宋宏甲导师主页

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基本信息

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姓名: 宋宏甲
职称: 副教授
单位电话:
电子信箱: hjsong@xtu.edu.cn
办公室: 2教304
个人主页:

个人简介

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个人简介

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宋宏甲，博士，男，1986年8月生于湖南辰溪。湘潭大学材料科学与工程学院，副教授，硕士生导师，湖南省光学学会理事，Journal of Materials Chemistry C等SCI期刊审稿人。
主要从事新型氧化物信息存储材料、器件的研制及其服役可靠性研究，先后承担了装备预研领域基金项目、装备预研共用技术重点项目子课题、国家自然科学基金青年项目等4项国家级课题，承担了“强脉冲辐射环境模拟与效应”国家重点实验室开放课题、“抗辐照应用技术”创新中心开放课题、湖南省科技厅青年基金、湖南省教育厅优秀青年基金等省部级课题5项，在JournalofAlloysandCompounds、RadiationPhysicsandChemistry、Appl. Phys. Lett., RSC Adv.等知名SCI期刊发表论文20余篇，申报国家发明专利5项。
在氮化物涂层的设计、生产工艺开发和可靠性方面有一定的研究经验，相关成果已获广东省深圳市相关上市公司产品推广，并担任湖南省湘潭市一涂层产品企业技术顾问。
今年拟招研究生3~4名，欢迎对研究方向感兴趣的同学报考，请将个人简历、研究生考试成绩和大学本科成绩单发送至电子邮箱hjsong@xtu.edu.cn。

学习工作经历

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2015.11-今，湘潭大学材料科学与工程学院教师
2010.09-2015.06，湘潭大学材料科学与工程专业硕博连读研究生
2006.09-2010.06，湘潭大学材料科学与工程专业获得学士学位
2011.02-2012.01，中科院上海微系统与信息技术研究所学习?


主讲课程

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固体物理学
功能材料
半导体材料与器件

研究方向

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新型氧化物基信息存储材料、器件的研制及其服役可靠性研究
金属及其氮化物涂层设计、生产工艺开发及可靠性研究


科研项目

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在研项目：
国家自然科学基金青年基金项目，“弯曲铁弹畴壁伸缩的钳制应力调控及存储特性研究”(项目编号：**)，主持
湖南省自然科学基金青年项目，“弯曲免疫的TiO2纳米棒阵列基柔性阻变存储器研究”(项目编号：2018JJ3506)，主持
湖南省教育厅优秀青年项目,“空间人工智能用二元金属氧化物基忆阻器的可靠性调控及辐照损伤研究”(项目编号：20B560)，主持
其他省部级项目2项，主持





主要代表性论文

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(1) H. J. Song*, Z. J. Wang, J. B. Wang*, X. L. Zhong. Unipolar resistive switching in porous perovskite-like Bi_3.15Nd_0.85Ti₃O₁₂ thin films. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 2018, 29(8), 6660~6665
(2) X. Zhang,H. J. Song*, C. B. Tan, S. S. Yang, Y. X. Xue, J. B. Wang*, X. L. Zhong. Epitaxial growth and magnetic properties of h-LuFeO₃ thin films. J. Mater. Sci., 2017, 52, 13879-13885
(3)H. J. Song, P. P. Liu, X. L. Zhong*, B. Li*, T. Chen, F. Wang, J. B. Wang, Y. C. Zhou. Ferroelectric field-effect transistors based on multi-walled carbon nanotube micron-wide stripe arrays. Appl. Phys. Lett., 2014, 105: 053506
(4) H. J. Song, J. B. Wang*, X. L. Zhong*, J. J. Cheng, and G. K. Zhong. Large resistive switching in Pt/BNT/HfO₂/Pt capacitors. RSC Adv., 2014, 4: 50891
(5) H. J. Song, D. Lv, J. B. Wang*, B. Li*, X. L. Zhong, L. H. Jia, and F. Wang. Multi-channel ferroelectric-gate field effect transistors with excellent performance based on ZnO nanofibers. RSC Adv., 2014, 4: 54924
(6) H. J. Song, T. Ding, X. L. Zhong*, J. B. Wang*, B. Li, Y. Zhang, C. B. Tan, and Y. C. Zhou. Ferroelectric-gate thin-film transistors with Bi_3.15Nd_0.85Ti₃O₁₂ gate insulators on LaNiO₃-buffered Si substrates. RSC Adv., 2014, 4, 60497
(7) H. J. Song, J. B. Wang*, X. L. Zhong*, J. J. Cheng, L. H. Jia, F. Wang, B. Li. Switchable diode effect in polycrystalline Bi_3.15Nd_0.85Ti₃O₁₂ thin films for resistive memories. Appl. Phys. Lett., 2013, 103: 262901





发明专利

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[1] 王金斌, 宋宏甲, 钟高阔, 李波, 钟向丽, 周益春. 一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器. 中国发明专利, ZL 8.0
[2] 钟向丽, 丁涛, 张溢, 宋宏甲, 王金斌, 周益春. 一种硅基铁电栅薄膜晶体管及其制备方法. 中国发明专利,ZL3.4
[3] 钟向丽, 刘盼盼, 宋宏甲, 王金斌, 李波, 周益春. 一种基于规整性碳纳米管条纹阵列的铁电场效应晶体管及其制备方法. 中国发明专利,ZL8.1