基本信息
杨林安 教授 / 博导
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：半导体物理与器件
工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：陕西西安太白南路2号395信箱
电子邮箱：layang@xidian.edu.cn
办公电话：**-822
办公地点：老校区东大楼409B
个人简介
杨林安，男，1965年11月出生，籍贯河北省。1986年和1989获西北电讯工程学院半导体物理与器件专业学士与硕士学位；2003年获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。
1989至2005年为空军工程大学电讯工程学院教师；2006年至今为西安电子科技大学微电子学院教授；2004至2005年从事博士后研究工作；2007年为日本德岛大学工学部客座研究员。
多年来的研究工作包括纳米CMOS器件可靠性、碳化硅和氮化镓宽禁带半导体材料和微波大功率器件工艺等。主持和参与了国家863高科技VLSI重大专项课题、国防科技预先研究、国家自然科学基金等项目。在国际国内期刊上发表相关论文近50篇，被三大索引检索40余篇，其中在IEEE Trans. ED、Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、Solid-State Electron. 等国际期刊和国际会议上发表多篇论文，并获多项国家发明专利授权。多年来担任IEEE-Trans. ED 和Solid-State Electronics学术期刊的论文审稿人。
主要研究方向
半导体太赫兹（THz)关键技术与机理、SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。
基本信息
杨林安 教授 / 博导
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：半导体物理与器件
工作单位：微电子学院
联系方式
通信地址：陕西西安太白南路2号395信箱
电子邮箱：layang@xidian.edu.cn
办公电话：**-822
办公地点：老校区东大楼409B
个人简介
杨林安，男，1965年11月出生，籍贯河北省。1986年和1989获西北电讯工程学院半导体物理与器件专业学士与硕士学位；2003年获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。
1989至2005年为空军工程大学电讯工程学院教师；2006年至今为西安电子科技大学微电子学院教授；2004至2005年从事博士后研究工作；2007年为日本德岛大学工学部客座研究员。
多年来的研究工作包括纳米CMOS器件可靠性、碳化硅和氮化镓宽禁带半导体材料和微波大功率器件工艺等。主持和参与了国家863高科技VLSI重大专项课题、国防科技预先研究、国家自然科学基金等项目。在国际国内期刊上发表相关论文近50篇，被三大索引检索40余篇，其中在IEEE Trans. ED、Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、Solid-State Electron. 等国际期刊和国际会议上发表多篇论文，并获多项国家发明专利授权。多年来担任IEEE-Trans. ED 和Solid-State Electronics学术期刊的论文审稿人。
主要研究方向
半导体太赫兹（THz)关键技术与机理、SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。
科学研究
国家自然科学基金面上项目：面向太赫兹应用的氮化镓基谐波增强型高电子迁移率晶体管研究（**），项目负责人
国家自然科学基金重点项目：太赫兹HEMT器件基础研究（**），合作单位项目负责人
国家自然科学基金面上项目：氮化物半导体THz电子器件关键技术研究（**），项目负责人
国家自然科学基金面上项目：一种应用于AlGaN/GaN微波功率器件的场板栅结构理论模型和新工艺研究（**），项目负责人
国家自然科学基金面上项目：新型AlGaN/GaN太赫兹耿氏二极管研究（**），项目负责人
高等学校博士点专项基金项目（博导类）：氮化镓基太赫兹负阻器件结构及关键工艺研究（012），项目负责人
学术论文
代表性论文成果：
2017 :
[1] Yang Li, Lin-An Yang, Hao Zou, Heng-Shuang Zhang, Xiao-Hua Ma, and Yue Hao, Substrate Integrated Waveguide Structural Transmission Line and Filter on Silicon Carbide Substrate, IEEE Electron Device Letters, 38(9), 1290-1293, 2017;
[2] Yang Li, Lin-An Yang, Lin Du, Kunzhe Zhang, and Yue Hao, Design of Millimeter-Wave Resonant Cavity and Filter Using 3-D Substrate-Integrated Circular Waveguide, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 27(8), 706-708, 2017;
[3] Yang Li, Lin-An Yang, Shao-bo Wang, Lin Du, and Yue Hao, Design of 3D filtering antenna for the application of terahertz, Electronics Letters, 53(1), 7-8, 2017;
2015-2016：
[1] Yang Dai, Lin'an Yang,Shengrui Xu and Yue Hao, Anisotropy Effects On The Performance Of Wurtzite GaN IMPATT Diodes, Applied PhysicsExpress,9(10),111004, 2016;
