杨辉
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：
个人主页： http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/200907/t**_**.html
实验室介绍：


个人简历 Personal resume


1982年毕业于北京大学无线电系，同年考取中国科学院半导体所研究生，1991年获博士学位，1993至1996年在德国柏林Paul-Drude-Institute for Solid state electronics 做博士后和客座研究员。1997年被中科院半导体所聘为研究员。1998年获国家****基金支持。2000年被聘为国家光电子工艺中心主任。2002年被任命为中科院半导体所副所长。目前担任中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所长，香港大学荣誉教授，北京邮电大学和同济大学客座教授，中国电子学会电子材料分会主任委员，1998-2002年曾任国家863计划光电子主题专家组成员。主要从事III-V族化合物半导体的材料生长，物理分析，以及器件研究。


研究方向 Research direction


1、半导体材料与器件物理



招生信息 Enrollment information





论文专著 The monograph


1)Hole transport in c-plane InGaN-based green laser diodes - APPLIED PHYSICS LETTERS - 2016 - 109, 092104
2)Room-temperature continuous-wave electrically injected InGaN-based laser directly grown on Si - Nature Photonics - 2016 - 卷: 10期: 9页: 595-599
3)Current density dependence of transition energy in blue InGaN/GaN MQW LEDs - Physica Status Solidi:C - 2016 - 13:5-6