1.College of Physics Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou 225002, China 2.Guangling College, Yangzhou University, Yangzhou 225127, China
Fund Project:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 51402256, 11374227).
Received Date:04 July 2018
Accepted Date:30 November 2018
Available Online:01 February 2019
Published Online:05 February 2019
Abstract:Single phase polycrystalline Nd-modified BNFNT-x series samples are obtained from the precursors of the same chemical formula, and prepared by using the citric acid-nitrate method. The X-ray photoelectron spectroscopy measurement indicates that a slight Nd modification does not exert significant influence on the stability of the octahedral FeO6, nor NiO6 nor TiO6. When the molar concentration of Nd exceeds 0.25, the stability of BiO layer is cemented and conducive to the insulating role of BiO layer. It is seen that a small quantity of Nd substitution for bismuth can improve the ferroelectric polarization (2Pr) of ~ 19.7 $ \mu {\rm C/cm }^2$. The room-temperature magnetization (2Ms) can reach a maximal value of ~ 4.132 emu/g (1 emu/g = 10?3 A·m2/g)in the BNFNT-0.20 sample. Two anomalies are observed in the temperature-dependent dielectric loss spectrum: one is situated in the temperature range from 200 K to 400 K and the other is located in the vicinity of 900 K. It is considered that the loss anomaly found near 900 K might be associated with the viscous motion of ferroelectric domain walls. In addition, the loss peak shown in a temperature range from 200 K to 400 K shifts toward the higher temperature with measuring frequency increasing, indicating the characteristics of dielectric relaxor behavior. The activation energy is evaluated to be 0.287?0.366 eV, which suggests that the relaxor is associated with the electrons transfer and hop between Fe3+ and Fe2+. The room-temperature magnetization (2Ms) has reached a maximal value of ~ 4.132 emu/g in the BNFNT-0.20 sample. The lattice distortion due to the introduction of Nd changes the angle of such antiferromagnetic coupling bonds as Fe3+—O—Fe3+, Fe3+—O—Ni3+ and Ni3+—O—Ni3+, which leads the AFM spin states to break, and thus increases the magnetic properties. While with further modification of Nd, the drastic lattice distortion reduces the occupation of the B-sites of the magnetic ions, which might be responsible for further deteriorating the magnetic properties. Keywords:layered perovskite/ ceramics/ multiferroic/ dielectric properties
图 1 室温下BNFNT-x (x = 0.00, 0.10, 0.20, 0.25和0.30)的XRD图谱 Figure1. XRD patterns of BNFNT-x (x = 0.00, 0.10, 0.20, 0.25 and 0.30) at room temperature.
图3为样品的Raman光谱测量结果. 由图3(a)可知Nd掺杂没有明显改变样品的谱线, 与文献[15]报道的结果十分相似. BNFNT-x多晶样品分别在 53, 82.5, 125, 260, 531, 700, 827和859 cm?1附近存在明显Raman峰和一些弱的峰. 从图3(a)还可以看出, 与铁电相变(319 cm?1)和磁相变(827 cm?1)相关的峰没有明显的变化[32-34], 波数大于200 cm?1的其他峰(对应氧八面体)也未发现移动[35]. 从图3(b)可以看出, 与样品BiO层中的Bi3+离子相关的谱线峰位(53, 82.5和125 cm?1附近)随着x含量的增加出现了先向低波数移动, 再向高波数移动(x > 0.25)的现象. 从Raman测量结果可以看出: 1) 少量Nd掺杂有助于提高BiO层的稳定性[36]; 2) Nd掺杂没有对氧八面体产生明显影响. 图 3 (a) 室温下BNFNT-x样品的拉曼谱; (b) Nd含量对BNFNT-x样品中与BiO层相关的拉曼峰的影响 Figure3. (a) Raman spectra of BNFNT-x at room temperature; (b) effect of Nd content on Raman peaks associated with BiO layers in BNFNT-x samples.
23.2.铁电性和介电性能 -->
3.2.铁电性和介电性能
图4为室温下BNFNT-x样品的电滞回线. 从图4可以看出, 样品具有良好的铁电性能. 图5(a)为样品铁电性能随测量电场强度(最大耐压)的变化, 可以看出, 少量掺杂有利于提高样品的耐压性能, BNFNT-0.00样品能承受的最大电场强度(随后击穿)约为190 kV/cm, 随着x的增大, 最大电场强度逐渐增大, BNFNT-0.20达到最大, 约为 210 kV/cm, 但之后随着x 的进一步增大出现了明显下降, BNFNT-0.30样品的最大电场强度仅约为140 kV/cm. 图5(b)给出了在140 kV/cm测量电场下, 样品2Pr与Nd含量的关系, 可以看出, 随着x的增加样品的2Pr出现了先下降后上升的变化过程, 少量掺杂时可能是受到内应力的影响导致样品的铁电性能有所下降, BNFNT-0.30样品的铁电性能2Pr为21 $\mu {\rm C/cm} ^2$. 图5(c)为在190 kV/cm测量电场下的结果, 可以看出样品铁电性能随掺杂量的变化与140 kV/cm电场下基本一致, BNFNT-0.25样品的铁电性能最好, 2Pr达到约19.7 $\mu {\rm C/cm} ^2$, 只是BNFNT-0.10样品性能下降得更为明显. 从样品的铁电性能和Raman结果可以看出: 1) 少量Nd掺杂有利于提高样品的耐压特性, 原因与提高了BiO层的稳定性有关, 其绝缘层的作用更为明显; 2) 当Nd掺杂量增大时可能是由于内应力等原因导致BiO层的稳定性下降(Raman峰位向高波数方向移动), 导致耐压特性下降. 图 5 (a) BNFNT-x 样品2Pr-E曲线; (b)电场约为140 kV/cm下Nd含量对2Pr的影响; (c)电场约为190 kV/cm下Nd含量对2Pr的影响 Figure5. (a) The 2Pr-E curves of BNFNT-x samples; (b) dependence of 2Pr of BNFNT-x ceramics on Nd content x under the electric filed about 140 kV/cm; (c) dependence of 2Pr of BNFNT-x ceramics on Nd content x under the electric filed about 190 kV/cm.
