基本信息
贾仁需博士
教授 博士生导师
单位：微电子学院
联系方式
Email：rxjia@mail.xidian.edu.cn
Tel（fax）：
招生信息
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
研究生招生：
专业：微电子学和固体电子学
方向：
（1）宽禁带半导体材料与器件（SiC，Ga2O3....）
（2）薄膜材料与器件
（3）新型光电材料与器件
人数：博士研究生1-2名/年，硕士研究生3-4名/年
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
让我们共同努力，共创辉煌！
新增栏目6
贾仁需，男。博士（2009），教授（2016），博士生导师（2015），陕西省青年科技新星（2016）
学习经历：
2004.9-2009.3
西安电子科技大学微电子学学院微电子学与固体电子学硕士、博士学位。研究领域为宽禁带半导体SiC外延材料及器件；导师张义门教授。
2000.9-2004.7
西安电子科技大学技术物理学院本科，专业：电子科学与技术
工作经历：
2009年4月— 至今
西安电子科技大学微电子学院张玉明课题组从事教学和科研工作。2009年晋升为讲师，2011年晋升为副教授，2016年晋升为教授。
2015年3月—2016年2月
瑞典林雪平大学IFM学院 访问****，合作导师Prof. Wei-xin Ni
简介：
主要从事宽禁带半导体（SiC和Ga2O3）材料和器件方面研究工作。主持研究多项研究课题：02国家科技重大专项1项；国家自然科学基金重点项目1项，面上项目2项，青年基金1项；国家智能电网项目2项；*科研项目*1项；国家重点实验室开放课题1项；西安市科技局项目1项。参与研究国家重大专项“SiC半导体材料成套设备研发”，“半绝缘SiC半径衬底材料”，教育部支撑计划项目“SiC功率XXX”等多项科研项目。科研项目可支配经费累计3000余万元。近五年发表SCI学术论文30余篇，申请发明专利50余项，授权10余项。
最新成果
入选陕西省高校首批“青年杰出人才支持计划”（2017.11.09）【1】Interfacial characteristics and leakage current transfer mechanisms in organometal trihalide perovskite gate-controlled devices via doping of PCBM; Y Wang, Y Zhang, Y Liu, T Pang, Z Hu, Y Zhu, S Luan, R Jia; Journal of Physics D: Applied Physics 50 (47), 475101
【2】Energy-band alignment of (HfO 2) x (Al 2 O 3) 1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga 2 O 3 (-201); L Yuan, H Zhang, R Jia, L Guo, Y Zhang, Y Zhang; Applied Surface Science
基本信息
贾仁需博士
教授 博士生导师
单位：微电子学院
联系方式
Email：rxjia@mail.xidian.edu.cn
Tel（fax）：
招生信息
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研究生招生：
专业：微电子学和固体电子学
方向：
（1）宽禁带半导体材料与器件（SiC，Ga2O3....）
（2）薄膜材料与器件
（3）新型光电材料与器件
人数：博士研究生1-2名/年，硕士研究生3-4名/年
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让我们共同努力，共创辉煌！
新增栏目6
贾仁需，男。博士（2009），教授（2016），博士生导师（2015），陕西省青年科技新星（2016）
学习经历：
2004.9-2009.3
西安电子科技大学微电子学学院微电子学与固体电子学硕士、博士学位。研究领域为宽禁带半导体SiC外延材料及器件；导师张义门教授。
2000.9-2004.7
西安电子科技大学技术物理学院本科，专业：电子科学与技术
工作经历：
2009年4月— 至今
西安电子科技大学微电子学院张玉明课题组从事教学和科研工作。2009年晋升为讲师，2011年晋升为副教授，2016年晋升为教授。
2015年3月—2016年2月
瑞典林雪平大学IFM学院 访问****，合作导师Prof. Wei-xin Ni
简介：
主要从事宽禁带半导体（SiC和Ga2O3）材料和器件方面研究工作。主持研究多项研究课题：02国家科技重大专项1项；国家自然科学基金重点项目1项，面上项目2项，青年基金1项；国家智能电网项目2项；*科研项目*1项；国家重点实验室开放课题1项；西安市科技局项目1项。参与研究国家重大专项“SiC半导体材料成套设备研发”，“半绝缘SiC半径衬底材料”，教育部支撑计划项目“SiC功率XXX”等多项科研项目。科研项目可支配经费累计3000余万元。近五年发表SCI学术论文30余篇，申请发明专利50余项，授权10余项。
最新成果
入选陕西省高校首批“青年杰出人才支持计划”（2017.11.09）【1】Interfacial characteristics and leakage current transfer mechanisms in organometal trihalide perovskite gate-controlled devices via doping of PCBM; Y Wang, Y Zhang, Y Liu, T Pang, Z Hu, Y Zhu, S Luan, R Jia; Journal of Physics D: Applied Physics 50 (47), 475101
