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纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

外文标题	ELECTRICAL PROPERTIES AND METALLIC TRANSITIONS IN NANOCRYSTALS Si AT HIGH PRESSURE
文献类型	期刊
作者	鲍忠兴[1];何宇亮[2];王卫乡[3];柳翠霞[4];陈伟[5]
机构	[1]中国科学院物理研究所,中国科学院国际材料物理中心,中国科学院半导体材料科学开放实验室,北京航空航天大学,华南师范大学 [2]中国科学院物理研究所,中国科学院国际材料物理中心,中国科学院半导体材料科学开放实验室,北京航空航天大学,华南师范大学 [3]中国科学院物理研究所,中国科学院国际材料物理中心,中国科学院半导体材料科学开放实验室,北京航空航天大学,华南师范大学 [4]中国科学院物理研究所,中国科学院国际材料物理中心,中国科学院半导体材料科学开放实验室,北京航空航天大学,华南师范大学 [5]中国科学院物理研究所,中国科学院国际材料物理中心,中国科学院半导体材料科学开放实验室,北京航空航天大学,华南师范大学 ↓
来源信息	年:1999卷:13期:2页码范围:133-137
期刊信息	高压物理学报ISSN:1000-5773
关键词	纳米晶Si;电阻;电容;金属化相变
摘要	在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法,研究了粒径为15～18nm和80nm的纳米晶Si在室温下、24GPa内的电阻、电容与压力的关系.实验结果表明,它们分别在19～17GPa和14GPa左右发生了金属化相变.
收录情况	PKUCSCD
链接地址	http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gywlxb199902009.aspx
DOI	10.3969/j.issn.1000-5773.1999.02.009
人气指数	1
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基金	中国科学院资助项目

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dc:title:纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变
dc:creator:鲍忠兴;何宇亮;王卫乡,等
dc:date: publishDate:1999-06-25
dc:type:期刊
dc:format: Media：高压物理学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：高压物理学报.1999,13(2),133-137.
dc:identifier:DOI：10.3969/j.issn.1000-5773.1999.02.009
dc: identifier:ISBN:1000-5773