掺硼对纳米硅薄膜的光带隙的影响
| 文献类型 | 会议 |
| 作者 | 邓加军[1];陈强[2] |
| 机构 | [1]北京航空航天大学理学院 [2]北京航空航天大学理学院 ↓ |
| 会议论文集 | 2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集 |
| 来源信息 | 年:2000页码范围:4 |
| 会议信息 | 2000年中国材料研讨会ISSN: |
| 关键词 | 纳米硅;掺硼;光带隙 |
| 摘要 | 利用PECVD方法,以高氢稀释的硅烷(SiH_4)为反应气体,通过加入硼烷(B_2H_6)制备了掺硼纳米硅薄膜。用PC UV-VIS-NIR分光光度计测量了薄膜样品的透射谱,并用两种方法计算了薄膜样品的光带隙。研究了多种成膜因素对光带隙E_(opt)的影响,其中掺杂浓度、衬底温度以及稀释比对其影响最大。光带隙随三者的增大而变窄,说明纳米硅薄膜中除了量子尺寸效应会引起光电特性的变化外,薄膜结构无序度的增加是掺硼纳米硅薄膜光带隙降低的主要原因。 |
| 所属部门 | 物理科学与核能工程学院 |
| 会议开始日期 | 2000-06-30 |
全文
影响因子：
物理系
dc:title:掺硼对纳米硅薄膜的光带隙的影响
dc:creator:邓加军;陈强
dc:date: publishDate:2000-06-30
dc:type:会议
dc:format: Media：2000年中国材料研讨会
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：2000年中国材料研讨会.2000,4.
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dc: identifier:ISBN:
