基本信息
姓名：曹震 职位: 讲师
硕导或博导:
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：集成电路工程　
工作单位：西安电子科技大学

联系方式
通信地址：西安市雁塔区太白南路2号
电子邮箱：caozhen@xidian.edu.cn
办公电话：
办公地点：北校区主楼-II419


个人简介
曹震，2019年7月进入西安电子科技大学“计算机科学与技术”学科博士后流动站，现为人工智能学院人工智能与模式识别研究所、智能感知与图像处理教育部重点实验室成员。
2009年至2013年就读于青岛科技大学信息科学技术学院集成电路设计与集成系统专业并获学士学位。
2013年至2016年就读于西安电子科技大学微电子学院集成电路工程专业并获工程硕士学位。
2016年至2019年就读于西安电子科技大学微电子学院微电子学与固体电子学专业并获工学博士学位。
博士期间，主要从事新型硅基功率器件方面的研究，发表SCI论文10余篇，其中《IEEE Electron Device Letter》和《IEEE Transactions on Electron Devices》论文5篇，专业领域国际会议ISPSD论文1篇，已授权发明专利2项。参与国家重点基础研发计划（973）、陕西省科技统筹、“十三五”*科研项目*。

主要研究方向
1.新型神经形态器件及相关技术
2. 低功耗新结构新原理器件
3. 人工智能芯片及相关技术

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基本信息
姓名：曹震 职位: 讲师
硕导或博导:
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：集成电路工程　
工作单位：西安电子科技大学

联系方式
通信地址：西安市雁塔区太白南路2号
电子邮箱：caozhen@xidian.edu.cn
办公电话：
办公地点：北校区主楼-II419


个人简介
曹震，2019年7月进入西安电子科技大学“计算机科学与技术”学科博士后流动站，现为人工智能学院人工智能与模式识别研究所、智能感知与图像处理教育部重点实验室成员。
2009年至2013年就读于青岛科技大学信息科学技术学院集成电路设计与集成系统专业并获学士学位。
2013年至2016年就读于西安电子科技大学微电子学院集成电路工程专业并获工程硕士学位。
2016年至2019年就读于西安电子科技大学微电子学院微电子学与固体电子学专业并获工学博士学位。
博士期间，主要从事新型硅基功率器件方面的研究，发表SCI论文10余篇，其中《IEEE Electron Device Letter》和《IEEE Transactions on Electron Devices》论文5篇，专业领域国际会议ISPSD论文1篇，已授权发明专利2项。参与国家重点基础研发计划（973）、陕西省科技统筹、“十三五”*科研项目*。

主要研究方向
1.新型神经形态器件及相关技术
2. 低功耗新结构新原理器件
3. 人工智能芯片及相关技术

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科学研究
目前研究团队承担的科研项目：

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学术论文
[1] Zhen Cao*, Duan Baoxing, Haitao Song, Fengyun Xie, Yintang Yang. Novel Superjunction LDMOS with a High-K Dielectric Trench by TCAD Simulation Study[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(5):2327-2332. (SCI: 044, IF: 2.605, JCR2)
[2] Zhen Cao*, Duan Baoxing, Baoxing Duan, Tongtong Shi, Ziming Dong, Haijun Guo, Yintang Yang. Theory Analyses of SJ-LDMOS with Multiple Floating Buried Layers Based on Bulk Electric Field Modulation[J], IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(6) :2565-2571. ( SCI: 075, IF: 2.605, JCR2 )
[3] Zhen Cao*, Baoxing Duan, Tongtong Shi, Song Yuan, Yingtang Yang. A Superjunction U-MOSFET With SIPOS Pillar Breaking Superjunction Silicon Limit by TCAD Simulation Study[J], IEEE Electron Device Letters, 2017, 38 (6): 794-797. (SCI: 025, IF: 3.048, JCR2)
[4] Zhen Cao*, Baoxing Duan, Hai Cai, Song Yuan, Yintang Yang. Theoretical Analyses of Complete 3-D Reduced Surface Field LDMOS With Folded-Substrate Breaking Limit of Superjunction LDMOS[J], IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63 (12): 4865-4872. (SCI: 039, IF: 2.605, JCR2)
[5] Duan Baoxing*, Cao Zhen, Song Yuan, Yintang Yang. Complete 3D-Reduced Surface Field Superjunction Lateral Double-Diffused MOSFET Breaking Silicon Limit[J]. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36 (12): 1348-1350. (SCI: 026, IF: 3.048, JCR2)
[6] Duan Baoxing*, Cao Zhen, Xiaoning Yuan, Song Yuan, Yintang Yang. New Superjunction LDMOS Breaking Silicon Limit by Electric Field Modulation of Buffered Step Doping[J]. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36 (1): 47-49. (SCI: 017, IF: 3.048, JCR2)
[7] Zhen Cao*, Baoxing Duan, Song Yuan, Haijun Guo, Jianmei Lv, Tongtong Shi, Yintang Yang. Novel Superjunction LDMOS with Multi-Floating Buried Layers[C]. 29th Int'l Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2017/06, LVT-P2: 283-286. (EI: 20**4, 国际功率半导体器件与功率集成电路领域顶级学术会议)
[8] Zhen Cao*, Duan Baoxing, Haijun Guo, Haitao Song, Ziming Dong, Tongtong Shi, Yintang Yang. Novel Power U-MOSFET with SIPOS Pillars [J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2018, (87): 86-91. (SCI: 013, IF: 2.359, JCR3)
[9] Zhen Cao*, Duan Baoxing, Song Yuan, Tongtong Shi, Yintang Yang. New superjuction LDMOS with surface and bulk electric field modulation by buffered step doping and multi floating buried layers [J]. Superlattices and Microstructures, 2017, (111): 221-229. (SCI: 0004**, IF: 2.112, JCR3)
[10] Zhen Cao*, Duan Baoxing, Tongtong Shi, Song Yuan, Yintang Yang. Application of Novel Terminal Technologies for Superjunction Power MOSFETs[J]. IETE Technical Review, 2018, 35(4): 402-412. (SCI: 008, IF: 1.339, JCR3)
[11] Zhen Cao*, Baoxing Duan, Xiaoning Yuan, Song Yuan, Yintang Yang. New Super Junction LDMOS with Step Field Oxide Layer [J]. Micro & Nano Letters，2016,11 (11): 666-669. (SCI: 002, IF: 0.853, JCR3)
[13] 曹震*，段宝兴, 袁小宁, 杨银堂. 具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器[J]. 物理学报Acta Phys. Sin, 2015, 64 (18): 187303(1-6). (SCI: 043, IF: 1.018, JCR3)
[14] 段宝兴* ,曹震 , 袁嵩，袁小宁，杨银堂. 新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件. 物理学报Acta Phys. Sin, 2014, 63 (24): 247301(1-6). (SCI: 037, IF: 1.018, JCR3)
[15] 段宝兴* ,曹震 , 袁小宁，杨银堂 .具有N型缓冲层REBULF Super Junction LDMOS. 物理学报Acta Phys. Sin, 2014, 63 (22): 227302(1-6). (SCI: 038, IF: 1.018, JCR3).
[16] Duan Baoxing*, Song Yuan, Cao Zhen, Yintang Yang. New Superjunction LDMOS With the Complete Charge Compensation by the Electric Field Modulation[J], IEEE Electron Device Letters, 2014, 35 (11): 1115-1117. (SCI: 015, IF: 3.048, JCR2).

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荣誉获奖
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科研团队
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博士研究生
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Team
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Teaching
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