姓名： 徐静平

职称：教授

专业方向：微电子学系

个人简介：
姓 名：徐静平

职 称：教授、博导

所在系：微电子学系

研究所：微纳电子器件研究所

职 务：副系主任

学习工作经历：

1982.1毕业于华中工学院固体电子学系半导体物理与器件专业，84年获该专业工学硕士学位，并留校任教。1993年获电子材料与元件专业工学博士学位，95年12月至99年6月在香港大学郑耀宗教授(中科院院士，原香港大学校长)以及黎沛涛教授指导下做博士后研究工作。近几年来，作为访问教授每年赴香港大学从事2-3个月的合作研究。94年晋升为副教授，2000年2月晋升为教授，2002年6月被评聘为博导。自1984年以来，一直从事微电子器件、物理、工艺以及集成技术方面的教学与研究工作。2003年至今，作为项目主持人完成国家自然科学基金项目5项，在研2项，是国家自然科学基金通讯评审专家及上会评审专家。主要从事先进的Si、Ge、SiC、GaAs、InGaAs、GeOI为基小尺寸MOS器件方面的研究工作，包括各种高k栅介质及其堆栈结构的设计和制备、各种表面钝化技术和界面钝化层技术、材料和界面的微观分析、MOS器件电特性和界面特性的测量与刻划，以及高k栅介质MOSFET器件物理模型、结构设计及制备工艺。研制出性能优良的各种堆栈高k栅介质结构及相应的MOS器件，迄今共发表学术论文100余篇。

研究方向、领域：

（1）MOS器件物理、工艺及可靠性;（2）小尺寸MOS器件建模与模拟;（3）小尺寸MOS器件高k栅介质及其界面特性；（4）非挥发性半导体存储器
在研项目：

1. 国家自然科学基金：小尺寸HfTiO/TaON/GeON堆栈高k栅介质GeOI基MOSFET研究

2. 国家自然科学基金：小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究

3. NAND Flash存储器器件建模 华为技术有限公司
主要成果：

1. 提出了各种表面钝化技术和界面层技术，使MOS器件的界面特性和电特性得到有效改善；

2. 提出并制备了各种高k栅介质及其堆栈结构，制备出性能优良的小尺寸MOS器件；

3. 制备出新型双隧穿层、双存储层电荷陷阱型非挥发性半导体存储器，获得了存储特性大的改善；

4. 迄今为此，已在IEEE EDL、IEEE TED、Appl Phys Lett.、Appl Phys Express等国际国内重要期刊上发表学术论文80余篇。

近三年发表的主要论文如下(*为通讯作者)：

1） Li-Sheng Wang, Lu Liu, Jing-Ping Xu*, Shu-Yan Zhu, Yuan Huang, and Pui-To Lai, Electrical Properties of HfTiON Gate-Dielectric GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor With AlON as Interlayer, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61(3), 2014, pp. 742-746.

2） J. X. Chen, J. P. Xu*, L. Liu, X. D. Huang, P. T. Lai，Improvements of Performance and Reliability for Metal–Oxide–Nitride–Oxide–Silicon Flash Memory With NO- or N2O-Grown Oxynitride as Tunnel Layer，IEEE Trans. Device and Materials Reliability, vol. 14(1), (2014), pp.9-12

3） J. X. Chen, J. P. Xu*, L. Liu, X. D. Huang, P. T. Lai, “Improved performance by using TaON/SiO2 as dual tunnel layer in Charge-Trapping nonvolatile memory”, Microelectronics Reliability, vol.54, no.2, Feb. 2014, 393-6.

4） L. Liu,J. P. Xu*,J. X. Chen, P. T. Lai, Improved characteristics for MOHOS memory with oxygen-rich GdO as charge storage layer annealed by NH3, Applied Physics A. Materials Science & Processing, vol.115, no.4, June 2014, 1317-21

5） Li-Sheng Wang, Jing-Ping Xu*, Lu Liu, Wing-Man Tang, Pui-To Lai, Nitrided HfTiON/Ga₂O₃ (Gd₂O₃) as stacked gate dielectric for GaAs MOS applications, Applied Physics Express, vol.7, no.6, June 2014, 061201.

