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--> --> --> -->3.1.结构性质
计算时, 首先对c-BN和h-BN的晶胞进行结构优化, 以寻找最稳定的结构状态, 经过优化的晶格常数如表1所列.结构 | 晶格常数/? | a | c |
c-BN | 实验值 | 3.615 | |
本文计算值 | 3.576 | ||
其他计算值 | 3.583[6], 3.627[32], 3.589[33], 3.581[34], 3.576[35], 3.583[36] | ||
h-BN | 实验值 | 2.504[37] | 6.661[37] |
本文计算值 | 2.485 | 6.610 | |
其他计算值 | 2.485[32], 2.489[33], 2.489[36]2.496[38], 2.489[39] | 6.491[32], 6.561[33], 6.501[36], 6.490[38], 6.501[39] |
表1c-BN和h-BN 晶胞晶格常数的计算值和实验值[6,32?39]
Table1.Calculated and experimental value of lattice constants for c-BN and h-BN cells[6,32?39]
由表1可以看出, 计算结果与实验值符合较好, 说明本研究可靠性比较高. 为了获得表1中列出的理论平衡体积V0, 首先计算得到0 K时的E-V数据, 然后用三阶Birch-Murnaghan状态方程拟合得到V0, 相应的图形如图1所示.
图 1 0 GPa和0 K下c-BN和h-BN的总能量与晶胞体积关系
Figure1. Relationship between total energy and cell volume of c-BN and h-BN at 0 GPa and 0 K
从图1中可以清楚地看出, c-BN和h-BN的总能量E都随着其体积V的增加, 呈现出先减小后增加的趋势. 在E-V图中, 当c-BN的体积V = 22.865 ?3时, 其能量达到最小值E = –703.621 eV; h-BN的体积V = 35.352 ?3时, 其能量达到最小E = –703.391 eV.
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3.2.力学性质
33.2.1.弹性常数
本文采用VRH平均算法计算晶体的弹性常数, 立方晶系和六方晶系中的体积模量B和剪切模量G分别表示为立方晶系
杨氏模量E和泊松比υ由下式计算:
方法 | C11/GPa | C12/GPa | C13/GPa | C33/GPa | C44/GPa | ΘD/K | Vm/m·s–1 | B | G | E | B/G | υ | |
c-BN | 实验值 | 820[40] | 190[40] | 480[40] | 389—407[40] | ||||||||
本文计值 | 824.43 | 186.37 | 479.76 | 1929.94 | 11590.90 | 399.06 | 407.38 | 911.85 | 0.98 | 0.12 | |||
其他计算 | 823[35] | 185[35] | 479[35] | 1765[35] | 10783[35] | 407[35] | 910[35] | 0.975[35] | 0.12[35] | ||||
824[36] | 193[36] | 476[36] | 403[36] | 404[36] | 0.998[36] | 0.12[36] | |||||||
820[41] | 194[41] | 477[41] | 375.923[41] | 409[41] | 854.81[41] | 0.97[41] | 0.12[41] | ||||||
815[42] | 194[42] | 494[42] | 1790[42] | 381[42] | 398[42] | 0.957[42] | |||||||
820[43] | 194[43] | 477[43] | |||||||||||
h-BN | 实验值 | 811[40] | 169[40] | 0[40] | 32[40] | 7[40] | 26—335 | ||||||
811[44] | 169[44] | 0[44] | 27[44] | 8[44] | |||||||||
本文计值 | 925.98 | 212.04 | 2.26 | 29.83 | 5.95 | 424.94 | 2928.86 | 142.88 | 98.85 | 240.98 | 1.45 | 0.22 | |
其他计算 | 927[36] | 223[36] | 1[36] | 32[36] | 7[36] | 145[36] | 100[36] | 1.45[36] | 0.22[36] | ||||
930[42] | 218[42] | 1[42] | 29[42] | 7[42] | 158[42] | 104[42] | 1.519[42] | ||||||
141[45] | 98[45] | 239[45] | 1.44[45] | 0.22[45] | |||||||||
923.48[46] | 212.23[46] | 2.56[46] | 28.08[46] | 4.06[46] |
表20 K和0 GPa时, c-BN和h-BN的弹性常数Cij、德拜温度ΘD和平均声速Vm[35,36,40?46]
Table2.Elastic constants, Debye temperature and average sound velocity of c-BN and h-BN at 0 K and 0 GPa[35,36,40?46]
利用弹性常数, 可以判断具有一定空间结构的晶体的力学稳定性, 根据玻恩稳定性判据, 对于立方晶系有:
压力P在影响材料的物理性质方面起着重要的作用[48,49], 另外还计算了零温下c-BN和h-BN的弹性常数随P的变化关系, 并将其展示在表3中. 从表3可以看出, 0—50 GPa的范围内, c-BN和h-BN都符合玻恩稳定性判据, 说明二者都具有一定的力学稳定性. 对于可粗略判断材料脆性的B/G, 我们发现c-BN和h-BN的B/G都在一直增加, 即二者的韧性越来越好. c-BN的B/G由0.980(0 GPa)增加到1.181(50 GPa), 而h-BN则由1.445(0 GPa)增加到1.729(50 GPa). 另外, c-BN和h-BN的泊松比υ一直递增的变化也证明了这一点.
