彭强祥导师主页

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基本信息

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姓名: 彭强祥
职称: 副教授
单位电话:
电子信箱: qxpeng@xtu.edu.cn
办公室: 二教322
个人主页: http://daoshi.xtu.edu.cn/index.php?code=teacherweb&action=showhomepage&id=1871

个人简介

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个人简介

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??男，1984年4月生，湖南娄底人，博士，副教授，硕士生导师，2014年在电子科技大学获得微电子学与固体电子学工程博士，师从李言荣院士。2016-2017年在日本东京工业大学工学院Ohmi实验室进行学术交流，从事微电子材料与器件工艺、微电子机械系统(MEMS)工艺、铁电材料及其器件应用方面的研究，主持国家自然科学基金项目1项，重点实验室项目2项，博士启动基金项目1项。发表SCI论文27篇，工艺工艺相关论文3篇，授权中国专利10项。目前主要的研究方向为氧化铪铁电材料、新型存储器设计与工艺、铁电器件的辐射效应。欢迎电子材料、微电子学、应用物理等专业的大四本科生报考硕士研究生！?

研究方向

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[1]. 铁电薄膜材料。包括物理（如Sputter、PLD）与化学溶液（CSD）法制备铁电薄膜（如SBT、HfO2）、生长机理、掺杂改性、微观结构表征与性能测试等。
[2]. 铁电存储器设计与工艺技术。包括金属/铁电薄膜/绝缘层/半导体（MFIS）结构设计与优化、铁电器件的集成电路工艺平台兼容技术、光刻、干/湿法刻蚀、磁控溅射等。??
[3].铁电器件的辐射效应。

科研项目

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[1]. 国家自然科学基金青年项目，氧化铪基铁电薄膜及其存储单元性能研究，主持，2016-2018；
[2]. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题，MFIS制备技术及其场效应晶体管的总剂量效应研究，主持，2015-2017；
[3]. 博士科研启动资金项目，铁电薄膜的图形化工艺研究，主持， 2015-2017；
[4]. 装备用关键薄膜材料及其应用湖南省国防科技重点实验开放课题，铁电存储器用薄膜微图形化工艺技术研究，主持，2015-2016


代表性学术成果

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部分发表论文：
[1]Liu, W. Y., Liao, J. J., Jiang, J., Zhou, Y. C., Chen, Q., Mo, S. T., ... & Jiang, L. M. Highly stable performance of flexible Hf 0.6 Zr 0.4 O 2 ferroelectric thin films under multi-service conditions.Journal of Materials Chemistry C,2020，8(11), 3878-3886.
[2]Zeng, B., Liao, J., Peng, Q., Liao, M., Zhou, Y., & Ohmi, S. I.The Effect of Kr/O 2 Sputtering on the Ferroelectric Properties of SrBi 2 Ta 2 O 9 Thin Film Formation. IEICE Transactions on Electronics, 2019，102(6), 441-446.
[3]Q. Sun, J.J. Liao, Q.X. Peng, B.J. Zeng, J. Jiang, Y.D. Luo, M. Liao, L. Yin , Y.C. Zhou .Total ionizing dose effects of 60Co γ-rays radiation on HfxZr1?xO2 ferroelectric thin film capacitors,Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2020, 31, 2049–2056
[4]Zeng, B., Liao, M., Peng, Q., Xiao, W., Liao, J., Zheng, S., & Zhou, Y. 2-bit/cell operation of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 based FeFET memory devices for NAND applications. IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2019, 7, 551-556.
[5]Zeng, B., Liao, M., Liao, J., Xiao, W., Peng, Q., Zheng, S., & Zhou, Y. Program/Erase Cycling Degradation Mechanism of HfO 2-Based FeFET Memory Devices. IEEE Electron Device Letters,2019,40(5), 710-713.
[6]Liu, H., Zheng, S., Chen, Q., Zeng, B., Jiang, J., Peng, Q., ... & Zhou, Y. Structural and ferroelectric properties of Pr doped HfO 2 thin films fabricated by chemical solution method. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019,30(6), 5771-5779.
[7]Zeng, B., Xiao, W., Liao, J., Liu, H., Liao, M., Peng, Q., ... & Zhou, Y. Compatibility of HfN metal gate electrodes with Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 ferroelectric thin films for ferroelectric field-effect transistors. IEEE Electron Device Letters, 2018，39(10), 1508-1511.
[8]Jiang, J., Yang, Q., Zhang, Y., Li, X. Y., Shao, P. W., Hsieh, Y. H., ... & Chu, Y. H.Self-Assembled Ferroelectric Nanoarray. ACS applied materials & interfaces, 2018, 11(2), 2205-2210.
[9]Li, X. Y., Yang, Q., Cao, J. X., Sun, L. Z., Peng, Q. X., Zhou, Y. C., Zhang, R. X. Domain wall motion in perovskite ferroelectrics studied by the nudged elastic band method. The Journal of Physical Chemistry C, 2018，122(5), 3091-3100.
[10]Q.X. Peng, W.B. Luo, J. Meng, W.Y. Fu, X. Qing, X.Y. Sun, Y. Shuai, C.G. Wu. W.L. Zhang. A new method of depositing high figure-of-merit porous PZT pyroelectric thick film using [001]-oriented PZT nanorod by electrophoresis deposition. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 2014, 25(1): 297-302
[11]Q. X. Peng,W. B. Luo, C. G. Wu,，X. Y. Sun,P. Li,X. Y. Chen, The fabrication and pyroelectric properties of single crystalline PZT nanorod synthesized by hydrothermal reaction, J. Mater. Sci: Mater. Electron., 2014, 25(4):1627-1632
[12]Q.X. Peng, C.G. Wu, W.B. Luo, L. Jin, W.L. Zhang, C. Chen, X.Y. Sun. The Improvement of Pyroelectric Properties of PZT Thick Films on Si Substrate by TiOx Barrier Layer. Infra. Phys. Techn., 2013, 58: 51-55
[13]Q.X. Peng, C.G. Wu, W.B. Luo, C. Chen, G.Q. Cai, X.Y. Sun, D.P. Qian. An infrared pyroelectric detector improved by cool isostatic pressing with cup shaped PZT thick film on silicon substrate. Infra. Phys. Techn., 2013, 61: 313-318
[14]Q.X. Peng, C.G. Wu, W.B. Luo, W.L. Zhang, J.Q. Cao. Study of PZT thick-film infrared detectors prepared by MEMS technology. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng., BeiJing, 2011, 8193, 81934J-4
部分专利：
[1]一种铁电薄膜微区形貌修饰和图形化的方法(授权)；
[2]一种基于离子注入掺杂的氧化铪铁电栅制备方法（实质审查）；
[3]一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺（实质审查）；
[4]一种单管单电容存储单元装置及其制备方法（实质审查）
[5]一种铁电场效应晶体管及其制备方法（实质审查）；
[6]一种铁电薄膜晶体管及其制备方法（实质审查）；
[7]一种柔性外延铁电薄膜的制备方法（授权）；
[8]一种位错对铁电材料畴结构影响机理的分析方法和系统(授权)；