张书明
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：
个人主页： http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201608/t**_**.html
实验室介绍：


个人简历 Personal resume


长期从事氮化镓基半导体光电子材料与器件的研究和开发工作，在国内首先实现了氮化镓基发光二极管的产业化，在国内首次研制成功了氮化镓基紫光、蓝光、绿光激光器，并推进氮化镓基激光器的产业化。承担和完成了10多项国家863、973、中科院知识创新工程、中科院先导专项、国家自然科学基金重点和面上项目等课题。发表文章近100余篇，申请国家发明专利20余项。


研究方向 Research direction


1、氮化镓基蓝绿光激光器
2、新型半导体光电子器件



招生信息 Enrollment information


具有物理和材料背景专业的学生。目前承担中科院先导专项、国家自然科学基金重点项目等研究课题，经费4500万元人民币。


论文专著 The monograph


1)Strain-Related Degradation of GaN-Based Blue Laser Diodes, - IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electro - 2019 - 2019, 25(6), **
2)Realization of GaN-based gain-guided blue laser diodes by helium ion implantation - Semiconductor Science and Technology, 2019, 34, 11 - 2019 - 2019, 34, 11
3)Thermal analysis of GaN-based laser diode mini-array - CHINESE PHYSICS B - 2018 - 2018, 27(9):094208
4)Asymmetrical quantum well degradation of InGaN/GaN blue laser diodes characterized by photoluminescence - Appl. Phys. Lett. - 2017 - 2017, 111:2
5)Thermal etching rate of GaN during MOCVD growth interruption in hydrogen and ammonia ambient determined by AlGaN/GaN superlattice structure - Journal of Crystal Growth - 2017 - 2017, 475:93-96
6)Catastrophic Degradation of InGaN/GaN Blue LaserDiodes - IEEE Transactions on Device and Marerials Reliabil - 2016 - 639 Vol16 No.4 (2016)
7)Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties - Journal of Applied Physics - 2016 - 119, 213107 (2016)
8)Investigation of rapid degradation in GaN-based blue laser diodes - Superlattices and Microstructures - 2016 - 10.1016 (2016)