基本信息

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戴显英　教授
博导/硕导
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：微电子学与固体电子学/凝聚态物理　
工作单位：微电子学院

联系方式
通信地址：陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学微电子学院397信箱
电子邮箱：xydai@xidian.edu.cn
办公电话：**
办公地点：北校区东大楼517A


个人简介
1961年出生于陕西省西安市，籍贯四川省成都市。
1982年毕业于成都电讯工程学院（现电子科技大学）化学师资班、获理学学士学位，2012年在西安电子科技大学获微电子学与固体电子学工学博士学位。现任西安电子科技大学微电子学院教授、博士生与硕士生导师、院学位委员会委员，IEEE会员，中国电子学会高级会员，陕西省真空学会常务理事。
研究方向为硅基应变理论与技术、SiGe/Si材料与器件、半导体材料生长动力学与缺陷行为、化合物半导体材料等。


主要研究方向
1）硅基应变理论与技术；2）新型半导体器件与集成电路技术；3）半导体材料生长动力学与缺陷行为；4）化合物半导体材料。

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基本信息

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戴显英　教授
博导/硕导
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：微电子学与固体电子学/凝聚态物理　
工作单位：微电子学院

联系方式
通信地址：陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学微电子学院397信箱
电子邮箱：xydai@xidian.edu.cn
办公电话：**
办公地点：北校区东大楼517A


个人简介
1961年出生于陕西省西安市，籍贯四川省成都市。
1982年毕业于成都电讯工程学院（现电子科技大学）化学师资班、获理学学士学位，2012年在西安电子科技大学获微电子学与固体电子学工学博士学位。现任西安电子科技大学微电子学院教授、博士生与硕士生导师、院学位委员会委员，IEEE会员，中国电子学会高级会员，陕西省真空学会常务理事。
研究方向为硅基应变理论与技术、SiGe/Si材料与器件、半导体材料生长动力学与缺陷行为、化合物半导体材料等。


主要研究方向
1）硅基应变理论与技术；2）新型半导体器件与集成电路技术；3）半导体材料生长动力学与缺陷行为；4）化合物半导体材料。

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科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
主持或参加了*科研项目*、国家自然科学基金、*科研项目*、*科研项目*等21多项重要科研项目，完成17项，在研4项。总经费800多万元,其中主持科研7项,总经费300余万元。在主持的国防重点实验室基金"SiGe/Si材料杂质浓度表征及工艺控制"项目研究中，提出了四探针法测量SiGe掺杂浓度的新方法，并获国家发明专利，至今尚未见国内外报道。

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学术论文
在APEX、Chinese Physics B、物理学报、电子学报、半导体学报等核心刊物及国内外会议发表学术论文80余篇（其中SCI、EI检索60余篇）。
获教育部高校科研优秀成果奖（科学技术）-科技进步奖二等奖1项，陕西省教委及西安电子科技大学优秀科技成果奖等5项，获陕西省自然科学优秀论文奖3项，获国家发明专利21项（第一发明人7项）及实用新型专利3项（第一发明人1项）。

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荣誉获奖
2015年，荣获西安电子科技大学十大师德标兵称号。

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科研团队
团队教师




博士研究生
硕士研究生

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课程教学
目前本人承担的教学任务：
主讲《原子物理》、《微电子工艺基础》、《集成电路制造技术》、《微电子工艺实习》、《微电子技术新进展》、《研究生专业实验》等本科、研究生课程。

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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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