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学科：微电子学与固体电子学
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教育经历Education Background
工作经历Work Experience
1998.92001.5
图们市铁路一中
无
2007.92010.6
吉林大学
微电子与固体电子学
博士
2005.92007.6
吉林大学
微电子与固体电子学
硕士
2001.92005.7
吉林大学
微电子学
学士
012
2016.11至今
大连理工大学微电子学院
讲师
2012.52016.10
大连理工大学物理与光电工程学院
讲师
2010.72012.5
大连理工大学物理与光电工程学院
师资博士后
研究方向Research Focus
社会兼职Social Affiliations
1、第三代半导体材料与器件
2、宽带隙半导体辐射探测器
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研究领域
论文成果 More>>
Xue, Dongyang,Zhang, Heqiu,ul Ahmad, Aqrab,Liang, Hongwei,Liu, Jun,Xia, Xiaochuan,Guo, Wenping,Huang, Huishi,Xu, Nanfa.Enhancing the sensitivity of the reference electrode free AlGaN/GaN HEMT based pH sensors by controlling the threshold voltage[J],SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL,2020,306
韩冲,魏志鹏,崔兴柱,梁晓华,梁红伟,夏晓川,杨存,叶鑫,唐吉龙,王登魁.辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究[J],核技术,2019,42(5):050501
张贺秋,梁红伟,胡礼中,夏晓川,骆英民.科研资源向教学资源转化的探索和实践[J],教育教学论坛,2018,31(31):145-146
Chen, Yuanpeng,Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Abbas, Qasim,Liu, Yang,Du, Guotong.Growth Pressure Controlled Nucleation Epitaxy of Pure Phase epsilon- and beta-Ga2O3 Films on Al2O3 via Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2018,18(2):1147-1154
Chen, Yuanpeng,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Zhang, Heqiu,Shi, Jianjun,Abbas, Qasim,Du, Guotong.Growth temperature impact on film quality of hBN grown on Al2O3 using non-catalyzed borazane CVD[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2017,28(19):14341-14347
Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Zheng, Xiantong,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Abbas, Qasim,Huang, Huolin,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer[J],JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,2017,121(33):18095-18101
专利 More>>
一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法
p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及制备方法
ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法
著作成果
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科研项目 More>>
极化诱导(Al)GaN基高效紫外LED的研制, 省、市、自治区科技项目, 2016/07/19, 进行
耐辐照室温氮化镓一维位置灵敏带电粒子探测系统的研制, 国家自然科学基金项目, 2016/08/17, 进行
耐高温耐辐照探测器定制、信号读出，以及性能特性摸索, 其他课题, 2016/08/01, 进行
耐高温耐辐照氧化镓基宽带隙半导体中子探测器的研究, 国务院其他部门, 2016/05/11, 进行
耐高温耐辐照氧化镓基alpha粒子探测器的研究, 国家自然科学基金项目, 2014/09/01-2017/12/31, 完成
耐高压硅基氧化镓场效应晶体管的研制, 省、市、自治区科技项目, 2018/01/01, 进行
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论文成果
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果[1]Xue, Dongyang,Zhang, Heqiu,ul Ahmad, Aqrab,Liang, Hongwei,Liu, Jun,Xia, Xiaochuan,Guo, Wenping,Huang, Huishi,Xu, Nanfa.Enhancing the sensitivity of the reference electrode free AlGaN/GaN HEMT based pH sensors by controlling the threshold voltage[J],SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL,2020,306
[2]韩冲,魏志鹏,崔兴柱,梁晓华,梁红伟,夏晓川,杨存,叶鑫,唐吉龙,王登魁.辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究[J],核技术,2019,42(5):050501
[3]张贺秋,梁红伟,胡礼中,夏晓川,骆英民.科研资源向教学资源转化的探索和实践[J],教育教学论坛,2018,31(31):145-146
[4]Chen, Yuanpeng,Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Abbas, Qasim,Liu, Yang,Du, Guotong.Growth Pressure Controlled Nucleation Epitaxy of Pure Phase epsilon- and beta-Ga2O3 Films on Al2O3 via Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2018,18(2):1147-1154
[5]Chen, Yuanpeng,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Zhang, Heqiu,Shi, Jianjun,Abbas, Qasim,Du, Guotong.Growth temperature impact on film quality of hBN grown on Al2O3 using non-catalyzed borazane CVD[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2017,28(19):14341-14347
[6]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Zheng, Xiantong,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Abbas, Qasim,Huang, Huolin,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer[J],JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,2017,121(33):18095-18101
[7]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Liu, Jun,Abbas, Qasim,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao.Indium Incorporation Induced Morphological Evolution and Strain Relaxation of High Indium Content InGaN Epilayers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2017,17(6):3411-3418
[8]Feng, Tian-Hong,Xia, Xiao-Chuan.Characteristics of doping controllable ZnO films grown by photo-assisted metal organic chemical vapor deposition[J],OPTICAL MATERIALS EXPRESS,2017,7(4):1281-1288