[2] Lin'an Yang, Yue Li, Ying Wang, Shengrui Xu, and Yue Hao, Asymmetric quantum-well structures for AlGaN/GaN/AlGaN resonant tunneling diodes, Journal of Applied Physics, 119(16), 164501,2016;
[3] Qing Chen, Lin'an Yang,Shulong Wang,and Yue Hao, Effect of temperature on avalanche region width and DC to RF conversion efficiency of the p+nn2n+ 4H–SiC impact avalanche transit time diodes, Applied Physics A, Vol.122, No.6, pp.536-1-7, 2016;
[4] Ying Wang, Lin'an Yang, Zhizhe Wang, Jinping Ao, and Yue Hao, The modulation of multi-domain and harmonic wave in a GaN planar Gunn diode by recess la[ant]yer, Semiconductor Science and Technology, 31(2), 025001, 2016;
[5] Ying Wang, Lin-An Yang, Zhi-Zhe Wang, Jin-Ping Ao, and Yue Hao, The enhancement of the output characteristics in the GaN based multiple-channel planar Gunn diode, Physica Status Solidi (a), 213(5), pp.1252-1258, 2016;
[6]Yang Dai, Lin'an Yang, Qing Chen, Ying Wang, and Yue Hao, Enhancement of the performance of GaN IMPATT diodes by negative differential mobility, AIP Advances, 6(5), 055301, 2016;
[7] Ying Wang, Lin-An Yang, Zhi-Zhe Wang, and Yue Hao, Modulation of the domain mode in GaN-based planar Gunn diode for terahertz applications,Physica Status Solidi (c), 13(5-6), pp.382-385, 2016;
[8] Qing Chen, Lin’an Yang, Shulong Wang, Yue Zhang, Yang Dai, Yue Hao, Influence of the anisotropy on the performance of D-band SiC IMPATT diodes. Applied Physics A, Vol.118, No.4, pp.1219-1227, 2015;
2014年：
[1] Ying Wang, Lin'an Yang, Zhizhe Wang, Qing Chen, Yonghong Huang, Yang Dai, Haoran Chen, Hongliang Zhao, and Yue Hao,Ultra-short channel GaN high electron mobility transistor-like Gunn diode with composite contact. Journal of Applied Physics, 116(9), 094502, 2014;
[2] Haoran Chen, Lin'an Yang, and Yue Hao, Influence of InGaN sub-quantum-well on performance of InAlN/GaN/InAlN resonant tunneling diodes. Journal of Applied Physics, 116(7), 074510, 2014;
[3] Liang Li, Lin'an Yang*, Rongtao Cao, ShengRui Xu, Xiaowei Zhou, Junshuai Xue, Zhiyu Lin, Wei Ha, Jincheng Zhang, Yue Hao, Reduction of threading dislocations in N-polar GaN using a pseudomorphically grown graded – Al - fraction AlGaN interla[ant]yer. Journal of Crystal Growth, 387(1), pp.1-5, 2014;
[4] Li Liang , Yang Lin-An, Xue Jun-Shuai , Cao Rong-Tao, Xu Sheng-Rui, Zhang Jin-Cheng, and Hao Yue, Improvedcrystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched In0.17Al0.83N interla[ant]yer grown on sapphire substrate using pulsed me[ant]tal organic chemical vapor deposition.Chinese Physics B, Vol.23, No.6, pp:067103, 2014;
2013年：
[1]Ying Wang, Lin-An Yang, Wei Mao, Shuang Long, and Yue Hao,Modulation of multi-domain in AlGaN/GaN HEMT-liked planar Gunn diode. IEEE Trans. Electron Devices, 60(5), 1600-1606, 2013;