图 4 室温下BNFNT-x陶瓷样品的电滞回线 Figure4. Ferroelectric hysteresis loop of BNFNT-x ceramic samples at room temperature.
图6为样品120—1000 K温度范围内的变温介电损耗性能. 可以看出, 在27.17 kHz的测量频率下, 样品在200—400 K (图6中插图所示)和 900 K附近分别出现了2个介电损耗峰. 900 K附近的峰极值点随着x含量增加向低温方向出现很小的移动, 从920 K降低至910 K, 此峰在Bi6FeCoTi3O18和Bi5LaFeCoTi3O18中也被发现过[22], 相关机制还不清楚, 有待进一步研究, 但在典型的层状钙钛矿铁电材料Sr2Bi4Ti5O18中被认为与畴壁的黏性运动有关[17]. 图7(a)—(e)为在100—500 K温度范围内, 样品的介电损耗(tan$ \delta $)结果. 从图7可以看出, 在1—492.2 kHz频率范围中的5个频率下, 样品的tan$ \delta $-T曲线都有较为完整的介电耗损峰, 且随着测量频率的升高, 样品的介电损耗峰对应的温度向高温方向移动, 显示出明显的介电弛豫特征. 用Arrhenius公式计算样品的激活能(Ea), 计算结果如图7(f)所示. 从图7(f)可以看出, BNFNT-0.00样品Ea为0.366 eV, 当x = 0.10时Ea下降至0.287 eV, 但随着x的增大, Ea出现了少许增大. 已有文献[37, 38]报道, 与氧空位相关的激活能远大于0.4 eV, 如: Bi4Ti3O12为0.74—0.96 eV, Bi6Ti3Fe2O18约为1.26 eV. 在研究Fe3+和Fe2+间的电子转移或跃迁时发现其激活能为0.29—0.38 eV, 如: LuFe2O4约为0.29 eV[39], Sr(Fe0.5Nd0.5)O3约为0.38 eV[40]和BiFeO3约为0.3 eV[41]. BNFNT-x样品中的Fe在高温制备过程中不可避免地会产生Fe2+, 形成Fe3+-O-Fe2+耦合作用. BNFNT-x样品在200—500 K温度范围内的弛豫峰的激活能与文献报道的Fe3+和Fe2+间的电子转移或跃迁激活能十分接近, 该介电弛豫现象与Fe3+和Fe2+间的电子转移或跃迁有关, 但少量Nd掺杂后造成其激活能下降的原因还不清楚, 可能与Nd3+离子半径小于Bi3+离子半径产生的晶格畸变和产生的内应力改变了Fe3+—O—Fe2+键角等原因有关. 图 7 (a)—(e)测量频率为1—492.2 kHz时BNFNT-x样品的介电损耗峰 (插图为BNFNT-x样品相应的激活能)(a) Bi6Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (b) Bi5.9Nd0.1Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (c) Bi5.8Nd0.2Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (d) Bi5.75Nd0.25Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (e) Bi5.7Nd0.3Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (f) BNFNT-x样品Nd含量对激活能的影响 Figure7. (a)?(e) Dielectric loss peak with the measurement frequencies from 1 kHz to 492.2 kHz (inset is the corresponding activation energy of BNFNT-x sample): (a) Bi6Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (b) Bi5.9Nd0.1Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (c) Bi5.8Nd0.2Fe1.4Ni0.6Ti3O18;(d) Bi5.75Nd0.25Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (e) Bi5.7Nd0.3Fe1.4Ni0.6Ti3O18; (f) dependence of activation energy of BNFNT-x ceramics on Nd content x.
图 6 27.17 kHz频率下120—1000 K温度范围内所测量的介电损耗峰(插图为BNFNT-x样品200—400 K的放大部分) Figure6. Dielectric loss peak with the measurement temperature from 120 to 1000 K at the frequency of 27.17 kHz. Inset is the corresponding enlarge part of BNFNT-x sample under the temperature from 200 to 400 K.
