对单粒子翻转截面影响较小; 另一方面, 不同于以往大尺寸器件的“薄片”形灵敏区, 该器件的灵敏区三维尺寸为0.2 μm(L) × 0.19 μm(W) × 0.45 μm(D), 导致明显的单粒子翻转“边缘效应”(见图12).
图 10 不同入射角度下单粒子翻转截面与临界能量的关系
Figure10. Relationship between single event upset cross section and critical energy at different incident angles.
图 11 不同入射角度下的单粒子翻转截面
Figure11. Single event upset cross section at different incident angles.
图 12 边缘效应示意图(未按实际比例绘图)[20,21]
Figure12. Schematic diagram of edge effect (not scaled)[20,21].
如图12所示, 垂直入射条件下, 器件的单粒子翻转截面为