基本信息


联系方式
工作单位：微电子学院
通信地址：西安市太白南路2号373信箱
电子邮箱：wuzhenyu@xidian.edu.cn
办公电话：-806
办公地点：北校区老科技楼A712B室


个人简介
吴振宇，副教授，硕士生导师。
主要研究方向为ULSI集成电路技术及其可靠性研究，具体包括微电子器件与电路辐射可靠性、VLSI薄膜工艺技术、集成互连可靠性等。已经完成的项目主要有：
（1）军委装备发展部, 国防预研基金项目, 6140A**, XXX损伤机理研究, 2018-01至2020-12,已结题, 主持
（2）中国空间技术研究院，国防重点实验室基金项目，HX，XXX微波芯片结构分析，2015-01至-2017-12,已结题, 主持
（3）国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，**，超深亚微米铜/低k互连应力迁移失效行为分析与寿命模型，2009-01至2011-12，已结题，主持
（4）军委装备发展部, 国防预研项目, FY**, XXX效应仿真技术研究, 2016-01至2020-12, 已结题, 参加
（5）中华人民共和国科学技术部, 国家重点基础研究发展计划973子课题, 2015CB351906, 服役环境下可延展柔性无机集成器件性能退化机理与信号延迟机制, 2015-01至2019-12, 已结题, 参加
以第一作者已发表相关研究SCI论文多篇，以第一发明人申请发明专利多项：
[1]等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究，物理学报，2010,59(3):1890-1894
[2]基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究.物理学报.2012,61 (1):018501
[3]铜互连电迁移失效阻变特性研究.物理学报.2012,61 (24):539-544
[4]The effect of annealing on electrical properties of fluorinated amorphous carbon films,Diamond & Related Materials,2008,17 :118–122
[5]Temperature-dependent stress-induced voiding in dual-damascene Cu interconnects.Microelectronics Reliability.2008,48 :578–583
[6]Numerical Modelling of Interconnect Electromigration Under Non-DC Stressing Conditions.IETE Journal of Research.2020,66 (1):85-90
[7]Structure-dependent behavior of stress-induced voiding in Cu interconnects.Thin Solid Films.2010,518 (14):3778-3781
[8]3D numerical simulations of single-event transient effects in SOI FinFETs.Journal of Computational Electronics.2018,17 (4):1608-1614
[9]离子迁移谱仪，专利授权号：ZL 3.5
[10]等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，专利授权号：ZL 9.2
[11]一种系统级封装微凸点结构可靠性的两步式优化设计方法，专利申请号：CN8.X
[12]一种系统级封装热可靠性综合优化设计方法，专利申请号：CN0.7

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工作单位：微电子学院
通信地址：西安市太白南路2号373信箱
电子邮箱：wuzhenyu@xidian.edu.cn
办公电话：-806
办公地点：北校区老科技楼A712B室


个人简介
吴振宇，副教授，硕士生导师。
主要研究方向为ULSI集成电路技术及其可靠性研究，具体包括微电子器件与电路辐射可靠性、VLSI薄膜工艺技术、集成互连可靠性等。已经完成的项目主要有：
（1）军委装备发展部, 国防预研基金项目, 6140A**, XXX损伤机理研究, 2018-01至2020-12,已结题, 主持
（2）中国空间技术研究院，国防重点实验室基金项目，HX，XXX微波芯片结构分析，2015-01至-2017-12,已结题, 主持
（3）国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，**，超深亚微米铜/低k互连应力迁移失效行为分析与寿命模型，2009-01至2011-12，已结题，主持
（4）军委装备发展部, 国防预研项目, FY**, XXX效应仿真技术研究, 2016-01至2020-12, 已结题, 参加
（5）中华人民共和国科学技术部, 国家重点基础研究发展计划973子课题, 2015CB351906, 服役环境下可延展柔性无机集成器件性能退化机理与信号延迟机制, 2015-01至2019-12, 已结题, 参加
以第一作者已发表相关研究SCI论文多篇，以第一发明人申请发明专利多项：
[1]等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究，物理学报，2010,59(3):1890-1894
[2]基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究.物理学报.2012,61 (1):018501
[3]铜互连电迁移失效阻变特性研究.物理学报.2012,61 (24):539-544
[4]The effect of annealing on electrical properties of fluorinated amorphous carbon films,Diamond & Related Materials,2008,17 :118–122
[5]Temperature-dependent stress-induced voiding in dual-damascene Cu interconnects.Microelectronics Reliability.2008,48 :578–583
[6]Numerical Modelling of Interconnect Electromigration Under Non-DC Stressing Conditions.IETE Journal of Research.2020,66 (1):85-90
[7]Structure-dependent behavior of stress-induced voiding in Cu interconnects.Thin Solid Films.2010,518 (14):3778-3781
[8]3D numerical simulations of single-event transient effects in SOI FinFETs.Journal of Computational Electronics.2018,17 (4):1608-1614
[9]离子迁移谱仪，专利授权号：ZL 3.5
[10]等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，专利授权号：ZL 9.2
[11]一种系统级封装微凸点结构可靠性的两步式优化设计方法，专利申请号：CN8.X
[12]一种系统级封装热可靠性综合优化设计方法，专利申请号：CN0.7

