纳米硅薄膜的Raman光谱
| 外文标题 | Raman Spectra of Nanocrystalline Silicon Films |
| 文献类型 | 期刊 |
| 作者 | 徐刚毅[1];王天民[2];李国华[3];王金良[4];何宇亮[5];马智训[6];郑国[7] |
| 机构 | [1]兰州大学材料科学系,兰州,730000 [2]兰州大学材料科学系,兰州,730000;北京航空航天大学材料物理与化学研究中心,北京,100083 [3]中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083 [4]北京航空航天大学材料物理与化学研究中心,北京,100083 [5]北京航空航天大学材料物理与化学研究中心,北京,100083 [6]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 [7]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 ↓ |
| 来源信息 | 年:2000卷:21期:12页码范围:1170-1176 |
| 期刊信息 | 半导体学报ISSN:0253-4177 |
| 关键词 | 纳米硅薄膜;喇曼谱;声子限制模型 |
| 摘要 | 通过等离子增强化学气相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响.结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值.X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性,进一步减小声子的平均自由程,导致实验值偏离理论计算值.晶格平移对称性的破缺还体现在,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加,喇曼谱中TA、LA振动模的相对散射强度增加. |
| 收录情况 | PKU |
| 所属部门 | 材料科学与工程学院 |
| 链接地址 | http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bdtxb200012005.aspx |
| DOI | 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.005 |
| 人气指数 | 2 |
| 浏览次数 | 2 |
| 基金 | 国家自然科学基金 |
全文
影响因子：
dc:title:纳米硅薄膜的Raman光谱
dc:creator:徐刚毅;王天民;李国华,等
dc:date: publishDate:2000-12-08
dc:type:期刊
dc:format: Media：半导体学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：半导体学报.2000,21(12),1170-1176.
dc:identifier:DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.005
dc: identifier:ISBN:0253-4177