P/GPa | C11/GPa | C12/GPa | C13/GPa | C33/GPa | C44/GPa | B/GPa | G/GPa | υ | |
c-BN | 0 | 824.43 | 186.374 | 479.76 | 399.06 | 407.38 | 0.119 | ||
5 | 830.11 | 185.83 | 493.23 | 400.59 | 415.80 | 0.124 | |||
10 | 889.09 | 226.27 | 527.81 | 447.21 | 437.96 | 0.130 | |||
15 | 911.61 | 241.91 | 540.63 | 465.15 | 446.14 | 0.137 | |||
20 | 932.97 | 257.00 | 552.40 | 482.33 | 453.61 | 0.142 | |||
25 | 954.49 | 272.25 | 563.79 | 499.66 | 460.89 | 0.147 | |||
30 | 975.51 | 287.24 | 574.81 | 516.66 | 467.91 | 0.152 | |||
35 | 996.42 | 302.42 | 585.82 | 533.75 | 474.82 | 0.157 | |||
40 | 1017.22 | 596.23 | 317.36 | 550.65 | 481.48 | 0.161 | |||
45 | 1037.37 | 332.13 | 606.51 | 567.21 | 487.92 | 0.166 | |||
50 | 1057.25 | 346.87 | 616.50 | 583.66 | 494.15 | 0.170 | |||
h-BN | 0 | 925.98 | 212.04 | 2.26 | 29.8 | 5.95 | 142.88 | 98.85 | 0.219 |
5 | 1031.35 | 249.81 | 5.35 | 63.99 | 8.14 | 176.61 | 112.09 | 0.228 | |
10 | 1148.41 | 283.48 | 26.06 | 132.72 | 26.16 | 231.48 | 145.44 | 0.240 | |
15 | 1200.62 | 306.01 | 39.36 | 160.84 | 34.24 | 256.67 | 158.80 | 0.244 | |
20 | 1246.22 | 327.55 | 53.25 | 187.08 | 42.77 | 280.31 | 171.49 | 0.246 | |
25 | 1287.16 | 348.45 | 67.73 | 211.76 | 51.53 | 302.83 | 183.49 | 0.248 | |
30 | 1320.57 | 372.62 | 82.18 | 236.37 | 60.42 | 324.77 | 194.15 | 0.251 | |
35 | 1353.78 | 393.22 | 96.91 | 259.96 | 69.28 | 345.92 | 204.72 | 0.253 | |
40 | 1385.71 | 412.37 | 111.71 | 283.31 | 78.45 | 366.65 | 215.30 | 0.254 | |
45 | 1414.63 | 431.89 | 126.68 | 306.37 | 87.53 | 386.99 | 225.13 | 0.256 | |
50 | 1445.81 | 447.45 | 141.74 | 328.44 | 96.53 | 406.75 | 235.27 | 0.258 |
表30 K时, 压力P对c-BN和h-BN的弹性常数Cij, B, G的影响
Table3.Effect of pressure on the elastic constants of c-BN and h-BN at 0 K
如图2所示, 随着P的增加, c-BN和h-BN的弹性常数Cij都随着P的增加而单调增大, 这表明c-BN和h-BN的可压缩性随P的升高而变得越来越差. 无论是c-BN还是h-BN, 随着P的变化C11的变化都是最明显的, 这说明C11对P最为敏感.
