基本信息Personal Information
副教授博士生导师
硕士生导师
主要任职：无
性别：女
毕业院校：复旦大学
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：物理楼433房间
联系方式：wchen@dlut.edu.cn
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教育经历Education Background
工作经历Work Experience
2007.92012.6
复旦大学
微电子学与固体电子学
博士
2016.12至今
大连理工大学
副教授
2014.72016.9
清华大学
博士后
2012.82014.5
美国橡树岭国家实验室
助理研究员（志愿者）
研究方向Research Focus
社会兼职Social Affiliations
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研究领域
论文成果
王晨.1.High performance and stable mesoporous perovskite solar cells via well crystallized FA0.85MA0.15Pb(I0.8Br0.2)3[J],ACS Applied Maerials & interface,2018,11(3):2989-2996
Wang, Chen,Wu, Huaqiang,Gao, Bin,Wu, Wei,Dai, Lingjun,Li, Xinyi,Qian, He.Ultrafast RESET Analysis of HfOx-Based RRAM by Sub-Nanosecond Pulses[J],ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS,2017,3(12)
王晨,HQ Wu,B Gao,LJ Dai,N Deng,DC Sekar,Z Lu,M Kellam,G Bronner.Relaxation Effect in RRAM Arrays: Demonstration and Characteristics[J],IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2016,37(2):182-185
王晨,HQ Wu,B Gao,LJ Dai,N Deng,DC Sekar,Z Lu,M Kellam,G Bronner.Suppression of relaxation effect in HfO2 resistive random access memory array by improved program operations[J],APPLIED PHYSICS EXPRESS,2016,9(5):515011-515014
王晨,HQ Wu,B Gao,LJ Dai,D Wu,H Qian,DC Sekar,Z Lu.The statistical evaluation of correlation between LRS and HRS relaxations in RRAM array[A],8th IEEE International Memory Workshop,2016
专利
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著作成果
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科研项目
金属双极板设计（B01）分析, 企事业单位委托科技项目, 2018/01/10-2018/07/30, 进行
科研团队
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论文成果
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果[1]王晨.1.High performance and stable mesoporous perovskite solar cells via well crystallized FA0.85MA0.15Pb(I0.8Br0.2)3[J],ACS Applied Maerials & interface,2018,11(3):2989-2996
[2]Wang, Chen,Wu, Huaqiang,Gao, Bin,Wu, Wei,Dai, Lingjun,Li, Xinyi,Qian, He.Ultrafast RESET Analysis of HfOx-Based RRAM by Sub-Nanosecond Pulses[J],ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS,2017,3(12)
[3]王晨,HQ Wu,B Gao,LJ Dai,N Deng,DC Sekar,Z Lu,M Kellam,G Bronner.Relaxation Effect in RRAM Arrays: Demonstration and Characteristics[J],IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2016,37(2):182-185
[4]王晨,HQ Wu,B Gao,LJ Dai,N Deng,DC Sekar,Z Lu,M Kellam,G Bronner.Suppression of relaxation effect in HfO2 resistive random access memory array by improved program operations[J],APPLIED PHYSICS EXPRESS,2016,9(5):515011-515014
[5]王晨,HQ Wu,B Gao,LJ Dai,D Wu,H Qian,DC Sekar,Z Lu.The statistical evaluation of correlation between LRS and HRS relaxations in RRAM array[A],8th IEEE International Memory Workshop,2016
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当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 科研项目金属双极板设计（B01）分析, 2018/01/10-2018/07/30, 进行
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