基本信息
郝跃 教授 博士生导师
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：微电子学与固体电子学　
工作单位：微电子学院

联系方式
通信地址：陕西省西安市太白南路2号
电子邮箱：yhao@xidian.edu.cn
办公地址：北校区东大楼二层
办公电话：



个人简介
中国科学院院士，西安电子科技大学副校长，博士生导师。1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位；国际IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，陕西省科学技术协会副主席，陕西省半导体行业协会理事长。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长，总装备部微电子技术专家组组长，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表，2013年11月当选中国科学院院士。
郝跃长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
教学与科研成果：主持的科研成果获得国家发明奖二等奖1项，国家科技进步二、三等奖各1项；省部级科技成果一、二等奖十余项；获得国家发明专利授权三十余项；出版了“氮化物宽禁带半导体材料与电子器件”、“碳化硅宽带隙半导体技术”、“集成电路制造动力学理论与方法”和“微纳米CMOS器件可靠性与失效机理”等多部著作，在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇；2010年荣获“何梁何利”科学技术奖。
人物特写：http://kxwest.com/html/tebiebaodao/3938.html
人物访谈：http://www.xde6.net/view-22888.html
新闻：http://www.xde6.net/view-26601.html


主要研究方向
主要研究方向
1. 宽禁带半导体材料与器件
2. 微纳半导体新器件及其可靠性
3. SoC设计与设计方法学

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基本信息
郝跃 教授 博士生导师
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：微电子学与固体电子学　
工作单位：微电子学院

联系方式
通信地址：陕西省西安市太白南路2号
电子邮箱：yhao@xidian.edu.cn
办公地址：北校区东大楼二层
办公电话：



个人简介
中国科学院院士，西安电子科技大学副校长，博士生导师。1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位；国际IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，陕西省科学技术协会副主席，陕西省半导体行业协会理事长。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长，总装备部微电子技术专家组组长，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表，2013年11月当选中国科学院院士。
郝跃长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
教学与科研成果：主持的科研成果获得国家发明奖二等奖1项，国家科技进步二、三等奖各1项；省部级科技成果一、二等奖十余项；获得国家发明专利授权三十余项；出版了“氮化物宽禁带半导体材料与电子器件”、“碳化硅宽带隙半导体技术”、“集成电路制造动力学理论与方法”和“微纳米CMOS器件可靠性与失效机理”等多部著作，在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇；2010年荣获“何梁何利”科学技术奖。
人物特写：http://kxwest.com/html/tebiebaodao/3938.html
人物访谈：http://www.xde6.net/view-22888.html
新闻：http://www.xde6.net/view-26601.html


主要研究方向
主要研究方向
1. 宽禁带半导体材料与器件
2. 微纳半导体新器件及其可靠性
3. SoC设计与设计方法学

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科学研究
郝跃教授的科学研究：
·GaN异质材料与器件相关基础研究

·宽禁带半导体器件抗辐照特性研究

·宽禁带半导体器件可靠性研究

·宽禁带半导体专用设备研制

·宽禁带半导体应用与产业化

·微纳米半导体器件可靠性

·微纳米集成电路SoC设计

·GaN基电子材料基础研究

·MOS器件的热载流子效应

·薄栅氧化层的经时击穿

·NBTI和CHC效应

·MOS器件的NBTI 效应

·非极性GaN材料研究

http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/index.htm

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出版专著

电子线路CAD技术与应用软件 1992.12 西安电子科技大学出版社. 贾新章，郝跃 著
集成电路全书 (技术.经济.管理) 1993.09 电子工业出版社. 合编 （编委）
电子电路CAD技术1994.11 西安电子科技大学出版社. 贾新章，郝跃 编
微电子技术概论 1995.01 国防工业出版社. 全国统编教材, 贾新章，郝跃 编
集成电路制造动力学理论与方法 1995.11 北京教育出版社,河北教育出版社(高科技丛书). 郝跃 著
超高速化合物半导体器件 1998.07 宇航出版社. 合编 （编委）
碳化硅宽带隙半导体技术 2000.05 科学出版社. 郝跃，彭军，杨银堂 编著
电可改写非挥发存储器 2002.03 国防工业出版社. 于宗光，郝跃 著
微电子概论 2003.12
高等教育出版社(普通高等教育“十五”国家级规划教材). 郝跃，贾新章，吴玉广 编著
微纳米MOS器件可靠性与失效机理 2008.03 科学出版社. 郝跃，刘红侠 编著
Computeational Intelligence and Security Part I, Part II
2005.12 Springer-Verlag Printer in Germany Yue Hao

学术论文
·科研论文(杂志和国际会议)-2003年
·科研论文(杂志和国际会议)-2004年
·科研论文(杂志和国际会议)-2005年
·科研论文(杂志和国际会议)-2006年
·科研论文(杂志和国际会议)-2007年
·科研论文(杂志和国际会议)-2008年
·科研论文(杂志和国际会议)-2009年
·科研论文(杂志和国际会议)-2010年
·科研论文(杂志和国际会议)-2011年


授权专利
·部分国家发明专利（1）
·部分国家发明专利（2）
·部分国家发明专利（3）

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荣誉获奖
郝跃教授相关科研获奖：
◇2009年国家技术发明奖二等奖 ◇1998年国家科技进步三等奖

