Abstract:Filterless color discriminative imaging system is greatly demanded, with the pixel size shrinking to subwavelength. Nanowires have broad applications in photodetectors and have excellent ability to discriminate color by the cavity mode effect due to its well-controlled geometry. Here we use the finite element method to simulate a coned nanowire device which can split the light as well as serve as a photodetector array. The numerical simulation results show that the important parameters such as the wavelength range and resolution realized by the device can be modulated by the top radius, bottom radius, length, and material as well. And we also analyze how the surroundings and the incident angle affect the performance of the device. These results have important reference significance for the practical application of tapered nanowires as photodetectors. Keywords:coned nanowire/ photodetector/ cavity mode
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3.数值仿真结果和讨论首先验证了尺寸为r1 = 20/r2 = 80/L = 2000 nm的锥形硅纳米线器件. 沿纳米锥轴向从尖端给于不同波长的入射光, 入射波长分别为450, 550和650 nm. Cao等[8]已经证明粗细均匀的硅纳米线对光的吸收主要取决于半径. 观察不同波长入射光光场在器件1 (r1 = 20 nm/r2 = 80 nm/L = 2000 nm)内的分布, 如图2(a)分别为450, 550和650 nm的入射光在锥形纳米线内部的分布情况, 从图中可以明显地看到不同波长的入射光被约束在纳米线的不同位置, 同时它们的吸收区域也大致相同, 如图2(b)所示, 这证明锥形纳米线器件具备分光能力, 不同波长的光被约束在锥形纳米线的不同位置, 而这很可能是由不同位置半径不同所决定的. 因此通过改变器件的半径以及长度来进行验证, 如表1所列, 当入射波长为550 nm时, 对于三个尺寸不同的器件(器件1, 2, 3)来说, 吸收峰值处的截面直径基本相同, 为107 nm左右. 而500 和550 nm的吸收峰值所处位置的距离也差距较大, 器件1, 2, 3的半径随纳米线位置不同的变化速率分别为3 nm/100 nm, 4 nm/100 nm, 2.4 nm/100 nm, 而500和550 nm的吸收峰值所处位置的距离同样是2 < 1 < 3, 这说明锥体回音壁模式与其他微腔相同, 同样需要光程是波长的整数倍以满足其共振条件, 对于锥体来说, 条件$ 2{\text{π}}Rn=m\lambda $中, R为吸收处所在截面半径, $ \lambda $为入射光波长, n为对应波长折射率, m为常数. 因此可以通过改变锥形硅半径的范围和变化速率, 进而改变器件的分辨率和覆盖波长范围, 得到我们需要的器件. 图 2 (a) 入射光为450 nm/550 nm/650 nm时的光场分布; (b) 入射光为450 nm/550 nm/650 nm时的吸收分布; (c) 不同入射光在器件轴线上的光场模分布曲线; (d) 不同入射光在器件轴线上的吸收密度分布曲线 Figure2. The simulation results of the light field distribution (a) and the absorption (b) with the wavelength of 450, 550 and 650 nm, respectively. The light field distribution (c) and absorption (d) of the typical incident wavelength along the axial of Si nano-cone.
器件1/nm
器件2/nm
器件3/nm
r1 = 20
r2 = 80
L = 2000
r1 = 20
r2 = 100
L = 2000
r1 = 20
r2 = 80
L = 2500
500 nm入射光吸收峰值直径/nm
92
94
90
550 nm入射光吸收峰值直径/nm
106
107
107
两峰值距离/nm
234
172
325
表1在具有不同几何结构的器件中, 不同波长的入射光吸收最大值位置比较 Table1.Comparisons of the max absorption position in different size devices with different geometry.
表2无衬底器件与有衬底器件对入射光能量吸收积分对比 Table2.The total absorption of the nano-cone devices with or without substrate.
同时也考虑了器件是否能应对不同角度的入射光, 因此通过旋转纳米锥器件来模拟入射光从不同角度入射的情况. 如图3以500 nm入射光为例, 当入射角度较小时, 无论对光场分布还是吸收分布, 影响都相对较小. 当角度逐渐增大时, 其对于光场分布的影响逐渐明显, 但是对于吸收来说, 纳米线的吸收中心区域并没有发生太大的变化, 对应波长的吸收位置在轴线上的相对位置几乎没有发生改变, 因此对于纳米锥器件的分辨率和精度影响较小. 但当入射角度过大如达到30o的入射角度时, 可以明显地发现, 器件会几乎失去波长选择的能力. 因此当实际制备及使用器件时, 要控制入射光以一个相对较小的角度耦合入射以保证器件的正常工作. 图 3 (a) 入射光沿轴线入射时光场分布(左)及吸收分布(右); (b) 入射光5o入射时光场分布(左)及吸收分布(右); (c) 入射光10o入射时光场分布(左)及吸收分布(右); (d) 入射光30o入射时光场分布 Figure3. The simulation results of the light field distributions (left) and the absorption (right) with wavelength of 500 nm when the incident angle is (a) 0o, (b) 5o (c) 10o, and (d) 30o.
改变入射光角度除了会改变入射光分布以外, 也会影响锥形硅器件对光的吸收. 图4探究了不同波长的入射光在不同入射角度的情况下其吸收强度密度的变化. 从图4可以观察到, 不同波长的入射光在不同角度下入射时, 其吸收强度的变化趋势基本完全相同. 以500 nm入射光为例, 当入射角度在10o以下时, 不同的入射角度对吸收强度的影响很小, 而一旦超过10o, 其吸收强度会发生较大的变化. 尽管当入射角度增加时, 其吸收强度会增加, 但是同时其光场分布也会发生改变, 锥形硅也失去了波长选择的能力. 而锥形硅器件作为具有色彩分辨探测能力的器件, 最核心和基本的能力就是其波长选择能力, 因此仍要保证入射光以10o以下小角度入射纳米锥器件. 图 4 不同波长入射光在不同入射角度下锥形硅的能量吸收密度 Figure4. The energy absorption density of typical incident light with different incident angles.
单根纳米线做光电器件时, 使用金属电极往往会引起比较大的损耗, 因此模拟了石墨烯做电极的情况, 在尺寸为r1 = 20 nm/r2 = 80 nm/L = 2000 nm的锥形硅纳米线器件上, 距顶端分别为1600和200 nm处添加20 nm宽的石墨烯电极. 首先在光吸收的位置上, 增加石墨烯电极后位置并没有发生改变. 在能量吸收方面, 计算了所有波长的入射光在纳米线内部的能量吸收. 发现当且仅当吸收位置在石墨烯电极附近时, 能量吸收会略小于无石墨烯电极的能量吸收, 约0.05%(如图5). 那么即使制作较密集的石墨烯电极, 总吸收损耗影响也较小. 并且石墨烯电极对光吸收位置即器件分辨率等也没有影响, 可以认为石墨烯是合适的电极材料. 图 5 入射光波长为420 nm时有石墨烯电极器件(a)和无石墨烯电极器件(b)光场分布对比; (c) 不同入射光在有石墨烯电极器件轴线上的光场分布曲线; (d) 不同入射光在无石墨烯电极器件轴线上的光场分布曲线 Figure5. (a) Comparisons of light field distribution between devices with (a) and without (b) graphene electrodes under incident light of with 420 nm. Light field distribution with typical incident light along the axis of nano-cone devices with (c) and without (d) graphene electrodes.