23.3.磁性能 -->
3.3.磁性能
图8(a)为样品在室温下测量的磁滞回线, 可以看出, 室温下BNFNT-x (x = 0.00, 0.10, 0.20, 0.25, 和0.30)样品呈现出典型的铁磁特征. 图8(b)为BNFNT-x样品的饱和磁化强度(2Ms)随掺杂量x的变化. 可以发现, 少量掺杂可以提高样品的铁磁性能, BNFNT-0.00的2Ms为3.236 emu/g, 随着掺杂量的增加2Ms呈现先增大后减小的趋势, BNFNT-x样品在x = 0.20时获得了2Ms的最大值(约 4.132 emu/g), 相较于BNFNT-0.00提升了27.3%. Bi6Fe1.4Ni0.6Ti3O18 (BNFNT-0.00)样品的磁性能类似于其他层状多铁材料, 如: Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15, Bi6FeCoTi3O18和Bi6FeNiTi3O18等, 其磁性能源于不同磁性离子通过O原子的耦合作用. 在BNFNT-x样品中, 有可能存在的耦合有Fe3+—O—Fe2+, Fe3+—O—Ni3+, Fe3+—O—Ni2+和Ni3+—O—Ni2+等. 图 8 (a)室温下BNFNT-x样品的磁滞回线 (插图为中部放大图像); (b) BNFNT-x样品2Ms随Nd含量的变化 Figure8. (a) At room temperature, magnetic hysteresis of BNFNT-x samples (inset is the enlarged central part of the M-H curve); (b) dependence of 2Ms of BNFNT-x on the Nd content.
图9为在1000 Oe $\left( {1\;{\rm{Oe}} = \dfrac{{{{10}^3}}}{{4{\text{π}}}}{\rm{A}}/{\rm{m}}} \right)$磁场下, 5—400 K温度范围内样品的M-T曲线. 可以看到, 场冷(FC)和零场冷(ZFC)曲线在室温以下出现了分离, 这两条曲线的不重合说明随着温度变化, 磁性团簇或者磁畴结构发生了变化[42], 随着温度的进一步降低, 磁性明显增大, 尤其是在低温段附近, 这一现象与Bi1?xGdxFeO3相似[43], 其原因可能与f-d轨道耦合作用有关. 另外, 在150—160 K温度范围内5个样品的FC/ZFC曲线都出现反常, Suryanarayana等[44]曾报道Bi7Fe3Ti3O21和Bi6Fe2Ti3O18分别在190 和160 K附近出现反常, 这一反常与层状多铁材料中存在复杂磁性能, 如: 反铁磁、弱的铁磁、顺磁、玻璃态等引起的晶格磁波动等有关. 图 9 BNFNT-x样品的FC和ZFC磁化曲线 (a) x = 0.00; (b) x = 0.10; (c) x = 0.20; (d) x = 0.25; (e) x = 0.30 Figure9. FC and ZFC magnetization curves of the BNFNT-x sample: (a) x = 0.00; (b) x = 0.10; (c) x = 0.20; (d) x = 0.25; (e) x = 0.30.
图10(a)和图10(b)分别为BNFNT-x样品Bi 4f和Fe 2p“芯能级”的X射线光电子能谱(XPS). 从图10(a)可以看出, 随着Nd含量增加, Bi 4f7/2 (约158.8 eV)的屏蔽能级峰位向高能方向移动, 在x = 0.2时达到最大, 为159.1 eV, 随着Nd含量进一步增大, 屏蔽能峰位回到158.8 eV, 这说明适量的Nd掺杂可以很好地稳定Bi离子[45]. 从图10(b)可以看出, Fe 2p3/2和Fe 2p1/2分别位于710.68和723.58 eV, 这与文献[18]的结果相当. 对Fe 2p3/2峰进行分峰, 发现BNFNT-x样品中包含Fe2+ (Fe 2p3/2∶ 709.3 eV)和Fe3+(Fe 2p3/2∶ 710.7 eV), 并且当少量掺杂时, BNFNT-0.00, 0.10, 0.20, 0.25样品中Fe3+/Fe2的比例分别为1 ∶ 0.31, 1 ∶ 0.32, 1 ∶ 0.30和1 ∶ 0.30, 未有明显变化, 但当Nd掺杂量为0.30时Fe2+含量明显增加, Fe3+/Fe2+的比例达到1 ∶ 0.40. 结合样品XPS和磁性测量结果, 对于Nd掺杂引起磁性改变可能有以下原因: 1) 样品中Fe3+—O—Fe3+, Fe3+—O—Ni3+和Ni3+—O—Ni3+为反铁磁耦合, Nd3+离子取代Bi3+离子导致结构扭曲, 从而造成反铁磁耦合的键角发生改变, 打破反铁磁自旋态从而提高了磁性能; 2) Nd含量的增加导致晶格畸变的加剧, 影响了B位磁性离子占位, 降低了B位磁性耦合概率, 这可能是当掺杂量大于0.20后样品磁性下降的原因. 图 10 (a) BNFNT-x样品中Bi的电子能谱图; (b) BNFNT-x样品中Fe的电子能谱图 Figure10. (a) Electron spectra of Bi in BNFNT-x samples; (b) electron spectra of Fe in BNFNT-x samples.