【2】Energy-band alignment of (HfO 2) x (Al 2 O 3) 1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga 2 O 3 (-201); L Yuan, H Zhang, R Jia, L Guo, Y Zhang, Y Zhang; Applied Surface Science
科学研究
（一）本人承担的在研项目：
4H-SiC厚外延膜中扩展缺陷产生及转化机理研究 2013.01-2016.12 国家自然科学基金面上项目
基于SiC衬底的氧化镓外延薄膜生长及其特性研究 2015.01-2018.12 国家自然科学基金面上项目
宽禁带半导体大功率电力电子器件的可靠性研究 2013.01-2016.12 国家自然科学基金重点项目
SiC MOSFET系列器件研制 2013.01-2017.12 科技部02科技重大专项
大尺寸低阻高完整性碳化硅单晶材料工程应用技术2015.01-2016.12
超厚碳化硅外延关键技术研究 2014.01-2015.12 国家智能电网研究院
SiC外延表面缺陷控制技术 2015.1-2016.12 宽禁带国家重点实验室
（二）本人参与的在研项目：
HaAlO/4H-SiC MOSFETs 功率器件研究 2012.01-2015.12 国家自然科学基金面上项目
xx级xxxx器件关键技术研究 2010.01-2015.12 教育部支撑项目
（三）已顺利结题项目：
高效率太阳能光伏逆变器研究 2010-2012 西安市科技局
逆变器系统电能质量特性研究 2011-2012 国网智能电网研究院
半绝缘xxxxxxx衬底材料 2009-2012 科技部01重大专项
碳化硅大功率整流器的研制 2009-2010 陕西省科技厅
碳化硅多型异质结及性能研究 2011-2013 国家自然科学基金青年项目
SiC 外延CVD 设备研制及材料验证 2009-2013 科技部02重大专项
学术论文
2017年论文：
[1] Wang, Yucheng; Zhang, Yuming; Liu, Yintao; Pang, Tiqiang; Hu, Ziyang; Zhu, Yuejin; Luan, Suzhen; Jia, Renxu; Temperature-dependence studies of organolead halide perovskite-based metal/semiconductor/metal photodetectors RSC Advances 7 33 20206-20211 2017
[2] Wang, Yucheng; Zhang, Yuming; Pang, Tiqiang; Xu, Jie; Hu, Ziyang; Zhu, Yuejin; Tang, Xiaoyan; Luan, Suzhen; Jia, Renxu; Ionic behavior of organic–inorganic metal halide perovskite based metal-oxide-semiconductor capacitors Physical Chemistry Chemical Physics 2017
[3] Dong, Linpeng; Jia, Renxu; Li, Chong; Xin, Bin; Zhang, Yuming; Ab initio study of N-doped β-Ga 2 O 3 with intrinsic defects: the structural, electronic and optical properties Journal of Alloys and Compounds 712 379-385 2017
[4] Peng, B; Zhang, YM; Dong, LP; Wang, YT; Jia, RX; The effect of ions on the magnetic moment of vacancy for ion-implanted 4H-SiC Journal of Applied Physics 121 13 133904 2017
[5] Liu, Yintao; Jia, Renxu; Wang, Yucheng; Hu, Ziyang; Zhang, Yuming; Pang, Tiqiang; Zhu, Yuejin; Luan, Suzhen; Inhibition of Zero Drift in Perovskite-Based Photodetector Devices via [6, 6]-Phenyl-C61-butyric Acid Methyl Ester Doping ACS Applied Materials & Interfaces 9 18 15638-15643 2017
[6] Ma, Xiaofan; Zhang, Yuming; Dong, Linpeng; Jia, Renxu; First-principles calculations of electronic and optical properties of aluminum-doped β-Ga 2 O 3 with intrinsic defects Results in Physics 7 1582-1589 2017 Elsevier
2016年论文：
[1] L. Dong, R. Jia*, B. Xin, B. Peng, Y. Zhang, Effects of oxygen vacancies on the structural and optical properties of beta-Ga2O3, Scientific reports, 7 (2017) 40160.
