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硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术获2017年上海市科技进步一等奖_上海技术物理研究所

上海技术物理研究所 免费考研网/2018-05-06

2018年3月23日上午,上海科学技术奖励大会在友谊会堂举行,上海技物所“硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术”荣获上海市科技进步一等奖。

  红外成像是一项重要的光学遥感探测技术,硅基碲镉汞焦平面是大规模红外成像器件国际研究前沿,是发展高分辨红外探测技术的制高点。由何力研究员等完成的“硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术”项目,围绕高分辨率航天应用需求,用硅基外延碲镉汞替代传统碲锌镉基碲镉汞,解决了发展大规模器件的瓶颈问题。



团队核心成员

右起:何力、胡晓宁、丁瑞军、陈路、叶振华

  该技术获得发明专利授权10项,发表科技论文18篇,具有核心技术的自主知识产权,对实现红外高分辨红外成像探测、降低碲镉汞焦平面的制造成本、推动航天红外高分辨装备跨越式发展有十分重大的意义,具备显著的技术引领作用。

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