图 2 0 K时, 压力对c-BN和h-BN的弹性常数的影响
Figure2. Effect of pressure on the elastic constants of c-BN and h-BN at 0 K
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3.2.2.声子谱
晶格动力学规定, 若结构给定, 那么所有该结构的简正振动模的频率都为有限实值[50], 也就是说不应该出现虚频. 对于Brillouin区的任一波矢, 若声子频率出现虚数, 则说明该结构在此条件下属于亚稳态, 将最终被能量更低的稳定结构取代. 计算得到c-BN和h-BN结构的声子谱如图3所示, 在c-BN结构的Brillouin区中任一波矢的声子频率都没有出现虚数, 这说明其具有声子稳定性. 反观h-BN结构, 在Brillouin区的K点到M点区域内, 有虚频声子出现, 这说明h-BN声子不稳定, 可知h-BN在零温零压时处于亚稳态.图 3 0K和0GPa时c-BN和h-BN的声子谱和声子色散
Figure3. Phonon spectrum and density of phonon states of c-BN and h-BN at 0 K and 0 GPa
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3.3.热力学
热力学性质在材料研究方面具有潜在的意义, 晶体的热力学性质受外界温度T和压力P的影响很大[51]. 利用德拜模型[52]计算c-BN的热膨胀系数α、晶格体积的变化V/V0、比热容CV, 德拜温度ΘD、格林艾森系数γ等参数. 当考虑声子效应时, 非平衡条件下的吉布斯函数G*(V, P, T)可以表示为图 4 温度(a)和压力(b)对c-BN标准元胞体积V/V0的影响
Figure4. The normalized primitive cell volume V/V0 versus temperature (a) and pressure for the c-BN
热容CV是晶体的关键物理参数, 它提供晶体振动和传热过程的一些重要信息. 如图5(a)所示, 在温度不变时, 除0 K不发生变化外, CV随着P的增大而减小, 但减小量很小. 从图5(b)可以清楚地看出, 随着温度的增加, CV的增加量逐渐变小, 这可以从CV关于T的斜率逐渐减小看出. 这是由于在较高温度区域, CV的非谐波效应受到抑制. 具体来说, 当T小于800 K时, CV很大程度上取决于T, 这是使用德拜模型的结果, 在较高温度区域, CV的非谐波效应受到抑制, CV的增加量逐渐减小, 并最终趋于零. 也就是说, 随着T的持续增长, CV遵循德拜定律, 并接近Dulong-Petit极限.
图 5 c-BN比热容CV与压力(a)和温度(b)之间的关系
Figure5. The heat capacity CV versus temperature and pressure for the c-BN
固体的热膨胀反映了晶体结合的非谐波效应, 对于非立方对称性晶体, 其热膨胀通常是各向异性的[53]. 由图6(a)可以看出, T恒定时, c-BN的热膨胀系数α随着P的增加, 除了0 GPa一直为0外, 其他都逐渐减小, 且变化越来越缓和; 这是由于非谐波效应随压力升高而变弱导致的. 如图6(b)所示, 低温区的α随温度T几乎呈指数的上升趋势, 而随着T的升高, 这种上升趋势逐渐缓和, 直到趋近于线性关系, 这也是非谐波效应随温度升高而变弱导致的. 图6也揭示了T对α的影响远大于P, 这表明T对晶格非谐波效应影响较大.
图 6 c-BN的热力学膨胀系数α与压力(a)和温度(b)的关系
Figure6. The thermodynamic expansivity α versus pressure (a) and temperature (b) for the c-BN
徳拜温度ΘD是材料的基本参数, 与许多物理性质密切相关, 当温度低于ΘD时, 晶格的振动激发主要来自于声子振动. 本文计算的ΘD在0 K和0 GPa时为1464.2 K, 从图7(a)可以看出, 在T一定时, c-BN的德拜温度ΘD随着P的增加几乎呈线性增大, 这意味着声子振动激发的频率随P的增加而增大. 如图7(b)所示, 在P一定的情况下, ΘD随着T的增加而减小, 且在相同的压力间隔下减小速度加快, 且二次函数能够很好地拟合ΘD与T的关系.