[2] B. Xin, Y.-M. Zhang, H.-M. Wu, Z.C. Feng, H.-H. Lin, R.-X. Jia*, Kinetic mechanism of V-shaped twinning in 3C/4H-SiC heteroepitaxy, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 34 (2016) 031104.
[3] B. Xin, R.-X. Jia*, J.-C. Hu, Y.-M. Zhang, Super-V-shaped structure on 3C-SiC grown on the C-face of 4H-SiC, Journal of Physics D: Applied Physics, 49 (2016) 335305.
[4] Y. Wang, R. Jia,* Y. Zhao, C. Li, Y. Zhang, Investigation of Leakage Current Mechanisms in La2O3/SiO2/4H-SiC MOS Capacitors with Varied SiO2 Thickness, Journal of Electronic Materials, 45 (2016) 5600-5605.
[5] B. Peng, R.X. Jia*, Y.T. Wang, L.P. Dong, J.C. Hu, Y.M. Zhang, Concentration of point defects in 4H-SiC characterized by a magnetic measurement, Aip Adv, 6 (2016) 095201.
[6] J. Hu, R. Jia*, B. Xin, B. Peng, Y. Wang, Y. Zhang, Effect of Low Pressure on Surface Roughness and Morphological Defects of 4H-SiC Epitaxial la[ant]yers, Materials, 9 (2016) 743.
[7] L. Dong, R. Jia*, B. Xin, Y. Zhang, Effects of post-annealing temperature and oxygen concentration during sputtering on the structural and optical properties of β-Ga2O3 films, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 34 (2016) 060602.
2015年之前的论文
[1] B. Xin, Y.-M. Zhang, H.-M. Wu, Z.C. Feng, H.-H. Lin, R.-X. Jia*, Kinetic mechanism of V-shaped twinning in 3C/4H-SiC heteroepitaxy, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 34 (3) (2016) 031104.
[2] M. Lei, Y. Sheng, L. Wan, K. Bi, K. Huang, R.X. Jia*, J. Liu, Y.G. Wang, A novel self-catalytic route to zinc stannate nanowires and cathodoluminescence and electrical transport properties of a single nanowire, J Alloy Compd 657 (2016) 394-399.
[3] B. Xin, R.X. Jia*, J.C. Hu, C.Y. Tsai, H.H. Lin, Y.M. Zhang, A step-by-step experiment of 3C-SiC hetero-epitaxial growth on 4H-SiC by CVD, Appl Surf Sci 357 (2015) 985-993.
[4] Y.C. Wang, R.X. Jia*, C.Z. Li, Y.M. Zhang, Electric properties of La2O3/SiO2/4H-SiC MOS capacitors with different annealing temperatures, Aip Adv 5 (8) (2015).
[5] Y.P. Liu, W.W. Zhong, Y.X. Du, Q.X. Yuan, X. Wang, R.X. Jia*, Novel radial vanadium pentoxide nanobelt clusters for Li-ion batteries, J Alloy Compd 633 (2015) 353-358.
[6] M. Lei, K. Bi, Y.B. Zhang, K. Huang, X.L. Fu, X. Wang, R.X. Jia*, H.J. Yang, D.Y. Fan, Y.G. Wang, Highly selective growth of TiO2 nanoparticles on one tip of CdS nanowires, J Alloy Compd 646 (2015) 1004-1008.
[7] R.X. Jia*, L.P. Dong, Y.X. Niu, C.Z. Li, Q.W. Song, X.Y. Tang, F. Yang, Y.M. Zhang, Energy-band alignment of atomic la[ant]yer deposited (HfO2)(x)(Al2O3)(1-x) gate dielectrics on 4H-SiC, Chinese Phys B 24 (3) (2015).
[8] H. Yan, R. Jia*, X. Tang, Q. Song, Y. Zhang, Effect of re-oxidation annealing process on the SiO2/SiC interface characteristics, Journal of Semiconductors 35 (6) (2014) 066001.
[9] S. Lin, X.S. Zhao, Y.F. Li, K. Huang, R.X. Jia*, C. Liang, X. Xu, Y.F. Zhou, H. Wang, D.Y. Fan, H.J. Yang, R. Zhang, Y.G. Wang, M. Lei, RGO-supported beta-SiC nanoparticles by a facile solvothermal route and their enhanced adsorption and photocatalytic activity, Mater Lett 132 (2014) 380-383.
