梁红伟(教授)赞的个人主页 http://faculty.dlut.edu.cn/hwliang/zh_CN/index.htm
教授 博士生导师 硕士生导师
主要任职：微电子学院副院长
性别：男
毕业院校：长春光机与物理研究所
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
学科：微电子学与固体电子学 凝聚态物理
办公地点：物理与光电工程楼435
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个人简介
梁红伟，教授，博士生导师，大连理工大学微电子学院，大连市第一批科技创业导师，江苏省双创人才。主要研究方向为第三代半导体材料与发光器件（氧化镓材料、氮化镓系紫外、蓝光、绿光及黄光LED，新型氮化硼半导体材料）、氮化镓高电子迁移率电力电子器件（HEMT器件及传感器件）及耐高温、耐辐照探测器件（粒子探测器件、X射线探测器等）。曾获吉林省科技进步一等奖及辽宁省自然科学二等奖等奖励。主持重家重点研发计划项目子课题、国家自然科学基金、863重大项目子课题及省级项目等多项项目。第一及通讯作者发表论文70余篇，获得授权发明专利10余项。
工作经历
2016.11--至今大连理工大学微电子学院 教授
2015.12--2016.10大连理工大学物理与光电工程学院 教授
2009.12--2015.12大连理工大学物理与光电工程学院 副教授

研究方向
[1] 宽禁带半导体探测器;
[2] 氮化物半导体电力电子器件及传感器（HEMT器件及生物传感器）；

[3] 第三代半导体发光器件（紫外、蓝光、绿光及黄光LED）；

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研究领域

论文成果
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Li, Yun-Zheng,Feng, Qiu-Ju,Shi, Bo,Gao, Chong,Wang, De-Yu,Liang, Hong-Wei.Room temperature non-balanced electric bridge ethanol gas sensor based on a single ZnO microwire*[J],CHINESE PHYSICS B,2020,29(1)
ul Ahmad, Aqrab,Abbas, Akmal,Farooq, Zahid,Liang, Hongwei,Ali, Sajid,Abbas, Qasim,Farid, Amjad,Ali, Adnan,Iqbal, Muzammil,Khan, Ijaz Ahmad,Pan, Lujun.Cheap, reliable, reusable, thermally and chemically stable fluorinated hexagonal boron nitride nanosheets coated Au nanoparticles substrate for surface enhanced Raman spectroscopy[J],SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL,2020,304
Xue, Dongyang,Zhang, Heqiu,ul Ahmad, Aqrab,Liang, Hongwei,Liu, Jun,Xia, Xiaochuan,Guo, Wenping,Huang, Huishi,Xu, Nanfa.Enhancing the sensitivity of the reference electrode free AlGaN/GaN HEMT based pH sensors by controlling the threshold voltage[J],SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL,2020,306
廖传武,梁红伟,杜国同.一种低高频串扰的微带结构设计与实验研究[J],光通信研究,2019,2:43-46
韩冲,魏志鹏,崔兴柱,梁晓华,梁红伟,夏晓川,杨存,叶鑫,唐吉龙,王登魁.辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究[J],核技术,2019,42(5):050501
Wu, Yunfeng,Yu, Naisen,Du, Haiying,Liu, Dongping,Liang, Hongwei,Du, Guotong.Ultraviolet Photodetector Based on ITO/MgO/ZnO Structure Grown by Hydrothermal Process[J],JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,2018,18(12):8399-8402
专利
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一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED的制备方法
阶梯车列式高压发光管及其制备方法
一种锡掺杂n型氧化镓制备方法
著作成果
半导体材料与器件表征技术
科研项目
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长波长GaN基LED材料外延技术开发, 企事业单位委托科技项目, 2017/07/29-2018/06/30, 进行
基于2英寸蓝宝石衬底的大面积氮化硼薄膜制备, 企事业单位委托科技项目, 2017/04/28-2017/06/15, 进行
低应力硅基氮化镓功率器件外延技术研究, 企事业单位委托科技项目, 2017/02/15-2017/09/30, 进行
高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术, 国家科技部 , 2016/07/28, 进行
UV墨水固化用倒装紫外LED外延芯片研发, 企事业单位委托科技项目, 2015/07/01-2017/06/30, 进行
湿法腐蚀图形化蓝宝石衬底的研发及产业化, 省、市、自治区科技项目, 2015/10/20, 进行