[9]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Huang, Huolin,Tao, Pengcheng,Sandhu, Qasim Abbas,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2017,60:66-70
[10]Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Geng, Xinlei,Chen, Yuanpeng,Yang, Chao,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Xu, Mengxiang,Du, Guotong.Synthesis of GaN network by nitridation of hexagonal epsilon-Ga2O3 film[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2017,28(3):2598-2601
[11]Xia, Xiaochuan,Chen, Yuanpeng,Feng, Qiuju,Liang, Hongwei,Tao, Pengcheng,Xu, Mengxiang,Du, Guotong.Hexagonal phase-pure wide band gap epsilon-Ga2O3 films grown on 6H-SiC substrates by metal organic chemical vapor deposition[J],APPLIED PHYSICS LETTERS,2016,108(20)
[12]Liang, Hongwei,Du, Guotong,Tao, Pengcheng,Xia, Xiaochuan,Chen, Yuanpeng,Zhang, Kexiong,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao.Vertically conducting deep-ultraviolet light-emitting diodes with interband tunneling junction grown on 6H-SiC substrate[J],JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2016,55(3)
[13]Tao, Pengcheng,Luo, Yingmin,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Shen, Rensheng.Crack-free Al0.5Ga0.5N epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2016,41:291-296
[14]Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Li, Binghui,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Huang, Huolin,Sandhu, Qasim Abbas,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVD[J],RSC ADVANCES,2016,6(65):60068-60073
[15]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Du, Guotong.A preliminary study of SF6 based inductively coupled plasma etching techniques for beta gallium trioxide thin film[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2015,39:582-586
[16]Tao, Pengcheng,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Enhanced output power of near-ultraviolet LEDs with AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors on 6H-SiC by metal-organic chemical vapor deposition[J],SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2015,85:482-487
[17]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Du, Guotong.Influence of Sb valency on the conductivity type of Sb-doped ZnO[J],THIN SOLID FILMS,2015,589:199-202
[18]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Tao, Pengcheng,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Li, Xiaona.The lattice distortion of beta-Ga2O3 film grown on c-plane sapphire[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2015,26(5):3231-3235
[19]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Luo, Yingmin,Du, Guotong.Influence of Cu dopant on the structure and optical properties of ZnO thin films prepared by MOCVD[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2015,26(3):1591-1596
[20]Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Shen, Rensheng,Liu, Yang,Luo, Yingmin,Du, Guotong.Effect of growth pressure on the characteristics of beta-Ga2O3 films grown on GaAs (100) substrates by MOCVD method[J],APPLIED SURFACE SCIENCE,2015,325(C):258-261
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专利
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法
p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及制备方法
ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法
p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法
n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法
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科研项目
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 科研项目极化诱导(Al)GaN基高效紫外LED的研制, 辽宁省自然科学基金, 2016/07/19, 进行
耐辐照室温氮化镓一维位置灵敏带电粒子探测系统的研制, 国家自然科学基金, 2016/08/17, 进行
耐高温耐辐照探测器定制、信号读出，以及性能特性摸索, 一般纵向, 2016/08/01, 进行
耐高温耐辐照氧化镓基宽带隙半导体中子探测器的研究, 中国博士后科学基金, 2016/05/11, 进行
耐高温耐辐照氧化镓基alpha粒子探测器的研究, 国家自然科学基金, 2014/09/01-2017/12/31, 完成
耐高压硅基氧化镓场效应晶体管的研制, 大连市科技计划, 2018/01/01, 进行
稀土掺杂发光材料温度依赖的发光性质研究, 辽宁省自然基金指导计划, 2018/08/20, 进行
高耐压、低损耗的Si衬底Ga2O3 MOSFET器件制备研究, 国家自然科学基金, 2017/08/17, 进行
大功率白光LED封装用玻璃荧光体的研究, 辽宁省博士科研启动基金, 2017/09/04, 进行
长波长GaN基LED材料外延技术开发, 2017/07/29-2018/06/30, 进行
基于2英寸蓝宝石衬底的大面积氮化硼薄膜制备, 2017/04/28-2017/06/15, 进行
低应力硅基氮化镓功率器件外延技术研究, 2017/02/15-2017/09/30, 进行
高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术, 国家重点研发计划, 2016/07/28, 进行
UV墨水固化用倒装紫外LED外延芯片研发, 2015/07/01-2017/06/30, 进行
湿法腐蚀图形化蓝宝石衬底的研发及产业化, 一般纵向, 2015/10/20, 进行
一种面向4G（4代）光纤通信的新型高速半导体激光器的开发及产业化, 大连市科技创新专项, 2014/10/01, 进行
低导通电阻大阈值电压常关型AlGaN/GaN基HEMT器件制备研究, 辽宁省教育厅科学研究一般项目, 2015/07/16, 进行
耐高温GaN中子探测器理论及其制备工艺研究, 一般纵向, 2014/06/23, 进行
面向空间应用的SiC基PIN型软X射线探测器研制, 国家自然科学基金, 2018/08/16, 进行
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