图 7 c-BN的徳拜温度ΘD与压力(a)和温度(b)的关系
Figure7. The Debye temperature ΘD versus pressure (a) and temperature (b) for the c-BN
格林艾森系数γ反映晶格的非谐波效应程度, 从图8(a)可以看出, 在T一定的情况下, c-BN的γ随P的增加逐渐减小, 即非谐波效应降低, 且在高温区域比低温区域减小得更快. 从图8(b)可以看出, 在P一定的情况下, c-BN的γ随T的增加而增大, 即非谐波效应升高. 图8也说明P对非谐波效应的影响程度大于T. γ越高, 原子间作用力越大, 换而言之, 晶胞的体积也就越小, 这可以从V/V0(图4)关于T的变化以及弹性常数的计算分析中得知.
图 8 c-BN的格林艾森系数γ与压力(a)和温度(b)的关系
Figure8. The Grüneisen parameter γ versus pressure (a) temperature and (b) for the c-BN
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3.4.电子结构
能带结构和态密度(density of states, DOS)对于分析材料的物理性质至关重要[54,55]. 如图9所示, 本文计算了零温零压时c-BN和h-BN沿Brillouin区高对称点方向的能带结构. 在c-BN和h-BN能带结构的计算中, 选取了费米能级EF附近–25—25 eV的能带结构(EF为0 eV, 在图9中用黑色实线标出), 计算的带隙宽度如表4所列.图 9 0 GPa和0 K下c-BN (a)和h-BN (b)的能带结构
Figure9. Band structures for c-BN (a) and h-BN (b) at 0 GPa and 0 K
c-BN | h-BN | |||||||
Eg/eV | 实验 | 本文计算 | 其他计算 | 实验 | 本文计算 | 其他计算 | ||
5.38 [56] | 4.391 | 4.11 [57] | 5.955 [58] | 4.071 | 3.378—4.194 [59] | |||
4.81 [33] | 4.01 [33] | |||||||
4.24 [60] | 4.07 [62] | |||||||
4.67 [61] | 4.95[63] |
表4c-BN和h-BN的带隙宽度[33,50—57]
Table4.Bandgap of c-BN and h-BN[33,50—57]
如图9所示, c-BN价带的顶点在G点, 而导带的底点在X点, 即价带的最高点与导带最低点不在同一点, 故c-BN属于间接带隙; 同样, h-BN价带的最高点在K点附近, 而导带的最低点在M点附近, h-BN也属于间接带隙. 在c-BN能带结构中, 有价带在G点附近穿过EF进入导带, 这说明EF附近存在自由电子, 使得c-BN表现出一定的金属性质; 同样, h-BN的能带结构中, 在H, K两点附近也有价带穿过EF进入导带, h-BN也表现出一定的金属性质. 结合表4中的计算结果可知: c-BN和h-BN的带隙宽度分别为4.391和4.071 eV, 均大于2.2 eV, 故c-BN和h-BN都可归为宽带隙半导体. 同时, 由表4可以看出, 本文的计算结果与现有理论值和实验值之间的差异均在30%左右, 这是由于DFT计算的是基态近似的结果, 而在真实体系中的能隙属于激发态, 这在计算材料界是普遍存在的现象, 并不影响人们对c-BN和h-BN电子结构的分析和研究.
态密度是用来描述固体中电子能级的物理量, DOS峰值的尖锐程度反映了该区域相互作用的强弱 [51,54,64]. 为了进一步了解c-BN和h-BN的电子结构特性, 计算了零温零压时的总DOS和分波态密度(partial density of states, PDOS).