◇2008年国家科技进步二等奖 ◇ 1987年电子工业部科技进步一等奖

◇2005年陕西省科学技术一等奖 ◇2007年中国高等学校科学技术一等奖

◇2006年国防科学技术二等奖◇2001年国防科学技术二等奖

◇ 1999年信息产业部科技进步二等奖 ◇ 1989年机电部科技进步二等奖

◇ 2006年国防科学技术二等奖 ◇ 2006年国防科学技术二等奖

◇ 2007年陕西省科学技术二等奖 ◇2007年中国高等学校科学技术二等奖

◇ 2008年国防科学技术二等奖◇2009年国防科学技术奖一等奖
详情见 http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/kxyj/kycg/index.htm

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科研团队
郝跃教授科研团队：
团队成员：
·郝 跃

·张玉明 张进成 张义门

·刘红侠 李培咸 马晓华

·张金风 杨林安 冯 倩 王 冲

·张乃千 王省莲 吕红亮

·汤晓燕 马佩军 史江一 蔡觉平

·王 东 郑雪峰 张春福 曹艳荣

·毛 维 张 弘 李 康 王悦湖 杜 鸣

·许晟瑞

·学生梯队：王 琳 焦继业 王晓飞 吕 玲

·学生梯队：毕志伟 张 伟 薛军帅 李 亮

·学生梯队：杨传凯 杜 林 谢元斌

·学生梯队：全 思 蒲 石 张 月

·学生梯队：杨小峰 杨丽媛 陈永和

·学生梯队：曹梦逸 常永明 邸志雄



重点学科实验室有一支基础素质高、知识面宽，充满朝气、年轻有为的科研队伍。其中教授26人，副教授18人，讲师31人，
助教20人；大于50岁的人员有12人，小于30岁的人员有37人；35人具有博士学位，44人具有硕士学位。

详情见 http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/kydw/zdbs/index.htm

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来访交流
与英国的曼彻斯特大学、谢菲尔德大学化合物半导体研发中心、日本的德岛大学、美国南卡罗来纳、加州大学圣芭芭拉分校、堪萨斯州立大学、乔治亚理工大学、香港科技大学以及以色列理工大学等进行了广泛的合作和交流。
与德国英飞凌公司中国研发中心，以及美国应用材料公司也就科研和人才培养进行了紧密的合作。


2005年10月，以色列理工大学校长Yitzhak Apeloig教授参观实验室


2006年9月，日本德岛大学大野泰夫教授及其夫人访问实验室


2004年6月，德国英飞凌公司罗建华受聘西电客座教授



2005年11月，德国英飞凌通信代表团访问实验室


2006年6月，德国英飞凌公司亚太区总裁潘先弟教授访问实验室



美国应用材料公司访问实验室



出访交流


2006年郝跃教授访问日本日亚化工


访问英国谢菲尔德大学Cullis



访问英国曼彻斯特大学

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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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1、招收微电子学与固体电子学学科的博士研究生与硕士研究生
2、招收集成电路设计的博士研究生与硕士研究生
3、暂时不招收各类工程硕士研究生
欢迎对半导体物理、器件、材料和设计有研究兴趣、爱好和热情的同学。

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Profile

Prof. Hao Yao
Vice president of Xidian University,
Doctor, Advisor of PhD candidates

Major research areas
1. wide forbidden band semiconductor materials and devices
2. reliability of ultra-deep submicron small-sized devices
3. SoC design and its design methodology


Contact
Office Add: Room 507, 5F of the New Sci-tech Building, North Campus
Tel: (029) **
E-mail: yhao@xidian.edu.cn


Resume
Resume: Vice president of Xidian University, professor, doctor, advisor of PhD candidates, born in the city of Chongqing in March, 1958. Graduated from Xidian University in 1982, majoring in the specialty of semiconductor physics and devices. Earned his doctorate in computational mathematics from Xi’an Jiaotong University in 1990. Senior member of the IEEE, executive director of the Chinese Association of Electronics, chairman of the executive councils of the Shaanxi Provincial Association of Electronics, the Trade Association of Integrated Circuits, and the Shaanxi Provincial Semiconductor Illumination Association. Leader of the experts group for the implementation of the major sci-tech items of “core electronic devices, high-end universal chips and basic software products” in the medium-to-long term program. Leader of the microelectronic technology experts group of the General Armament Department of the People’s Liberation Army of China. Vice chairman of the national steering committee of the specialty of electronic information science and engineering. Member of the Ninth and Tenth Chinese People’s Political Consultative Conference and deputyto the Eleventh National People’s Congress of the People’s Republic of China.
Professor Hao has long been engaged in scientific research and talents training in the fields of new-type wide-forbidden-band semiconductor materials and devices, micro-nanometer semiconductor devices and highly reliable integrated circuits. He is the chief scientist for the products of the national major basic research “973” program, national “Young & Middle-aged Expert with Outstanding Contributions”, and renowned expert in the field of microelectronic technology. He has made systematic creative achievements both in research on and popularization of the third-generation gallium nitride/silicon carbide (wide-forbidden-band) semiconductor functional materials & microwave devices, and semiconductor illuminating short-wavelength photoelectric materials & devices and in the research on the reliability and failure mechanism of micro-nanometer CMOS devices.

Teaching and research results: The achievements of the research projects Professor Hao took charge of won a second National Invention Award, and a second and a third National Science & Technology Progress Awards. Professor Hao received more than 10 first and second provincial/ministerial sci-tech results awards, and obtained over 20 national invention patents. He published quite a few books, such as “Silicon Carbide Wide Band Gap Semiconductor Technology”,“Theory and Method of Integrated Circuit Manufacturing Dynamics”and “Reliability of Micronanometre CMOS Devices and Failure Mechanism”, and over 300 papers in the famous journals at home and abroad, of which more than 100 have been indexed by SCI.He won the “He-Liang-He-Li” Science and Technology Award in 2010.