基本信息Personal Information
工程师主要任职：无
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
电子邮箱：
扫描关注
个人学术主页
教育经历Education Background
工作经历Work Experience
2006.92009.7
大连理工大学
微电子与固体电子学
硕士
2002.92006.7
沈阳工业大学
电子科学与技术
学士
1999.92002.7
普兰店市第二中学
2016.11至今
大连理工大学 微电子学院
工程师
2012.122016.10
大连理工大学 物理与光电工程学院
工程师
2009.72012.12
大连理工大学 物理与光电工程学院
助理工程师
研究方向Research Focus
社会兼职Social Affiliations
基本信息Personal Information
工程师主要任职：无
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
电子邮箱：
扫描关注
个人学术主页
当前位置: 中文主页 >> 科学研究
研究领域
论文成果 More>>
Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Abbas, Qasim,Liu, Yang,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao,Yan, Long,Han, Xu.Anomalous indium incorporation and optical properties of high indium content InGaN grown by MOCVD[J],JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2018,735:1239-1244
Chen, Yuanpeng,Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Abbas, Qasim,Liu, Yang,Du, Guotong.Growth Pressure Controlled Nucleation Epitaxy of Pure Phase epsilon- and beta-Ga2O3 Films on Al2O3 via Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2018,18(2):1147-1154
Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Zheng, Xiantong,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Abbas, Qasim,Huang, Huolin,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer[J],JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,2017,121(33):18095-18101
Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Liu, Jun,Abbas, Qasim,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao.Indium Incorporation Induced Morphological Evolution and Strain Relaxation of High Indium Content InGaN Epilayers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2017,17(6):3411-3418
Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Huang, Huolin,Tao, Pengcheng,Sandhu, Qasim Abbas,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2017,60:66-70
Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Geng, Xinlei,Chen, Yuanpeng,Yang, Chao,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Xu, Mengxiang,Du, Guotong.Synthesis of GaN network by nitridation of hexagonal epsilon-Ga2O3 film[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2017,28(3):2598-2601
专利
一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED的制备方法
著作成果
暂无内容
科研项目 More>>
高耐压、低损耗的Si衬底Ga2O3 MOSFET器件制备研究, 国家自然科学基金项目, 2017/08/17, 进行
耐高压硅基氧化镓场效应晶体管的研制, 省、市、自治区科技项目, 2018/01/01, 进行
稀土掺杂发光材料温度依赖的发光性质研究, 省、市、自治区科技项目, 2018/08/20, 进行
大连集成电路产业升级转型的调查研究, 国际合作项目, 2018/08/22, 进行
面向空间应用的SiC基PIN型软X射线探测器研制, 国家自然科学基金项目, 2018/08/16, 进行
大功率白光LED封装用玻璃荧光体的研究, 省、市、自治区科技项目, 2017/09/04, 进行
基本信息Personal Information
工程师主要任职：无
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
电子邮箱：
扫描关注
个人学术主页
研究领域
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 研究领域基本信息Personal Information
工程师主要任职：无
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
电子邮箱：
扫描关注
个人学术主页
论文成果
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果[1]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Abbas, Qasim,Liu, Yang,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao,Yan, Long,Han, Xu.Anomalous indium incorporation and optical properties of high indium content InGaN grown by MOCVD[J],JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2018,735:1239-1244
[2]Chen, Yuanpeng,Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Abbas, Qasim,Liu, Yang,Du, Guotong.Growth Pressure Controlled Nucleation Epitaxy of Pure Phase epsilon- and beta-Ga2O3 Films on Al2O3 via Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2018,18(2):1147-1154
[3]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Zheng, Xiantong,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Abbas, Qasim,Huang, Huolin,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer[J],JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,2017,121(33):18095-18101
[4]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Liu, Jun,Abbas, Qasim,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao.Indium Incorporation Induced Morphological Evolution and Strain Relaxation of High Indium Content InGaN Epilayers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2017,17(6):3411-3418
[5]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Huang, Huolin,Tao, Pengcheng,Sandhu, Qasim Abbas,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2017,60:66-70
[6]Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Geng, Xinlei,Chen, Yuanpeng,Yang, Chao,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Xu, Mengxiang,Du, Guotong.Synthesis of GaN network by nitridation of hexagonal epsilon-Ga2O3 film[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2017,28(3):2598-2601
[7]Liang, Hongwei,Du, Guotong,Tao, Pengcheng,Xia, Xiaochuan,Chen, Yuanpeng,Zhang, Kexiong,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao.Vertically conducting deep-ultraviolet light-emitting diodes with interband tunneling junction grown on 6H-SiC substrate[J],JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2016,55(3)