[2]Haoran Chen, Lin’an Yang, Shuang Long, and Yue Hao, Reproducibility in the negative differential resistance characteristic of In0.17Al0.83N/GaN resonant tunneling diodes - Theoretical investigation. Journal of Applied Physics, 113(19), 194509, 2013;
[3]Liang Li, Lin'an Yang, Jincheng Zhang, and Yue Hao, Dislocation blocking by AlGaN hot electron injecting la[ant]yer in the epitaxial growth of GaN terahertz Gunn diode, Journal of Applied Physics, 114(10), 104508, 2013;
[4] Haoran Chen , Lin'an Yang , Xiaoxian Liu,Zhangming Zhu, Jun Luo , and Yue Hao, The impact of trapping centers on AlGaN/GaN resonant tunneling diode, IEICE Electronics Express, Vol.10, No.19, pp:1-6, 2013;
[5] L. Li, L.A. Yang, R.T. Cao, S.R. Xu, X.W. Zhou, J.S. Xue, Z.Y. Lin, W. Ha, J.C. Zhang,Y. Hao, Reduction of threading dislocations in N-polar GaN using a pseudomorphicaly grown graded-Al-fraction AlGaN interla[ant]yer,Journal of Crystal Growth 387, 1–5, 2014;
[6]L. Li, L.A. Yang, X.W. Zhou, J.C. Zhang, and Y. Hao, Point defect determination by photoluminescence and capacitance–voltage characterization in GaN terahertz Gunn diode, Chinese Physics B, Vol.22, No.8, pp:087103, 2013.
2012年：
[1] Lin’an Yang, Shuang Long, Xin Guo, and Yue Hao, A comparative investigation on sub-micrometre InN and GaN Gunn diodes working at terahertz frequency, Journal of Applied Physics, 111(10), 104514, 2012;
[2]Liang Li, Lin-An Yang, Jin-Cheng Zhang, Jun-Shuai Xue, Sheng-Rui Xu, Ling Lv, Yue Hao, and Mu-Tong Niu, Threading dislocation reduction in transit region of GaN terahertz Gunn diodes. Applied Physics Letters,100(07), 072104, 2012;
[3]Liang Li, Lin-An Yang, Jin-Cheng Zhang, Lin-Xia Zhang, Li-Sha Dang, Qian-Wei Kuang, Yue Hao, Point defect determination by eliminating frequency dispersion in C–V measurement for AlGaN/GaN heterostructure. Solid-State Electronics,68, 98-102, 2012;
2011年：
[1] Lin'an Yang, Hanbing He, Wei Mao, and Yue Hao, "Quantitative analysis of the trapping effect on terahertz AlGaN/GaN resonant tunneling diode",Applied Physics Letters, Vol,99,No.15,153501,2011;
[2] Lin-An Yang, Yue Hao, Qingyang Yao, and Jincheng Zhang, “Improved Negative Differential Mobility Model of GaN and AlGaN for a Terahertz Gunn Diode,” IEEE Trans. Electron Devices，Vol.58, No.4, 1076-1083, 2011；
[3] Lin’an Yang, Wei Mao, Qingyang Yao, Qi Liu, Xuhu Zhang, Jincheng Zhang, and Yue Hao, “Temperature effect on the submicron AlGaN/GaN Gunn diodes for terahertz frequency”, Journal of Applied Physics, Vol.109, No.2, 024503, 2011;
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荣誉获奖
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科研团队
博士研究生
陈庆，戴扬，汪瑛，赵洪亮，李秀圣，舒浩，李杨，刘虎，杨琳，容涛涛；
硕士研究生
王少波，王晓燕，马骉，李玉梅，王家男，巩雯雯，徐洋，邹浩，严霏；
课程教学
目前本人承担的教学任务：
射频电路基础（本科）
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招生要求
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关于研究生招生的信息：
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