02专项项目“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”由中国科学院化学研究所、中国科学院理化技术研究所、北京科华微电子材料有限公司联合承担。经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明专利15项（包括5项国际专利），截至目前共获得授权专利10项（包括国际专利授权3项）。
极紫外（Extreme Ultraviolet，EUV）光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。作为下一代光刻技术，被行业赋予拯救摩尔定律的使命。极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，国外同类技术封锁严重，技术难度大、瓶颈多。极紫外光刻胶是极紫外光刻技术的核心子系统关键技术，该项目的顺利实施填补了我国在这一领域的空白。
上海光源软X射线干涉光刻（XIL）线站建成于2012年。X射线干涉光刻（XIL）技术是利用两束或多束相干X光束的干涉条纹对光刻胶进行曝光的新型先进微、纳加工技术，可以开展几十甚至十几个纳米周期的纳米结构加工。与其他光刻等方法相比，XIL技术具有分辨率高、无邻近效应、无污染、产出高等优点，可以更可靠地获得大面积、高质量的亚50nm的高密度周期性纳米结构。X射线干涉光刻技术应用于EUV光刻胶的检测是目前国际上最先进的表征方法。杨国强课题组与上海光源团队通力合作，在原有干涉光刻实验站的基础上完成了光刻胶曝光检测装置和产气测试装置的共同研制，初步建立起EUV光刻胶敏感度、分辨率、边缘粗糙度及曝光产气等重要指标检测的完整EUV光刻胶评估检测平台。该平台将在我国今后的EUV光刻胶研究中继续发挥重要作用。（物理与环境部、束线工程部、大装置部供稿）
主曝光检测腔和产气测试腔
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