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一、研究方向
主要研究方向为ULSI集成电路技术及其可靠性研究。


二、科研课题
超深亚微米铜/低k互连应力迁移失效行为分析与寿命模型. 国家自然科学青年基金项目(No.**)
铜/低k互连空位扩散机制与应力诱生空洞产生机理研究. 基本科研业务费
超深亚微米铜/低k互连应力迁移失效行为分析与寿命模型. 西安-应用材料创新基金项目(No.XA-AM-2008)
低k-Cu互连界面性能研究. 西安-应用材料创新基金项目(No.XA-AM-2005)

三、学术论文
吴振宇, 董嗣万, 刘毅, 柴常春, 杨银堂. 铜互连电迁移失效阻变特性研究. 物理学报, 2012, 61 (24): 248501 (SCI:0003**)
吴振宇, 杨银堂, 柴常春, 刘莉, 彭杰, 魏经天. 基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究. 物理学报, 2012,61(1):018501 (SCI:074)
Zhen-Yu Wu, Yin-Tang Yang, Chang-Chun Chai , Yue-Jin Lia, Jia-You Wang, Bin Li, Jing Liu. Structure-dependent behavior of stress-induced voiding in Cu interconnects. Thin Solid Films. 2010, 518(14): 3778-3781 （SCI: 033）
吴振宇, 杨银堂, 汪家友. 等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究. 物理学报. 2010,59(3):1890-1894（SCI: 072）
吴振宇, 杨银堂, 柴常春, 李跃进, 汪家友, 刘静. Cu 互连应力迁移温度特性研究. 物理学报, 2009,58(4):2625-2630 (SCI:077)
Wu ZhenYu, Yang YinTang, Chai ChangChun, Li YueJin, Wang JiaYou, Liu Jing, Liu Bin. Temperature-dependent stress-induced voiding in dual-damascene Cu interconnects. Microelectronics Reliability, 2008,48:578–583(SCI:012)
Zhenyu Wu, Yintang Yang, Jiayou Wang. The effect of annealing on electrical properties of fluorinated amorphous carbon films. Diamond & Related Materials, 2008,17:118–122(SCI:004)
吴振宇, 杨银堂, 柴常春, 李跃进, 汪家友, 刘彬. 通孔尺寸对铜互连应力迁移失效的影响. 物理学报, 2008, 57(6):3730-3734(SCI:070)
Wu Zhenyu, Yang Yintang, Wang Jiayou. Electrical properties of plasma deposited low-dielectric-constant fluorinated amorphous carbon films. Plasma Science & Technology, 2006, 8(6):724-726 (SCI:022)
吴振宇, 杨银堂, 汪家友. 微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究. 物理学报, 2006, 55(5):2572-2577(SCI:079)

四、发明专利
吴振宇, 杨银堂, 汪家友, 李跃进. 等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法与膜层结构. 专利号：ZL 9.2
吴振宇, 杨银堂, 周端, 余书乐, 汪家友, 付俊兴. 一种磁铁磁场装置. 专利号：ZL 3.7

五、著作

六、其他

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一、本科课程
半导体表面

二、研究生课程
微电子薄膜

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一、基本信息
每年招收硕士研究生工学3名、软件工程3名左右，欢迎开朗、认真、勤奋、进取的同学报考。

其他

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其他