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掺磷纳米硅薄膜电导及压阻效应的研究

外文标题	Structure Characteristics and Piezo-Resistance Effect in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Films
文献类型	期刊
作者	陈晨[1];何宇亮[2];祁祥麟[3]
机构	[1]北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院 [2]北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院 [3]北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院 ↓
来源信息	年:2000卷:26期:4页码范围:485-489
期刊信息	北京航空航天大学学报ISSN:1001-5965
关键词	硅膜;电导率;效应;纳米硅;压阻效应
摘要	研究了掺磷对纳米硅薄膜微结构和电学特性的影响.指出气相掺杂能使nc-Si:H膜中磷原子浓度达到原子分数5%的水平,掺杂效率可达η≈1.0%.掺磷后能使薄膜暗电导率提高两个数量级,达到σ=10-1～101S·cm-1,电导激活能ΔE=(1～6)×10-2eV水平.掺磷能促使nc-Si:H膜更加有序化且晶粒尺寸变小,这有利于使纳米硅薄膜往应用方向发展.
收录情况	PKUCSCD
所属部门	物理科学与核能工程学院
链接地址	http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjhkhtdxxb200004030.aspx
DOI	10.3969/j.issn.1001-5965.2000.04.030
人气指数	1
浏览次数	1
基金	国家自然科学基金

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dc:title:掺磷纳米硅薄膜电导及压阻效应的研究
dc:creator:陈晨;何宇亮;祁祥麟
dc:date: publishDate:2000-08-30
dc:type:期刊
dc:format: Media：北京航空航天大学学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：北京航空航天大学学报.2000,26(4),485-489.
dc:identifier:DOI：10.3969/j.issn.1001-5965.2000.04.030
dc: identifier:ISBN:1001-5965