张瑞英
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：
个人主页： http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/200907/t**_**.html
实验室介绍：


个人简历 Personal resume


1999年考入中国科学院半导体研究所，从事InP基材料MOCVD窄条宽选区生长和半导体光学放大器的研究，并于2002年获得微电子学和固体电子学工学博士学位；2002年至2004年底在北京交通大学和中科院半导体所作博士后，从事InP基N型调制掺杂量子阱材料生长和器件研究；2005年初加入英国布里斯托大学电子与电气工程系光子组，从事半导体环形腔激光器的研究。2008年6月加入我所，陆续从事太阳能电池减反、InP基异质外延和III-V信息光电子器件。


研究方向 Research direction


1、III-V信息光电子器件与材料
2、表面工程化太阳能电池
3、InP异质外延



招生信息 Enrollment information


知识背景：欢迎具有半导体光电子学、半导体器件物理、半导体物理、导波光学以及光通信和光传感学科背景的同学报考。考试科目：半导体光电子学、固体物理科研条件：（1）实验室拥有完备的信息光电子器件模拟设计平台（2）实验室具备III-V信息光电子器件静态性能测试平台,正在筹建其动态性能测试平台；（3）实验室与多家用户单位建立了密切的合作关系，制备成功的器件可以直接到合作方那里应用，实现器件研制到应用的零距离接触。（4）纳米所有完备的纳米加工表征设备，完全满足III-V半导体信息光电子器件研制。 学生待遇：实验室经费充足，根据学生对实验室的贡献度，会给出超过平均水平的助理津贴。


论文专著 The monograph


1)多变量离子注入型量子阱混杂效应 - Laser & Optoelectronics Progress - 201906 - 2020年第一期
2)双沟道脊波导 InGaAsP /InGaAsP 半导体激光器的温度分布仿真 - Semiconductor Devices - 201905 - 2019年第五期
3)Lateral thermal dissipation of InPbased InGaAsP ridge waveguidelaser - PROCEEDINGS OF SPIE - 201811 - 10812
4)面向高效单结GaInP太阳电池的介质复合纳米结构的仿真研究 - ＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ·Ｌａｓｅ - 201810 - 2019年第五期
5)InAs/GaAs Quantum Dot Dual-ModeDistributed Feedback Laser Towards LargeTuning Range Continuous-Wave TerahertzApplication - Nanoscale Research Letters - 201809 - 2018年第 13期
6)Development of Modulation p‑Doped 1310 nm InAs/GaAs QuantumDot Laser Materials and Ultrashort Cavity Fabry−Perot and Distributed-Feedback Laser Diodes - ACS photonics - 201712 - 2018年第5期