基本信息
姓名 王冲职位 教授
硕导或博导：博士生导师
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：　微电子学与固体电子学
工作单位： 西安电子科技大学

联系方式
通信地址： 陕西省西安市太白南路2号395信箱
电子邮箱： chongw@xidian.edu.cn
办公电话： -866
办公地点： 西电老校区，东大楼209B


个人简介
王冲：教授，博士生导师。
研究方向：宽禁带半导体材料工艺与新型器件结构
个人简介：王冲，2006年于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得博士学位。2007年至今任教于西安电子科技大学微电子学院。自2002年以来长期从事GaN基器件工艺、器件新结构设计和器件可靠性的研究。2003年参与研制国内首个SiC衬底的GaN基高电子迁移率晶体管，2007年国内首个报道了增强型GaN基高电子迁移率晶体管。2011年参与研制出了当时全世界效率最高的GaN微波功率器件。长期从事重点实验室的工艺、设备管理工作。在该研究领域以第一作者或通讯作者发表论文30余篇，获得授权专利5项，专利转让金额70余万元。参加国家纵向科研项目10余项，近5年可支配经费600余万元。研究成果获得国家发明二等奖1项，省科学技术一等奖3项。承担本科生半导体器件物理2和研究生微波器件与电路的授课任务。于2008年赴以色列理工大学做访问****一年。

主要研究方向
1．宽禁带半导体器件工艺
2.宽禁带半导体新结构器件
3．GaN基电子器件可靠性研究
4．GaN数字电路关键技术研究
5．高击穿电压GaN功率器件研究

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基本信息
姓名 王冲职位 教授
硕导或博导：博士生导师
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：　微电子学与固体电子学
工作单位： 西安电子科技大学

联系方式
通信地址： 陕西省西安市太白南路2号395信箱
电子邮箱： chongw@xidian.edu.cn
办公电话： -866
办公地点： 西电老校区，东大楼209B


个人简介
王冲：教授，博士生导师。
研究方向：宽禁带半导体材料工艺与新型器件结构
个人简介：王冲，2006年于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得博士学位。2007年至今任教于西安电子科技大学微电子学院。自2002年以来长期从事GaN基器件工艺、器件新结构设计和器件可靠性的研究。2003年参与研制国内首个SiC衬底的GaN基高电子迁移率晶体管，2007年国内首个报道了增强型GaN基高电子迁移率晶体管。2011年参与研制出了当时全世界效率最高的GaN微波功率器件。长期从事重点实验室的工艺、设备管理工作。在该研究领域以第一作者或通讯作者发表论文30余篇，获得授权专利5项，专利转让金额70余万元。参加国家纵向科研项目10余项，近5年可支配经费600余万元。研究成果获得国家发明二等奖1项，省科学技术一等奖3项。承担本科生半导体器件物理2和研究生微波器件与电路的授课任务。于2008年赴以色列理工大学做访问****一年。

主要研究方向
1．宽禁带半导体器件工艺
2.宽禁带半导体新结构器件
3．GaN基电子器件可靠性研究
4．GaN数字电路关键技术研究
5．高击穿电压GaN功率器件研究

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科学研究
目前本人承担的科研项目：
主持自然科学基金面上项目：基于FinFET结构的GaN基数字电路关键技术研究
项目批准号：**（65万）
主持重点研发计划项目：面向下一代移动通信的GaN 基射频器件关键技术及系统应用
项目批准号：2016YFB**（200万）
近五年可支配经费600余万元。

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学术论文
[1]Optimization of ohmic contact for AlGaNGaN HEMT by introducing patterned etching in ohmic area，Solid-State Electronics，2017 ，2，Vol.129，
[2]Effects of Ohmic Area Etching on Buffer Breakdown Voltage of AlGaN/GaN HEMT，TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS，2017. Vol.18, No.3
[3] Investigation of enhancement-mode AlGaN/GaN nanowire channel high-electronmobility transistor with oxygen-containing plasma treatment，Applied Physics Express 10, 056502 (2017)
[4] Enhancement-Mode AlGaN/GaN Nanowire Channel High Electron Mobility Transistor With Fluorine Plasma Treatment by ICP，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 38, NO. 10, OCTOBER 2017
[5] Trap states in enhancement-mode double heterostructures AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel layer thicknesses，Applied PhysicsLetters，2015，Vol.107,No. 6
[6] Photoresponse and traps characteristics of transparent AZO-gated AlGaNGaN HEMT,Chinese Physics B，2016，Vol.25, No.10
[7]Low ohmic-contact resistance in AlGaN_ GaN high electron mobility transistors with holes etching in ohmic region，ELECTRONICS LETTERS，2015. Vol.51, No.25, pp:2145
[8]Effects of annealing on Schottky characteristics in AlGaN/GaN HEMT with transparent gate electrode，Chinese Physics Letters，2014，Vol.31, No.12, pp.128501,
[9]Simulation and Experimentation for Low Density Drain AlGaN/GaN HEMT，Chinese Physics Letters，2014，Vol.31, No.3, pp:038501
[10]AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with transparent gates by Al-doped ZnO，Chinese Physics B，2013，Vol.22, No.6, pp:068503
[11] AlGaN_GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管，物理学报，2016. Vol.65, No.3, pp:038501
[12] AlGaN/GaN HEMTs with 0.2um V-gate recesses for X-band application，半导体学报，2012，Vol.33, No.3,034003
[13] Breakdown voltage and current collapse of F-plasma treated AlGaN/GaN HEMTs，半导体学报，2014，Vol.35, No.1,014008

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荣誉获奖
获得国家发明二等奖1项，省科学技术一等奖3项。

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科研团队
截止2017年共培养毕业硕士生4届共8人。
现指导硕士研究生6人。
指导的硕士生4次获得国家奖学金,截止2017年毕业生国奖率50%。
获得优秀硕士论文2次。

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课程教学
目前本人承担的教学任务：承担本科场效应器件物理课程的授课；承担研究生微波器件与电路课程的授课；
课件下载：http://xt.xidian.edu.cn/G2S/ShowSystem/CourseDetail.aspx?fCourseID=10653&OrgID=90

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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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诚邀对半导体器件有兴趣的学生一起参与科学研究

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Profile
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Address:
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Tel:


Introduction
Put brief introduction of yourself here


Research Interests
1．
2.
3．
4．
5．

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Research
目前研究团队承担的科研项目：

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Papers
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Honors
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Team
团队教师




博士研究生
硕士研究生

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Teaching
目前本人承担的教学任务：

课件下载 示例

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Admission
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关于研究生招生的信息：
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