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[1]Li, Yun-Zheng,Feng, Qiu-Ju,Shi, Bo,Gao, Chong,Wang, De-Yu,Liang, Hong-Wei.Room temperature non-balanced electric bridge ethanol gas sensor based on a single ZnO microwire*[J],CHINESE PHYSICS B,2020,29(1)
[2]ul Ahmad, Aqrab,Abbas, Akmal,Farooq, Zahid,Liang, Hongwei,Ali, Sajid,Abbas, Qasim,Farid, Amjad,Ali, Adnan,Iqbal, Muzammil,Khan, Ijaz Ahmad,Pan, Lujun.Cheap, reliable, reusable, thermally and chemically stable fluorinated hexagonal boron nitride nanosheets coated Au nanoparticles substrate for surface enhanced Raman spectroscopy[J],SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL,2020,304
[3]Xue, Dongyang,Zhang, Heqiu,ul Ahmad, Aqrab,Liang, Hongwei,Liu, Jun,Xia, Xiaochuan,Guo, Wenping,Huang, Huishi,Xu, Nanfa.Enhancing the sensitivity of the reference electrode free AlGaN/GaN HEMT based pH sensors by controlling the threshold voltage[J],SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL,2020,306
[4]廖传武,梁红伟,杜国同.一种低高频串扰的微带结构设计与实验研究[J],光通信研究,2019,2:43-46
[5]韩冲,魏志鹏,崔兴柱,梁晓华,梁红伟,夏晓川,杨存,叶鑫,唐吉龙,王登魁.辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究[J],核技术,2019,42(5):050501
[6]Wu, Yunfeng,Yu, Naisen,Du, Haiying,Liu, Dongping,Liang, Hongwei,Du, Guotong.Ultraviolet Photodetector Based on ITO/MgO/ZnO Structure Grown by Hydrothermal Process[J],JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,2018,18(12):8399-8402
[7]冯秋菊,李芳,李彤彤,李昀铮,石博,李梦轲,梁红伟.外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga2O3纳米线及其特性研究[J],物理学报,2018,67(21):360-365
[8]Zheng, Xiantong,Chen, Yonghai,Wang, Xinqiang,Huang, Wei,Liang, Hongwei,Wang, Ping,Liu, Yu,Chen, Zhaoying,Liang, Ping,Li, Mo,Zhang, Jian.Investigation of InGaN Layer Grown Under In-Rich Condition by Reflectance Difference Spectroscopy Microscope[J],JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,2018,18(11):7468-7472
[9]冯秋菊,李芳,李彤彤,李昀铮,石博,李梦轲,梁红伟.外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga_2O_3纳米线及其特性研究[J],物理学报,2018,21:408-413
[10]Chen, Yuanpeng,Liang, Hongwei,Abbas, Qasim,Liu, Jun,Shi, Jianjun,Xia, Xiaochuan,Zhang, Heqiu,Du, Guotong.Growth and characterization of porous sp(2)-BN films with hollow spheres under hydrogen etching effect via borazane thermal CVD[J],APPLIED SURFACE SCIENCE,2018,452:314-321
[11]Zhu, Zhifu,Zou, Jijun,Tang, Bin,Wang, Zhidong,Peng, Xincun,Liang, Hongwei,Zhang, Heqiu,Du, Guotong.Effects of 10 MeV electron irradiation on the characteristics of gallium-nitride-based pin alpha-particle detectors[J],NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT,2018,902:9-13
[12]张贺秋,梁红伟,胡礼中,夏晓川,骆英民.科研资源向教学资源转化的探索和实践[J],教育教学论坛,2018,31(31):145-146
[13]Ye, Xin,Xia, Xiao-Chuan,Liang, Hong-Wei,Li, Zhuo,Zhang, He-Qiu,Du, Guo-Tong,Cui, Xing-Zhu,Liang, Xiao-Hua.Effect of Au/Ni/4H-SiC Schottky junction thermal stability on performance of alpha particle detection[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(8)
[14]Zhu, Zhifu,Shen, Rensheng,Zou, Jijun,Du, Guotong,Zhang, Heqiu,Liang, Hongwei,Tang, Bin,Peng, Xincun,Liu, Jianxun,Yang, Chao,Xia, Xiaochuan,Tao, Pengcheng.High-temperature performance of gallium-nitride-based pin alpha-particle detectors grown on sapphire substrates[J],NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT,2018,893:39-42
[15]Feng, Qiuju,Shi, Xiaochi,Xing, Yan,Li, Tongtong,Li, Fang,Pan, Dezhu,Liang, Hongwei.Thermoelectric microgenerators using a single large-scale Sb doped ZnO microwires[J],JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2018,739:298-304

