张宝顺
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：
个人主页： http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/200907/t**_**.html
实验室介绍：


个人简历 Personal resume


博士，研究员。1994-1999，于长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室从事半导体激光器工艺技术研究和半导体激光材料MBE 生长研究；2000-2003，中国科学院半导体研究所材料物理与化学专业博士研究生，从事GaN材料MOCVD生长研究；2004年-2006年，在香港科技大学光电科技中心从事Si衬底、蓝宝石衬底上LED 材料生长和器件工艺研究以及Si 衬底HEMT材料生长研究。目前为中国科学院纳米技术与纳米仿生研究所研究员，负责运行中科院纳米所纳米加工平台，主要从事宽禁带半导体材料生长和器件研究以及微系统集成技术研究。


研究方向 Research direction


1、宽禁带半导体材料与器件
2、原子芯片微系统集成



招生信息 Enrollment information


招收物理、光电子、微电子、半导体材料背景的毕业生。在纳米加工平台从事半导体芯片（包括GaN、SiC、Ga2O3等功率器件，原子芯片微系统集成等）和先进半导体材料研究工作。纳米加工平台拥有7500平方米超净室，200多台半导体芯片和半导体材料研发设备，所招学生在该平台从事从事芯片设计、材料生长、器件制备和封装等研究工作。


论文专著 The monograph


1)Broadband Ultraviolet Photodetector Based on Vertical Ga2O3/GaN Nanowire Array with High Responsivity - Advanced optical materials - 2019 - 2019年第7期
2)Monolithic integration of enhancement/depletion-mode high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment - Applied Physics Express - 2019 - 2019年第12卷
3)Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using oxygen plasma treatment - Applied Physics Express - 2019 - 2019年第12卷
4)Optoelectronic platform and technology - Frontiers of Information Technology & Electronic E - 2019 - 2019年第20卷
5)Enhancement mode AlGaN/GaN HEMTs by fluorine ion thermal diffusion with high Vth stability - Applied Physics Express - 2019 - 2019年第12卷
6)Enhanced performance of vertical-structured InGaN micro-pixelated light-emitting diode array fabricated using ion implantation process - Optics letters - 2019 - 2019年第44卷
7)Enhancement-mode n-GaN gate p-channel heterostructure field effect transistors based on GaN/AlGaN 2D hole gas - Applied Physics Letters - 2019 - 115