副教授 硕士生导师
主要任职： 无
性别： 男
出生日期： 1986-10-08
毕业院校： 巴黎十一大学
学位： 博士
在职信息：在职
所在单位： 微电子学院
学科： 微电子学与固体电子学
办公地点： 主楼东侧426
联系方式： hez.zhang@dlut.edu.cn
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同专业硕导
个人简介
张赫之，大连理工大学微电子学院副教授。2016年5月在法国巴黎十一大学(universite de Paris sud)获得博士学位，师从法国国家科学院研究员Maria Tchernycheva。2016年8月，加入瑞士联邦理工大学(EPFL)，在Nicolas Grandjean教授研究组从事博士后研究员。本人博士及博后期间长期从事第三代宽禁带半导体器件的研究。研究领域包括：宽禁带半导体材料，电力电子与光电器件等。与国外多家公司合作包括美国公司GLO，瑞士公司exalos等。工作成果多次发表在ACS applied material andinterface,Applied physics letter,Nanotechnology等高水平期刊上。总共发表论文30余篇，其中第一作者8篇,总引用次数800多次。所做工作多次在国际著名会议IWN,CSW等报告。

教育经历
2012.11 - 2016.5 巴黎十一大学 光电子 博士
2009.9 - 2012.7 大连理工大学 微电子与固体电子 硕士
2005.9 - 2009.7 东北大学 物理学 学士
2002.9 - 2005.7 大连市第八中学 \

工作经历
2019.10 - 至今 大连理工大学微电子学院 副教授
2016.8 - 2019.2 洛桑理工(瑞士） 博士后

研究方向
宽禁带半导体光电子器件

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宽禁带半导体电子电力器件

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宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件(III-Nitride, ZnO, Ga2O3）

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主要任职： 无
性别： 男
出生日期： 1986-10-08
毕业院校： 巴黎十一大学
学位： 博士
在职信息：在职
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