6） L. S. Wang, J. P. Xu*, S. Y. Zhu, Y. Huang, P. T. Lai, Improved interfacial and electrical properties of GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors with HfTiON as gate dielectric and TaON as passivation interlayer, Appl. Phys. Lett. 103, (2013) 092901.

7） J. X. Chen, J. P. Xu*, L. Liu, and P. T. Lai, “Improved performances of metal-oxide-nitride- oxide-silicon memory with HfTiON as charge-trapping layer”, Appl. Phys. Lett. 103, (2013) 213507.

8） Jian-Xiong Chen, Jing-Ping Xu*, Lu Liu, and Pui-To Lai, “Performance Improvements of Metal–Oxide–Nitride–Oxide–Silicon Nonvolatile Memory with ZrO2 Charge-Trapping Layer by Using Nitrogen Incorporation”, Appl. Phys. Express 6, (2013) 084202.

9） Zhu Shuyan, Xu Jingping*, Wang Lisheng and Huang Yuan，Improved Interface Properties of HfO₂ Gate Dielectric GaAs MOS Devices by Using SiNx as Interfacial Passivation Layer，Chin. Phys. B, vol.22(9), 097301-1-4 (2013).

10） Fan Minmin, Xu Jingping*, Liu Lu, Bai Yurong, The impact of quantum confinement on the electrical characteristics of ultrathin-channel GeOI MOSFETs , Journal of Semiconductors, vol.35, no.4, April 2014, 044004

11） He Meilin, Xu Jingping*, Chen Jianxiong, and Liu Lu, Improved memory performance of metal–oxide–nitride–oxide–silicon by annealing the SiO₂ tunnel layer in different nitridation atmospheres, Journal of Semiconductors, vol. 34(11), 114005-1-4, 2013

12） 黄苑，徐静平*，汪礼胜，朱述炎，不同散射机理对Al₂O₃/In_xGa_1-xAs nMOSFET反型沟道电子迁移率的影响，物理学报，vol. 62(15)，p.157201 (2013)

13） 何美林，徐静平*，陈建雄，刘璐，LaON/SiO₂和HfON/SiO₂双隧穿层MONOS存储器存储特性的比较，物理学报，vol. 62(23), 238501, (2013).

14） 朱剑云，刘璐，李育强，徐静平*，退火工艺对LaTiON和HfLaON存储层MONOS存储器特性的影响，物理学报，2013，62(3)，038501-6。

15） L. Liu, J. P. Xu*, F. Ji, J. X. Chen, P. T. Lai, “Improved Charge-Trapping Properties of TiON/HfON Dual Charge Storage Layer by Tapered Band Structure,”Applied Physics Letters, 2012, 101(13), 133503.

16） L. Liu,J. P. Xu*, F. Ji, J. X. Chen, P. T. Lai, “Improved Memory Characteristics by NH₃-Nitrided GdO as Charge Storage Layer for Nonvolatile Memory Applications,”Applied Physics Letters, 2012, 101(3), 033501.

17） L. Liu, J. P. Xu*, J. X. Chen, X. D. Huang, P. T. Lai, “Ultranthin HfON/SiO₂ Dual Tunneling Layer for Improving the Electrical Properties of Metal-Oxide-Nitride-Oxide- Silicon Memory”, Thin Solid Films, 2012, 524, 263-267.

18） F. Ji, J. P. Xu*, J. G. Liu, C. X. Li, and P. T. Lai, “Improved interface properties of Ge metal-oxide-semiconductor capacitor with TaTiO gate dielectric by using in situ TaON passivation interlayer,”Applied Physics Letters, 98, 182901~182901-3, 2011.

19） F. Ji, J. P. Xu*, P. T. Lai, C. Xi Li, and J. G. Liu, “Improved Interfacial Properties of Ge MOS Capacitor With High-k Dielectric by Using TaON/GeON Dual Interlayer,”IEEE Electron Device Letters, 32, 122~124, 2011.

20） L. Liu, J. P. Xu*, X. D. Huang, P. T. Lai, “A Novel MONOS Memory with High-k HfLaON as Charge-Storage Layer,”IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2011, 11(2), 244-247.

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