[10] R.X. Jia*, H.L. Yan, W.J. Liu, M. Lei, Periodic solitons in dispersion decreasing fibers with a cosine profile, Chinese Phys B 23 (10) (2014).
[11] R.X. Jia*, Y.C. Wang, W.J. Liu, M. Lei, Breathers and solitons in nonlinear optical materials, J Electromagnet Wave 28 (7) (2014) 873-879.
[12] R.X. Jia*, S.C. Liu, H.D. Xu, Z.T. Chen, X.Y. Tang, F. Yang, Y.X. Niu, Study on Grove model of the 4H-SiC homoepitaxial growth, Acta Phys Sin-Ch Ed 63 (3) (2014).
[13] R.X. Jia*, Y.C. Wang, W.J. Liu, M. Lei, Soliton interactions in dispersion-decreasing fibers with the exponential dispersion profile, J Mod Optic 60 (21) (2013) 1993-1997.
[14] R.X. Jia, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, Reduction of deep level defects in unintentionally doped 4H-SiC homo-epil[ant]ayers by ion implantation, J Wuhan Univ Technol 27 (3) (2012) 415-417.
[15] Y.H. Wang, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, Q.W. Song, R.X. Jia, Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes with inhomogeneous barrier heights, Chinese Phys B 20 (8) (2011).
[16] Y. Gu, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, H.L. Lu, R.X. Jia, Analysis and Simulation of Inverter Employing SiC Schottky Diode, 2011 International Conference Of Electron Devices And Solid-State Circuits (Edssc) (2011).
[17] Y.H. Wang, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, L. Zhang, R.X. Jia, D. Chen, SiC epitaxial la[ant]yers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier diodes, Chinese Phys B 19 (3) (2010).
[18] R.X. Jia, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, H. Guo, Calculation of Dislocation Destiny Using X-Ray Diffraction for 4H-SiC Homoepitaxial la[ant]yers, Spectrosc Spect Anal 30 (7) (2010) 1995-1997.
[19] R.X. Jia, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, First-principle calculation on the defect energy level of carbon vacancy in 4H-SiC, Chinese Phys B 19 (10) (2010).
[20] D. Chen, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, Y.H. Wang, R.X. Jia, Characterization of the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Si during low pressure chemical vapor deposition, Chinese Sci Bull 55 (27-28) (2010) 3102-3106.
[21] Y.H. Wang, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, R.X. Jia, D. Chen, SiC epitaxial la[ant]yers grown by chemical vapor deposition, Extended Abstracts 2008 International Workshop on Junction Technology (2008) 210-212.
[22] W. Jia, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, R.X. Jia, H. Guo, Simulation of SiC deposition in a hot wall CVD reactor, P Soc Photo-Opt Ins 6984 (2008).
[23] R.X. Jia, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, Y.H. Wang, Nitrogen doped 4H-SiC homoepitaxial la[ant]yers grown by CVD, Acta Phys Sin-Ch Ed 57 (10) (2008) 6649-6653.
[24] R.X. Jia, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, Y.E. Wang, Nitrogen incorporation characteristics of 4H-SiC epitaxial la[ant]yer - art. no. 69840V, P Soc Photo-Opt Ins 6984 (2008) V9840-V9840.
[25] R.X. Jia, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, H. Guo, S.Z. Loan, The relation between Green-band luminescence of 4H-SiC homoepitaxial la[ant]yer and defects, Acta Phys Sin-Ch Ed 57 (7) (2008) 4456-4458.
荣誉获奖
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科研团队
博士研究生：辛斌；胡继超；彭博；汪钰成；董林鹏；庞体强
硕士研究生：闫宏丽；赵东辉；王旭；刘银涛；张弘鹏。。。
课程教学
目前本人承担的教学：
半导体材料与测试分析（大三）
化合物器件（大四）
招生要求
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研究生招生：
专业：微电子学和固体电子学，集成电路系统设计专业
方向：
（1）宽禁带半导体材料与器件（SiC，Ga2O3....）
（2）薄膜材料与器件
（3）MEMS（微机电）技术及其应用
人数：博士研究生1-2名/年，硕士研究生3-4名/年。
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Research
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