如图10(a)所示, c-BN由B的2s2p和N的2s2p轨道杂化而成, B和N对c-BN的总DOS几乎同时开始贡献. c-BN的DOS中, B的2s轨道和N的2p轨道在相同能量处存在多个能量重合, 可以明显看出B和最近的N之间形成的是sp3杂化的共价键. c-BN有3个连续区域, 分别对应着能带图9(a)中的3个带隙. c-BN的3个连续区域分别是: 价带底的–20.781— –13.912 eV, 对应于能带图中价带的最下面一条, 主要来源于B的2s和N的2p轨道; 价带上部的–11.161—0.215 eV, 对应于能带图中价带的其他三条, 主要来源于B的2p和N的2p轨道, 可以看出B的2p轨道贡献最大, 其局域性也最强; 导带的4.809—18.273 eV, 对应于能带图中的导带, 主要来源于B的2p和N的2s2p轨道. 同样地, 从图10(b)中可以看出, h-BN的总DOS也由B的2s2p和N的2s2p轨道杂化而成, 且几乎同时开始贡献, B和最近的N之间形成的则是sp2杂化的共价键. h-BN也同样存在与图9(b)相对应的3个连续区域, 分别是: 价带底的–18.118— –13.377 eV, 对应于能带图中价带的最下面两条, 主要来源于N的2s和B的2p轨道; 价带上部的–9.451—0.451 eV, 主要来源于B的2p和N的2p轨道, 对应于能带图中价带的其他能带, 可以看出N的2p贡献最大, 其局域性也最强; 导带的3.726—21.302 eV, 对应于能带图中的导带, 主要来源于B的2s2p轨道. EF位于峰和谷之间的位置, 可以定性地表明材料的稳定性和导电性. 在EF处, c-BN和h-BN的总DOS均不为零, 因此, 两者的成键类型主要为共价键, 但其中还有一些离子成分参与, 说明均有一定的金属性质.
图 10 0 GPa和0 K下c-BN和h-BN的态密度
Figure10. Density of states for c-BN and h-BN at 0 GPa and 0 K
比较c-BN和h-BN的总DOS可以发现: c-BN的价带较宽而导带较窄, h-BN的导带较宽而价带较窄. c-BN的每个连续区域的DOS的峰值都比较尖锐, 说明局域性较强, B, N之间的相互作用较强; sp3轨道杂化的空间结构和较强的共价键, 使得c-BN在硬度、化学惰性和热稳定性等方面有着优良的性能. h-BN在价带的局域性较强, 而在导带的DOS峰带隙较宽, 趋势相对比较平滑, B, N之间的相互作用较弱; 相对于c-BN稳定性较差, 在外部环境发生变化时, 其结构会发生相应的改变; sp2轨道杂化的空间平面结构使得其沿c轴方向强度较差, 这和前面所述一致.
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3.5.光学性质
当光照到物体表面时, 随着入射光频率ω的变化, 其光学性质会发生一定的变化, 主要表现在对光的折射率n、反射率R、干涉、衍射以及对光的吸收I、色散等. 光具有波粒二象性, 当光在介质中传播时, 光子的电场扰动使介质中的电子发生跃迁, 这需要用复介电函数进行描述:光从一种介质进入另一种介质时, 会在介质的表面发生反射和折射, 光的折射率与复介电函数之间存在以下关系:
图 11 0 K和0 GPa时c-BN和h-BN的复介电函数
Figure11. Complex dielectric functions of c-BN and h-BN at 0 K and 0 GPa
由图11可知, 入射光能量Ein = 0时, c-BN和h-BN的介电常数值ε0(单位: C2·N–1·m–2)分别是4.385和4.180, 因此c-BN和h-BN的屏蔽性都比较强. 在低能区域, c-BN的复介电函数虚部ε2(ω)(图11(a)中的Im)在Ein达到6.942 eV时开始上升, 即c-BN的吸收边界为6.942 eV, 这是由价带穿越费米能级EF导致的, 说明c-BN具有一定的导电性, 这和前面电子结构的分析结果相同. h-BN的复介电函数虚部ε2(ω)(图11(b)中的Im)和c-BN类似, 在低能区一直趋于0, h-BN的吸收边界为2.797 eV, 同样也具有一定的金属特性.
吸收系数I和复介电函数的虚部ε2密切相关, 如图12所示. 可以看出, c-BN的吸收峰要明显高于h-BN的吸收峰. 吸收峰的较高能量主要源自于带间电子跃迁, c-BN和h-BN有如此高的吸收系数, 主要是由电子从价带向导带跃迁导致的.