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专利 当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利
[1] 一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
[2] 掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
[3] 在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
[4] 金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED的制备方法
[5] 阶梯车列式高压发光管及其制备方法
[6] 一种锡掺杂n型氧化镓制备方法
[7] 一种氧化镓基金属?氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
[8] 一种基于氧化镓单晶的辐射探测器及其制备方法
[9] 一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法
[10] 一种用于高质量氧化物半导体材料制备的MOCVD加热盘
[11] 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法
[12] 一种氮掺杂ZnO的受主激活方法
[13] n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法
[14] p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法
[15] 阶梯阵列式高压发光管及其制备方法

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[1] 半导体材料与器件表征技术

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科研项目 当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 科研项目
[1] 长波长GaN基LED材料外延技术开发, 2017/07/29-2018/06/30, 进行
[2] 基于2英寸蓝宝石衬底的大面积氮化硼薄膜制备, 2017/04/28-2017/06/15, 进行
[3] 低应力硅基氮化镓功率器件外延技术研究, 2017/02/15-2017/09/30, 进行
[4] 高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术, 国家重点研发计划, 2016/07/28, 进行
[5] UV墨水固化用倒装紫外LED外延芯片研发, 2015/07/01-2017/06/30, 进行
[6] 湿法腐蚀图形化蓝宝石衬底的研发及产业化, 一般纵向, 2015/10/20, 进行
[7] 一种面向4G（4代）光纤通信的新型高速半导体激光器的开发及产业化, 大连市科技创新专项, 2014/10/01, 进行
[8] 基于隧穿结结构的GaN基极化反转黄、红光LED制备与关键科学问题研究, 国家自然科学基金, 2015/08/18, 进行
[9] 环境友好型GaN基黄光LED研究, 辽宁省自然科学基金, 2014/05/19-2016/12/31, 完成
[10] 耐高温GaN中子探测器理论及其制备工艺研究, 一般纵向, 2014/06/23, 进行
[11] 400nm波长高光效UV-LED生长机理研究与建模, 2014/02/15-2016/02/15, 完成
[12] LED外延生长用SIC衬底制备技术研究, 863 计划项目, 2011/01/01-2013/12/31, 完成
[13] 大尺寸衬底上大功率GaN蓝光发光二级管外延片制备研究, 一般纵向, 2011/11/28-2013/05/31, 完成
[14] ZnO基透明导电薄膜与p型GaN接触特性研究, 大连理工大学理学学科研究基金项目, 2008/07/15-2010/12/31, 完成
[15] 电注入下ZnO激子产生与复合发光机理研究, 国家自然科学基金, 2010/09/25-2013/12/31, 完成

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半导体表征基础/2019-2020/春学期/48课时/3.0学分/**
微电子技术导论/2019-2020/春学期/32课时/2.0学分/**
半导体表征基础/2019-2020/春学期/48课时/3.0学分/**
微电子技术导论/2019-2020/春学期/32课时/2.0学分/**
半导体测试与分析/2019-2020/秋学期/3.0学分/**
半导体表征基础/2019-2020/秋学期/32课时/2.0学分/**
教学成果
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本科生课程
课程名称学年学期学时学分课程号 半导体表征基础 2019-2020 春学期 48 3 ** 微电子技术导论 2019-2020 春学期 32 2 ** 半导体表征基础 2019-2020 春学期 48 3 ** 微电子技术导论 2019-2020 春学期 32 2 ** 半导体测试与分析 2019-2020 秋学期 - 3 ** 半导体表征基础 2019-2020 秋学期 32 2 ** 半导体测试与分析 2019-2020 秋学期 - 3 ** 半导体表征基础 2019-2020 秋学期 32 2 ** 微电子技术导论 2018-2019 春学期 32 2 ** 微电子技术导论 2018-2019 秋学期 32 2 ** 半导体表征基础 2018-2019 秋学期 32 2 ** 半导体表征基础 2017-2018 秋学期 32 2 **

研究生课程
课程名称学年学期学时学分课程号 半导体测试与分析 2019-2020 秋学期 48 3 ** 半导体测试与分析 2019-2020 秋学期 48 3 ** 半导体测试与分析 2018-2019 秋学期 48 3 ** 半导体测试与分析 2018-2019 秋学期 48 3 ** 半导体测试与分析 2017-2018 秋学期 48 3 **

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获奖信息 当前位置: 中文主页 >> 获奖信息
学术荣誉
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科研奖励
辽宁省自然科学二等奖
其他奖励
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**年度考核优秀人员
**年考核优秀
**年度考核优秀人员
**大连市大学生物理学术竞赛
**年度考核优秀人员
2012物光学院第三届“青年教师讲课竞赛”