[8]Tao, Pengcheng,Luo, Yingmin,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Shen, Rensheng.Crack-free Al0.5Ga0.5N epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2016,41:291-296
[9]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Li, Binghui,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Huang, Huolin,Sandhu, Qasim Abbas,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVD[J],RSC ADVANCES,2016,6(65):60068-60073
[10]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Du, Guotong.A preliminary study of SF6 based inductively coupled plasma etching techniques for beta gallium trioxide thin film[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2015,39:582-586
[11]Tao, Pengcheng,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Enhanced output power of near-ultraviolet LEDs with AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors on 6H-SiC by metal-organic chemical vapor deposition[J],SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2015,85:482-487
[12]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Du, Guotong.Influence of Sb valency on the conductivity type of Sb-doped ZnO[J],THIN SOLID FILMS,2015,589:199-202
[13]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Tao, Pengcheng,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Li, Xiaona.The lattice distortion of beta-Ga2O3 film grown on c-plane sapphire[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2015,26(5):3231-3235
[14]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Luo, Yingmin,Du, Guotong.Influence of Cu dopant on the structure and optical properties of ZnO thin films prepared by MOCVD[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2015,26(3):1591-1596
[15]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Luo, Yingmin,Du, Guotong.Effect of growth pressure on the characteristics of beta-Ga2O3 films grown on GaAs (100) substrates by MOCVD method[J],APPLIED SURFACE SCIENCE,2015,325(C):258-261
[16]Liang, Hongwei,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Luo, Yingmin.The properties of reversed polarization yellow InGaN-GaN MQWs in p-side down structure grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire substrate[J],PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES,2014,64:57-62
[17]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Crack-free AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors synthesized by insertion of a thin SiNx interlayer grown on 6H-SiC substrate by metal-organic chemical vapor deposition[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2014,27:841-845
[18]Luo, Yingmin,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Shen, Rensheng.The influence of reactor height adjustment on properties in GaN films grown on 6H-SiC by metal organic chemical vapor deposition[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2014,25(10):4268-4272
[19]Liang, Hongwei,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Xia, Xiaochuan.Low Al-composition p-GaN/Mg-doped Al0.25Ga0.75N/n(+)-GaN polarization-induced backward tunneling junction grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire substrate[J],SCIENTIFIC REPORTS,2014,4:6322
[20]Liang, Hongwei,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Luo, Yingmin.Smooth surface morphology and low dislocation density of p-GaN using indium-assisted growth[J],APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,2014,116(4):1561-1566
共52条1/3首页上页下页尾页页
基本信息Personal Information
工程师主要任职：无
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
电子邮箱：
扫描关注
个人学术主页
专利
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED的制备方法
共4条1/1首页上页下页尾页
基本信息Personal Information
工程师主要任职：无
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
电子邮箱：
扫描关注
个人学术主页
著作成果
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 著作成果共0条0/0
基本信息Personal Information
工程师主要任职：无
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
电子邮箱：
扫描关注
个人学术主页
科研项目
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 科研项目高耐压、低损耗的Si衬底Ga2O3 MOSFET器件制备研究, 国家自然科学基金, 2017/08/17, 进行
耐高压硅基氧化镓场效应晶体管的研制, 大连市科技计划, 2018/01/01, 进行
稀土掺杂发光材料温度依赖的发光性质研究, 辽宁省自然基金指导计划, 2018/08/20, 进行
大连集成电路产业升级转型的调查研究, 一般纵向, 2018/08/22, 进行
面向空间应用的SiC基PIN型软X射线探测器研制, 国家自然科学基金, 2018/08/16, 进行
大功率白光LED封装用玻璃荧光体的研究, 辽宁省博士科研启动基金, 2017/09/04, 进行
长波长GaN基LED材料外延技术开发, 2017/07/29-2018/06/30, 进行
基于2英寸蓝宝石衬底的大面积氮化硼薄膜制备, 2017/04/28-2017/06/15, 进行
低应力硅基氮化镓功率器件外延技术研究, 2017/02/15-2017/09/30, 进行
极化诱导(Al)GaN基高效紫外LED的研制, 辽宁省自然科学基金, 2016/07/19, 进行
耐辐照室温氮化镓一维位置灵敏带电粒子探测系统的研制, 国家自然科学基金, 2016/08/17, 进行
耐高温耐辐照氧化镓基宽带隙半导体中子探测器的研究, 中国博士后科学基金, 2016/05/11, 进行
UV墨水固化用倒装紫外LED外延芯片研发, 2015/07/01-2017/06/30, 进行
湿法腐蚀图形化蓝宝石衬底的研发及产业化, 一般纵向, 2015/10/20, 进行
一种面向4G（4代）光纤通信的新型高速半导体激光器的开发及产业化, 大连市科技创新专项, 2014/10/01, 进行
基于隧穿结结构的GaN基极化反转黄、红光LED制备与关键科学问题研究, 国家自然科学基金, 2015/08/18, 进行
400nm波长高光效UV-LED生长机理研究与建模, 2014/02/15-2016/02/15, 完成
电注入下ZnO激子产生与复合发光机理研究, 国家自然科学基金, 2010/09/25-2013/12/31, 完成
共18条1/1首页上页下页尾页