图 12 0 K和0 GPa时c-BN和h-BN的吸收系数
Figure12. Absorption coefficients of c-BN and h-BN at 0 K and 0 GPa
c-BN和h-BN的反射率R如图13所示, 入射光能量Ein = 27.083 eV时, c-BN的反射率达到最大值R = 0.859. 显然, c-BN的反射能力明显优于h-BN, 在40 eV以上的高能区, c-BN和h-BN的反射率R均几乎为0. c-BN的R在29.5 eV左右急剧下降, 说明对于不同频率的入射光, 材料的响应性能变化较大.
图 13 0 K和0 GPa时c-BN和h-BN的反射率
Figure13. Reflectivity of c-BN and h-BN at 0 K and 0 GPa
c-BN和h-BN的光折射率n和消光系数k随入射光能量Ein的变化关系如图14所示, 可以看出与对应的复介电函数变化趋势几乎相同. Ein = 0时, c-BN和h-BN的静态折射率n(0)分别是2.094和2.045, h-BN的n(0)略小于c-BN, 这与静态介电常数类似. 由复介电函数和折射率、消光系数的关系(28)式和(29)式可知, ε1(ω)和ε2(ω)在上升和下降过程中斜率最大的地方分别对应着n(ω)和k(ω)的峰和谷.
图 14 0 K和0 GPa时c-BN和h-BN的折射率和消光系数
Figure14. Refractive index and extinction coefficient of c-BN and h-BN at 0 K and 0 GPa
c-BN在Ein = 12.415 eV时, n, k 相等, 约为2.6, 此时的ε1 = 0; 当ε1 < 0, 即n < k时, 通过对比图13中的c-BN的反射率R可知此时R比较大, 说明在此频率范围内光几乎不能在固体中传播; 当n 随着Ein的增加而增大时, c-BN表现为正常色散特性, 反之则表现为反常色散特性. 对于h-BN则比较复杂, 可以看出其n和k曲线有4次交叉, 这和h-BN有4次ε1 = 0相符合; 在较高能量段, 当ε1 < 0, 即n < k时, 其R也比较大, 光也很难在其内部通过. 无论是c-BN还是h-BN, 在高频能量范围内(Ein > 30 eV), k几乎为0, 这说明光在其内部传播不会衰减, 也就是说能量不会减小, 此时c-BN和h-BN在高能区内很难吸收光.
损失函数L描述的是光电子在均匀电介质中穿过时的能量损失情况, c-BN和h-BN的损失函数L如图15所示, c-BN和h-BN都有明显的能量损失峰, 分别出现在Ein = 28.648 eV和Ein = 26.232 eV处, 对应的L分别为30.112和5.662. 值得注意的是, c-BN的峰值明显大于h-BN, 且更加尖锐, 这说明c-BN在峰值处随Ein变化更加敏感. 结合图13和图14的变化曲线可以看出, 在该峰处对应的反射率R迅速下降. L的变化比较大是由于带间的相互作用比较强; 反之, 则带间相互作用较弱.
图 15 0 K和0 GPa时c-BN和h-BN的损失函数
Figure15. Loss function of c-BN and h-BN at 0 K and 0 GPa
通过前面能带的分析可以知道, c-BN和h-BN均为间接带隙半导体, 在半导体的光吸收过程中, 电子的跃迁会产生光电导现象. c-BN和h-BN的光电导率σ如图16所示, c-BN和h-BN的光电导实部(Re)在低能区(c-BN: Ein < 6.961 eV, h-BN: Ein < 2.942 eV)和高能区(c-BN: Ein > 34.075 eV, h-BN: Ein > 36.679 eV)趋近于0. c-BN和h-BN分别在Ein = 12.185 eV和Ein = 14.029 eV处达到峰值20.697和9.567 fs–1, c-BN的峰值明显大于h-BN, 而h-BN有两个较明显的峰. c-BN的虚部可以分为两部分, 在Ein < 12.286 eV时为负, Ein > 12.286 eV时为正; h-BN相对复杂, 但基本上是在Ein < 14.133 eV时为负, Ein > 14.133 eV时为正. c-BN和h-BN在正负分界处附近的变化都十分明显.
图 16 0 K和0 GPa时c-BN和h-BN的光电导率
Figure16. Conductivity of c-BN and h-BN at 0 K and 0 GPa