为了澄清镍氧化物超导的物理,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心EX9组的杨义峰研究员与清华大学的张广铭教授和中国科学院大学卡弗里理论科学研究所的张富春教授合作,提出了镍氧化物超导体的一个理论模型。他们仔细分析了实验数据,发现未掺杂的NdNiO2或LaNiO2母体中均存在较强的近藤散射,导致电阻与霍尔系数在低温下呈现典型的对数温度依赖行为;而在空穴掺杂的Nd1-xSrxNiO2中,电阻在超导转变之上呈现类似最佳掺杂铜氧化物的奇异金属行为。基于以上事实,他们提出镍氧化物超导体的母体为自掺杂的Mott绝缘体,其中Ni的大部分3dx2-y2电子比较局域,形成自旋晶格,少部分则转移到Nd或La的5d轨道上。这些较为巡游的5d电子既在Ni自旋晶格上引入了空穴(holon),又与这些自旋发生近藤散射并在低温下形成近藤单态(doublon),产生低能的doublon-holon激发,破坏了可能的磁性长程序。
以上工作为理解镍氧化物超导体提供了理论基础,指出该体系具有重费米子和铜氧化物的双重特征,是探索新物理的重要对象。文章发表于《物理评论B》,并被选为编辑推荐[Phys. Rev. B 101, 020501(R) (2020)]。该工作得到了科技部(2016YFYA0300300, 2017YFA0302902, 2017YFA0303103、2014CB921203、2015CB921303)、国家自然科学基金委(11774401, 11674278)和中科院战略先导项目(XDB28000000)的支持。
[1] Guang-Ming Zhang*, Yi-feng Yang*, and Fu-Chun Zhang*, Phys. Rev. B 101, 020501(R) (2020).
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.101.020501
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图1:NdNiO2和LaNiO2的电阻与霍尔系数,低温下呈现对数温度依赖行为。 |
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图2:镍氧化物超导母体理论示意图,自旋格子及其上doublon-holon激发。 |
Phys. Rev. B 101, 020501(R) (2020).pdf